孙丹丹
,
潘尚可
,
任国浩
,
吴云涛
,
商珊珊
,
张国庆
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12735
针对Ce:Li6Lu(BO3)3晶体有效原子序数(zeff)高的问题,采用低原子序数的Y3+离子部分置换晶体中的Lu3+离子.通过固相合成法制备了Ce:Li6Lu1-xYx(BO3)3(0≤x≤1)固溶体.X射线粉末衍射(XRD)分析表明,该系列固溶体结构与Li6Gd(BO3)3晶体相同,空间群为P21/c.其X射线激发发射(XSL)的发光强度随着Y3+的含量增加而降低,当x=0.5时,固溶体的有效原子序数与Li6Gd(BO3)3闪烁体相当,但XSL发光强度是其1.4倍.Ce:Li6Lu0.5Y0.5(BO3)3的XSL光谱和PL光谱都在400 nm附近出现Ce3+离子的特征峰,可拟合出361和419 nm两个发光分量,分别对应于Ce3+离子的激发态电子的5d1→2F5/2和5d1→2F7/2能级跃迁.Ce:Li6Lu0.5Y0.5(BO3)3固溶体的衰减时间比Ce:Li6Lu(BO3)3略长,为19.6 ns.当x=0.50～0.70时,Ce:Li6Lu1-xYx(BO3)3(0≤x≤1)闪烁体比较适合作为中子探测材料.
关键词:
固相合成
,
Ce∶Li6LU1-xYx(BO3)3
,
X射线激发发射谱
,
PL光谱
,
衰减时间
刘玮
,
潘尚可
,
李焕英
,
蒋勇
,
陈晓峰
,
任国浩
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150080
为了提高中子探测效率,以富集10B的H310BO3为原料,通过提拉法生长了富集10B的Ce：Li6Lu(10BO3)3晶体。X射线激发发射光谱测试表明：其发光峰位于360~480 nm,属于Ce3+离子典型的5d -4f跃迁发光,其闪烁发光效率为BGO晶体的3.9倍。在350 nm紫外光和137Cs所发出的662 keV的γ射线激发下测得的衰减时间分别为21.0 ns和31.7 ns,在137Cs辐射源激发下所测得的相对光输出是CsI(Tl)晶体的20%,能量分辨率为9.7%。在慢化252Cf中子源激发下可以观测到明显的中子全能峰,其能量分辨率为33%。上述研究结果表明, Ce：Li6Lu(10BO3)3晶体具有较高的闪烁效率、快的衰减时间和良好的中子探测效率,是一种具有应用前景的中子探测用闪烁晶体。
关键词:
Ce:Li6Lu(10BO3)3晶体
,
中子探测
,
提拉法
,
闪烁晶体
常永勤
,
介万奇
,
郭喜平
,
陈福义
,
安卫军
功能材料
研究了ACRT-B法生长的Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数.发现结晶界面为椭球形;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2Te4晶体,其4种组元并不按(Mn,Cd):In:Te=1:2:4比例结晶,而是要重新分布;通过数学方法处理实验数据得到Mn,Cd和In的分凝因数在α相区分别为1.286、1.9257和0.7294,在β相区则分别为1.12、1.055和0.985.
关键词:
ACRT-B法
,
MnxCd1-x In2Te4
,
界面
,
分凝因数
常永勤
,
安卫军
,
郭喜平
,
介万奇
无机材料学报
采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物MnxCd1-xIn2Te4晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β1,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In2Te3类面心立方结构化合物.组分x增大后,MnxCd1-xIn2Te4晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x-1-T曲线服从居里-外斯定律,在低温区(<50K)则表现出顺磁增强现象.
关键词:
MnxCd1-xIn2Te4
,
compositional distribution
,
infrared transmission spectra
,
mag- netic susceptibility
常永勤
,
安卫军
,
郭喜平
,
介万奇
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.004
采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物MnxCd1-xIn2Te4晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mno.1Cd0.9In2Te4晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β1,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In2Te3类面心立方结构化合物.组分x增大后,MnxCd1-xIn2Te4晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x-1-T曲线服从居里一外斯定律,在低温区(＜50K)则表现出顺磁增强现象.
