李锋锐
,
顾牡
,
何徽
,
畅里华
,
温伟峰
,
李泽仁
,
陈亮
,
刘金良
,
欧阳晓平
,
刘小林
,
刘波
,
黄世明
,
倪晨
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160262
采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex<49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.
关键词:
γ-CuI晶体
,
超快闪烁体
,
衰减时间
,
能量响应
Journal of Physical Chemistry C
The highly unusual structural and electronic properties of the alpha-phase of (Si(1-x)C(x))(3)N(4) are determined by density functional theory (DFT) calculations using the Generalized Gradient Approximation (GGA). The electronic properties of alpha-(Si(1-x)C(x))(3)N(4) are found to be very close to those of alpha-C(3)N(4). The bandgap of alpha-(Si(1-x)C(x))(3)N(4) significantly decreases as C atoms are substituted by Si atoms (in 2 most cases, smaller than that of either alpha-Si(3)N(4) or alpha-C(3)N(4)) and attains a minimum when the ratio of C to Si is close to 2. On the other hand, the bulk modulus of alpha-(Si(1-x)C(x))(3)N(4) is found to be closer to that of alpha-Si(3)N(4) than of alpha-C(3)N(4). Plasma-assisted synthesis experiments of CN(x) and SiCN films are performed to verify the accuracy of the DFT calculations. TEM measurements confirm the calculated lattice constants, and FT-IR/XPS analysis confirms the formation and lengths of C-N and Si-N bonds. The results of DFT calculations are also in a remarkable agreement with the experiments of other authors.
关键词:
chemical-vapor-deposition;silicon-carbon nitride;thin-films;optical-properties;room-temperature;alpha-phase;growth;hard;photoluminescence;microstructure
李辉
,
罗至利
,
刘哲
,
夏晓宇
,
韩旭旭
,
余鸿洋
,
孙国栋
人工晶体学报
采用第一性原理方法,对比研究了Ti2AlC和Ti2AlN在高压下的结构、弹性和电子性质.结果表明,Ti2 AlC和Ti2AlN的品格常数a、c和体积V均随着外压的增大减小,但二者变化规律略有不同,都体现了材料的各向异性.通过对弹性常数、体模量、剪切模量、杨氏模量等弹性性质的分析,发现它们均随外压的增加而增大,并验证了Ti2AlC和Ti2AlN在0~50 GPa范围内的力学稳定性.此外,还从电子态密度的角度考察了Ti2AlC和Ti2AlN的电子性质,认为它们均具有共价键和金属键的双重特性,并发现在0 ~ 50 GPa范围内压力对态密度影响较小.本文计算结果与已有实验值和理论值吻合较好.
关键词:
MAX相
,
弹性性质
,
电子性质
,
高压
,
第一性原理
董元篪
,
魏寿昆
,
彭(忄育)强
,
朱元凯
金属学报
<正> As一向认为是钢铁中的有害元素。除少数耐腐蚀钢种外,脱As是钢铁冶炼的一个问题。欲脱As必先知As在铁液中的热力学行为。文献中只报道过As的活度相互作用系数e_(As)~C,e_(As)~S及e_(As)~N。本文是继续前文研究As在Fe液中的热力学行为,旨在利用下列反应: 3(CaC_2)+2[As]=(Ca_3As_2)+6[C] (1) 求出Fe-As-C-j熔体中的
关键词:
陈玮
,
程继健
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.004
为了探索新的透红外材料,本文研究了As2Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成区,制备了一系列不同AsTe和CuI含量的玻璃. 研究表明:该系统玻璃的形成范围相当大,As2Se3-AsTe二元系统可以任何比例形成玻璃,As2Se3-CuI和AsTe-CuI二元系统, 当CuI含量分别达70和40mol%时,仍可形成稳定的玻璃, 直径在20mm厚度在50mm以上的玻璃样品很容易得到. 研究了部分玻璃样品的远红外光谱,结果表明:该系统玻璃的结构单元主要是:[As(SeTe)3-xIx] (x=0~3)、[As2Te4]和[CuI4],随玻璃的成分不同,这些结构单元的相对比例也不同,根据研究结果提出了该系统玻璃的结构模型.
关键词:
硫系卤化物玻璃
,
玻璃形成
,
玻璃结构
,
红外透射材料
陈玮
,
程继健
无机材料学报
为了探索新的透红外材料,本文研究了As2
Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成区,制备了一系列不同ASTe和CuI含量的玻璃.研究表明:该系统玻璃的形成范围相当大,AS2Se3-ASTe二元系统可以任何比例形成玻璃,AS2Se3-CuI和AsTe-CuI二元系统,当CSI含量分别达70和40mol%时,仍可形成稳定的玻璃,直径在20mm厚度在50mm以上的玻璃样品很容易得到.研究了部分玻璃样品的远红外光谱,结果表明:该系统玻璃的结构单元主要是:[AS(SeTe)3-xIx](x=0~3)、[As2Te4]和[CuI4],随玻璃的成分不同,这些结构单元的相对比例也不同,根据研究结果提出了该系统玻璃的结构模型.
关键词:
硫系卤化物玻璃
,
null
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null
,
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