Y. Choi
,
N.I. Baik
,
H.D. Cho
金属学报(英文版)
TiaAl-Nb-Mo composites were prepared by SHS using initial powder mixtures of Ti-Al-Nb-Mo and their corrosion and mechanical properties were studied to develop bio-and environmental materials. The composites reached 99.8% of theoretical densityafter the direct consolidation. The composites shows equiaxed primary α2 in a matrixof fine secondary α2 plates and ordered B2 (B0) forming a basket weave structure.The strain rate sensitivity (m = dlnσr/dlne) at 2% strain is 0.008. Corrosion po-tential and corrosion rate of the composites formed by SHS were -151.5mVSHE and5.72× 10-8A/cm2 for Ti3Al-10Nb-1.5Mo and -138.4m VSHE and 4.12×10-8cm-2 forTi3Al-12Nb-1.5Mo in a 50% NaOH-10%FeCl3 solution, respectively. Corrosion resis-tance decreased with niobium content in the composites and chloride content in theaqueous solution. Selective corrosion of α2 phase in a matrix occurred in the corrosionenvironment which suggests that the corrosion potential and rate changes are relatedto the niobium content and α2 phase in a matrix.
关键词:
Ti3Al alloy
,
null
,
null
,
null
葛庆麟
,
施天生
,
陈廷国
,
陈源
,
吴自良
金属学报
四种不同Ti浓度的Fe-Ti合金,加氮到N/Ti>1之后,发现有两个内耗峰,并且随氮浓度之增加而同时升高。20℃处的峰是氮的Snoek峰,160℃附近的是s-i峰。s-i峰的峰高和Ti浓度成线性关系,表明起峰的反应只涉及孤立的Ti原子,与Ti-Ti原子对或杂质原子团都无关系。 提出了产生s-i峰的二种缺陷中心——Ti-N对缺陷和N-Ti-N仨缺陷——的模型(图7)。氮占Ti位就构成对缺陷,其中的Ti,N原子亲和力很强,只要合金中尚存有自由Ti原子,就不可能存有自由氮原子,因此N/Ti≤1以下,不会出现Snoek峰或s-i峰。N/Ti>1之后,多余氮原子要在对缺陷的OⅡ位和T_3位之间以约1:10的比例进行分配,直到绝大部分的对缺陷转化为仨缺陷。N/Ti(?)2以后,几乎所有的多余氮都进入了仨缺陷的OⅡ位,此时s-i峰的弛豫强度突然增加10倍。 淬火时冻结在α-Fe基体中的过饱和氮、要扩散到OⅡ位(扩散距离～10(?)),以期达到室温下的再分配,因此引起Snoek峰室温下的迅速衰减。s-i峰的形状,只取决于多余氮的浓度,与淬火温度、冷却速度无关。
关键词:
闫盟
,
尹祁伟
,
王鹏飞
,
梁波
,
王美玲
稀有金属材料与工程
在102,103,104 Pa碘蒸气压力和350℃温度条件下对N36锆合金包壳管进行I-SCC(碘致应力腐蚀)环向拉伸试验.对拉断后的环形试样进行宏观观察.碘环境下的试样表现出脆性断口,不同于无碘环境下的杯-杯形韧性断口形貌.分析试验载荷-位移曲线及力学参数,评价试样的I-SCC敏感性.碘环境下力学性能均较无碘环境下降,且下降程度随着碘浓度的升高而增大.通过对I-SCC评价参数的筛选,采用以拉伸载荷-位移曲线下面积表示的韧性作为I-SCC敏感性评价参数,结果表明包壳管韧性随着碘浓度的增加而降低.
关键词:
锆合金
,
环向拉伸
,
碘致应力腐蚀开裂(I-SCC)
,
碘蒸气
,
评价参数
熊超
,
肖进
,
丁丽华
,
陈磊
,
袁洪春
,
徐安成
,
周详才
,
朱锡芳
,
潘雪涛
功能材料与器件学报
本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究.研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域.由于在ZnO/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过0.8V时,导电机理为空间电荷限制电流导电.同时研究表明ZnO/n-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态可以进一步提高其光电特性.
关键词:
ZnO/n-Si异质结
,
I-V特性
,
C-V特性
,
内建电势
,
界面态
李新利
,
卢景霄
,
李瑞
功能材料
相对于单晶硅和非晶硅来说,微晶硅薄膜太阳电池具有更多的优势.高速沉积高效微晶硅太阳电池已经成为当前研究的热点.综合介绍了微晶硅p-i-n太阳电池的结构以及基本原理、研究现状和存在的问题,并对其发展前景进行了展望.
关键词:
太阳能电池
,
微晶硅
,
高速沉积
蔡加法
,
陈厦平
,
吴少雄
,
吴正云
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.018
分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷.结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz) C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大;探测器的低频(100 kHz)结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性,原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化,从而对结电容产生影响.
关键词:
光电子学
,
4H-SiC
,
p-i-n紫外光电探测器
,
电容-电压
,
深能级缺陷
魏健文
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.007
以方势垒描述N-I-d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N-I-d波超导体结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度在不同纳米量级下的隧道谱形状各异,即便其厚度处在同一纳米量级上,彼此间仅相差零点几个纳米,电会导致微分电导随偏压的变化关系迥异,这为解释高Tc氧化物超导体的相关实验现象提供了更多的可能性;(2)粒子的入射角和绝缘层的势垒值对零偏压电导峰有显著影响.
关键词:
方势垒
,
绝缘层厚度
,
N-I-d波超导体结
,
隧道谱
