Y.Kurata and H.Utsumi (Japan Atomic Energy Research Institute
,
Tokai-mura
,
Naka-gun
,
Ibaraki-ken
,
319-1195
,
Japan)(Tohoku University
,
Sendai
,
980-8579
,
Japan)
金属学报(英文版)
Applicability of the following creep constitutive equations was investigated for normal type creep curves of Ni-18.5Cr alloy and tertiary creep dominant curves of Ni-18.5Cr16W alloy under constant load: the θ projection method describing a creep curse by a sum of two exponential terms, modified θ method describing a primary creep stage by an exponential term and a tertiary creep stage by a logarithmic term, modified Ω method describing a creep curve by a sum of two logarithmic term, 2θ method with only a tertiary creep component and Ω method. The θ, modified θ and modified Ω methods can describe normal type and tertiary creep dominant curves. Tertiary creep dominant curves of Ni-18.5Cr-16W alloy at 900℃ are also described using 2θ and Ω methods. Applicability of the modified θ and modified Ω methods is superior for constant load creep curves because they can predict creep curves up to rupture and rupture life accurately and conservatively.
关键词:
creep equation
,
null
,
null
,
null
,
null
石天雷
,
杨国波
,
程石
,
杭苗
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122702.0208
研究了摩擦强度对Zara漏光和摩擦痕Mura的影响.实验表明,当摩擦强度偏低时,Zara漏光易发生,而摩擦强度偏高时,则易引发摩擦痕Mura.通过选择合适的摩擦强度,可降低Zara漏光和摩擦痕Mura的发生率.另外,利用FIB对基板表面进行分析,找到了FFS型产品容易发生Zara漏光和摩擦痕Mura的原因.
关键词:
LCD
,
Zara漏光
,
摩擦痕Mura
张卓
,
柳在健
,
侯延冰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.001
Touch Mura会影响液晶显示器侧视时的视觉效果,因此其检测也很严格.讨论了液晶量对Touch Mura的影响.实验结果表明,拍击位移量与Touch Mura严重程度有直接联系.随着液晶量增加,拍击位移量会变小,同时Touch Mura现象也会减轻直至消失.另外,不同人拍击或者拍击液晶面板位置为左侧或右侧,对拍击位移量随液晶量的变化趋势没有明显影响.
关键词:
液晶量
,
TouchMura
,
拍击位移量
周哲
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122705.0649
横线Mura是一种在TFT-LCD生产过程中产生的不良,对于画面品质有较大的影响.文中对横线Mura发生的原因进行分析,通过对金属膜层的应力测量及分析不良区域金属断面结构,认为横线Mura的发生是由于在栅电极成膜过程中,玻璃基板中心和边缘的Mo金属层的应力差异较大,造成在应力释放后Mo金属层与玻璃基板之间结合不紧密,从而影响到栅电极与源电极间的寄生电容参数发生变化和信号电平发生偏移.提出对栅电极膜层结构进行调整,将栅电极底层Mo金属膜去除可以有效地降低不良的发生比率,并进行了相关验证.
关键词:
横线Mura
,
薄膜
,
应力
,
栅电极
齐鹏
,
施园
,
刘子源
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0204
Touch Mura在整个TFT-LCD制作流程中非常容易发生,并且严重影响产品性能.文章主要研究了液晶量、Sub PS设计、PS段差设计及工艺参数Total pitch对Touch Mura的影响.实验结果表明液晶量的增加能够补偿敲击偏移,减轻Touch Mura不良；Sub PS的Z字形设计由于阻挡效应能够有效减轻Touch Mura;Main PS和Sub PS的段差越大,Touch Mura margin越小；工艺参数Total Pitch越接近设计值,Touch Mura风险越小.所以在设计过程中优化液晶量和Main-Sub PS段差设计及Sub PS设计能够有效减低Touch Mura风险,此外,生产过程中对工艺参数Total pitch的管控也至关重要.
关键词:
Touch Mura
,
液晶量
,
柱状隔垫物
,
Total Pitch
张定涛
,
李文彬
,
姚立红
,
郑云友
,
李伟
,
宋泳珍
,
袁明
,
张光明
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0860
为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1％HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10℃试验、工艺ash、n+刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验.研究了沟道n+掺杂a-Si层的厚度对于Mura的影响.确定了Mura的发生源和影响因素,结果发现Mura形成机理,一为基板背部划伤,二为接触和不接触电极区域的温差异,三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部,之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大.最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a-Si厚度和升高温度的方法,消除了网点Mura,并使得整体Mura发生率降为0.08％.
关键词:
色斑
,
薄膜晶体管
,
非晶硅
,
缺陷分析
肖洋
,
周鹏
,
闫润宝
,
郑云友
,
齐勤瑞
,
魏崇喜
,
章旭
,
张然
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173204.0269
TFT-LCD面板在屏幕上有斑点或波浪状Mura,影响液晶显示器的品质,经过图形匹配,缺陷与曝光机机台形貌匹配.通过对异常区域特性分析,发现异常区域的BM CD、BM 像素间距存在异常.对原因进行模型分析:玻璃在曝光机基台上局部区域发生弯曲,曝光距离变短,致使BM PR受光区域变小,BM CD会偏小,进而导致区域性透过光不均一产生Mura;玻璃弯曲后BM 像素间距相对于设计位置也会发生变化,从而导致漏光产生Mura.经过实验验证,BM CD和像素间距的偏差主要由机台凸起导致glass弯曲引起,可以通过降低吸附压力和研磨机台,来改善CD差异和像素间距偏移,同时像素间距偏移漏光,也可以通过增加CD来改善.最终通过BM CD增加、研磨机台和降低吸附压力措施,Stage Mura不良率由10.05％下降至0.11％.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
色斑
,
线宽
,
像素间距
张卓
,
赵海玉
,
张培林
,
柳在健
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.05.016
拍击位移量是液晶面板出现Touch Mura的根本原因,但因为玻璃基板的形变能够迅速回复,瞬时位移量难以检测.文章通过重压法模拟了拍击位移过程,发现随着液晶量的增加,最大位移量也增加,但同时回复能力大大增强,使得最终位移量反而变小.
关键词:
重压法
,
Touch Mura
,
模拟
程石
,
王涛
,
张敏
,
张铁军
,
史华威
,
杨国波
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112605.0604
研究了隔垫物密度对Push Mura和低温气泡的影响.实验表明,通过增加隔垫物密度,能提高液晶面板的抗压强度,降低Push Mura发生率.但是,隔垫物密度过高会引起低温气泡发生.当隔垫物密度控制在适当范围内时,既能大大改善Push Mura,又不会发生低温气泡,且不影响产品的光学特性.
关键词:
LCD
,
不良改善
,
隔垫物
