Xinhua LI
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Kai QIU
,
Fei ZHONG
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Zhijun YIN
,
Changjian JI
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Yuqi WANG
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材料科学技术（英文）
The preparation of porous structure on the molecular beam epitaxy (MBE)-grown mixed-polarity GaN epilayers was reported by using the wet chemical etching method. The effect of this porous structure on the residual stress of subsequent-growth GaN epilayers was studied by Raman and photoluminescence (PL) spectrum. Substantial decrease in the biaxial stresse can be achieved by employing the porous buffers in the hydride vapour phase epitaxy (HVPE) epilayer growth.
关键词:
GaN
,
vapour
,
phase
,
epitaxy
庄厚龙
,
彭平
,
周惦武
,
刘金水
稀有金属材料与工程
采用第一原理赝势平面波方法--CASTEP程序计算了4种B2型Y基金属间化合物YX(X=Ag,Cu,In,Rh)的部分弹性性质,计算结果与文献报道值基本一致.通过Pugh定律、Cauchy压力和泊松比等经验判据,分析并预测了它们的脆性/延性,其延性高低次序为:YRh＞YAg＞YCu＞YIn.电子结构分析表明:这4种金属间化合物良好的延性源于其较强的金属键,而不同程度的Y(d)-X(p)电子杂化则导致了其延性的差异.YIn中因In的p电子较多,杂化程度高,共价键方向性强,因而延展性最低,而YRh则由于存在Y(d)-Rh(d)电子间强的相互作用,增强了其金属键作用,因而延性最好.
关键词:
Y基金属间化合物
,
脆性/延性
,
第一原理
,
电子结构