关键词:
MnxCd1-xIn2Te4
,
成分偏析
,
红外透射光谱
,
磁化率
罗军
,
钟真武
,
范世(马岂)
,
王锦昌
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.01.001
作为新型非线性光学材料,钙-稀土硼酸盐晶体Ca4RO(BO3)3(R--La3+、Nd3+、Sm3+、Gd3+、Y3+、Er3+、Tb3+、Lu3+)近来引起了广泛的重视. 该系列晶体属非中心对称的单斜晶系,空间群Cm. 本文综述了上述晶体的结构和生长研究的进展,总结了晶体的线性光学/非线性光学性能以及掺杂晶体的激光自倍频性能,指出这些晶体在非线性光学领域潜在的应用前景.
关键词:
Ca4RO(BO3)3(R--稀土)
,
非线性光学晶体
,
晶体生长
,
频率变换
洪智亮
,
成来飞
,
鲁琳静
,
张立同
,
王一光
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00186
采用溶胶-凝胶法制得三种镥硅酸盐体系粉体材料. 以氧化物的摩尔比来表示此三种粉体, 分别为：Lu2O3·SiO2、Lu2O3·2SiO2和Lu2O3·2.26SiO2. 在1400℃、50%H2O-50%O2静态常压气氛下, 研究了它们的耐水蒸气腐蚀性能.以单位面积重量变化率表征材料的耐水蒸气腐蚀性能, 结合X射线衍射（XRD）、傅里叶红外光谱（FTIR）和扫描电镜能谱分析（SEMEDS）等分析手段, 揭示了镥硅酸盐体系在高温水蒸气环境中的腐蚀机制和反应机理. 结果表明：三种原始粉体主要物相依次为：Lu2SiO5+Lu2Si2O7、 Lu2Si2O7+SiO2和Lu2Si2O7+SiO2. 在水蒸气作用下, Lu2SiO5相与Al2O3反应生成新相Lu3Al5O12, 而Lu2Si2O7相并未受到水蒸气的作用而发生任何反应, 表现出优异的化学稳定性.
关键词:
Lu2SiO5
,
Lu2Si2O7
,
environmental barrier coating (EBC)
,
water vapor corrosion
洪智亮
,
成来飞
,
鲁琳静
,
张立同
,
王一光
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00186
采用溶胶-凝胶法制得三种镥硅酸盐体系粉体材料.以氧化物的摩尔比来表示此三种粉体,分别为:Lu_2O_3·SiO_2、Lu_2O_3·2SiO_2和Lu_2O_3·2.26SiO_2.在1400℃、50%H_2O-50%O_2静态常压气氛下,研究了它们的耐水蒸气腐蚀性能.以单位面积重量变化率表征材料的耐水蒸气腐蚀性能,结合X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FTIR)和扫描电镜能谱分析(SEM-EDS)等分析手段,揭示了镥硅酸盐体系在高温水蒸气环境中的腐蚀机制和反应机理.结果表明:三种原始粉体主要物相依次为:Lu_2SiO_5+Lu_2Si_2O_7、Lu_2Si_2O_7+SiO_2和Lu_2Si_2o_7+SiO_2.在水蒸气作用下,Lu_2SiO_5相与Al_2O_3反应生成新相Lu_3Al_5O_(12)而Lu_2Si_2O_7相并未受到水蒸气的作用而发生任何反应,表现出优异的化学稳定性.
关键词:
Lu_2SiO_5
,
Lu_2Si_2O_7
,
环境障碍涂层
,
水蒸气腐蚀
马畅
,
李晓东
,
董宇
,
刘绍宏
,
朱琦
,
李继光
,
霍地
,
孙旭东
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20130411
以Lu(NO3)3和尿素为原料,采用均相沉淀法合成镥盐前驱体,研究Lu3+浓度、尿素/Lu3+摩尔比R对前驱体形貌的影响.结果表明,在反应温度为95℃时,低Lu3+浓度有利于单分散球形粉体的合成,并且适当的调整R值可将单分散球形颗粒尺寸控制在180 ～ 270 nm之间.在此基础之上,研究Eu3+掺杂Lu2O3单分散球形荧光粉体的合成,探讨了Eu3+的掺杂量(1％,3％,5％,7％,9％(原子分数))及煅烧温度(600～ 1200℃)对颗粒形貌及其荧光性能的影响.结果表明,Eu3+的掺杂使所得(Lu,Eu)盐前驱体颗粒尺寸远小于单纯的Lu盐前驱体,且Eu含量对荧光粉的荧光强度有着显著的影响,荧光淬灭浓度为5％.在考察的煅烧温度范围内,荧光粉的荧光强度随煅烧温度的提升而增强.
关键词:
Lu2O3
,
Eu3+
,
均相沉淀
,
单分散球形
,
前驱体
,
荧光性能
,
稀土
