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SIMULATION OF THE MAGNETIZATION REVERSAL PROCESS OF RECTANGLE-SHAPED NiFe FILM ELEMENTS UNDER AN ORTHOGONAL MAGNETIC FIELD

W.L. Zhang , R.J. Tang , W.X. Zhang , B. Peng , H.C. Jiang , H.W. Zhang

金属学报(英文版)

The magnetization reversal process of nano-size rectangle-shaped NiFe film elements with different aspect ratios have been investigated under the orthogonally applied magnetic fields by micromagnetic simulation. Different magnetization reversal modes can appear depending on whether the bias field is applied or not. When there is no bias field, double "C" state is the initial reversal state. However, when there is a bias field, "S" state is the starting mode. The larger the aspect ratio is, the larger the switching field is. But, when the aspect ratio is larger than 3, the increase of the switching field ceases. These results can provide useful information to the application of the patterned NiFe film with rectangular elements.

关键词: NiFe film element , null , null

a-C:F:H薄膜的化学键结构

肖剑荣 , 徐慧 , 李幼真 , 刘雄飞 , 马松山 , 简献忠

中国有色金属学报

使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C:F:H薄膜样品.采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析.研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的结合主要以sp3形式存在,而sp2形式的含量相对较少;在薄膜内主要含有C-Fx(x=1,2,3)、C-CC-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键;同时,薄膜中C-C-F键的含量比C-C-F2键的含量要高.在不同功率下沉积的薄膜,其化学键结构明显不同.

关键词: a-C:F:H薄膜 , 等离子体增强化学气相沉积 , 低介电常数 , 化学键

C-S-H 凝胶及其研究方法

杨南如

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.02.011

在分析C-S-H凝胶的复杂性和特征的基础上,就测定它的化学组成、C-S-H凝胶中[SiO4]4-四面体的聚合度及其结构的化学和物理的方法作了简要介绍.现代各种测试方法的出现和使用,对C-S-H凝胶的组成和集中[SiO4]4-四面体的聚合结构有了较为完整的概念.

关键词: C-S-H凝胶 , 化学组成 , 凝胶结构 , 测定方法

TIGHT BINDING MOLECULA RDNAMICS SIMULATION FORH C_(60)COLLISION:APOSSIBILITY OF H@ C60

Y.T. Fang and C.L. Luo Departmentof Physics , Nanjing Normal University , Naniing 210097 , China

金属学报(英文版)

Collision between C60 — and Hatom areinvestigatedbytight binding molecular dynamicssimu lation . When Hatom with kineticenergy 5eVhitthecenter of a six membered ring of C60 — , or with kineticenergy 6ev hitsthecenterofa five memberedring of C60 , H@ C60 iscreated. Ifthekineticenergyislower,the Hatom staysoutside, and C60 is deformed bytheshock.

关键词: tight binding MD , null

C/C复合材料微波水热浸渍H3PO4改性研究

弭群 , 曹丽云 , 黄剑锋

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2010.4.014

以磷酸为填充液与改性剂,采用微波水热法对碳/碳 (C/C)复合材料进行了抗氧化改性.主要研究了微波水热反应温度、时间对改性C/C复合材料的结构及抗氧化性能的影响.研究结果表明:浸渍磷酸后材料抗氧化性能得到明显改善,微波水热改性是提高C/C复合材料抗氧化性能的一种有效途径;复合材料的抗氧化性能在120~210℃的水热改性范围内随着温度的升高而提高;经 4h水热处理后材料的抗氧化性能达最佳;在210℃/4h微波水热处理后的C/C复合材料在700℃的空气气氛中氧化10h后的质量损失为9.47%,相对未改性的C/C复合材料抗氧化效果明显增加.

关键词: 碳/碳复合材料 , 微波水热法 , 抗氧化 , 改性

配合物[Sm(C7H5O3)2(C4H6NO2S)]·2H2O的热化学研究

杨德俊 , 李旭 , 李强国 , 肖圣雄 , 张应军 , 黄熠

中国稀土学报

将六水氯化钐,水杨酸与硫代脯氨酸3种物质一起反应,制得了一种新的稀土三元固体配合物[Sm(C7H5O3)2(C4H6NO2S)]·2H2O(s).通过红外光谱、热重差热分析、元素分析等手段确定了其结构与组成.在常压、298.15 K下,分别测定了六水氯化钐、水杨酸、硫代脯氨酸和该配合物在混合溶剂(二甲亚砜:乙醇:3 mol·L-1HCI=1:1:1)中的溶解焓,并根据热化学原理得出了298.15 K时配合物[Sm(C7H5O3)2(C4H6NO2S)]·2H2O(s)的标准摩尔生成焓△fHθm=(-2913.73±3.10)kJ·moL-1.

关键词: 稀土配合物 , 六水氯化钐 , 硫代脯氨酸 , 水杨酸 , 热化学

C-H-O和C-H-N体系生长金刚石膜的气相化学模拟

戚学贵 , 陈则韶 , 王冠中 , 廖源

无机材料学报

数值模拟了C-H-O和C-H-N体系的气相化学,构建了含氧和含氮气源化学气相沉积金刚石膜的三元相图,探讨了加氧和加氮影响金刚石膜生长的途径.结果表明,甲基是金刚石生长主要的前驱基团,乙炔导致非金刚石碳沉积,原子氢刻蚀非金刚石碳.通过气相反应改变这些基团的浓度是加氧的一个重要作用途径,而加氮在改变这些基团浓度的同时,CN等含氮基团还强烈地参与了金刚石膜成核和生长的表面过程.

关键词: 化学气相沉积 , diamond films , gas phase chemistry , phase diagram

C-H-O和C-H-N体系生长金刚石膜的气相化学模拟

戚学贵 , 陈则韶 , 王冠中 , 廖源

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.024

数值模拟了C-H-O和C-H-N体系的气相化学,构建了含氧和含氮气源化学气相沉积金刚石膜的三元相图,探讨了加氧和加氮影响金刚石膜生长的途径.结果表明,甲基是金刚石生长主要的前驱基团,乙炔导致非金刚石碳沉积,原子氢刻蚀非金刚石碳.通过气相反应改变这些基团的浓度是加氧的一个重要作用途径,而加氮在改变这些基团浓度的同时,CN等含氮基团还强烈地参与了金刚石膜成核和生长的表面过程.

关键词: 化学气相沉积 , 金刚石膜 , 气相化学 , 相图

C-H-N体系生长金刚石薄膜

万永中 , 张志明 , 沈荷生 , 何贤昶 , 张卫 , 王季陶

无机材料学报

通过热力学分析从理论计算上给出了C-H-N体系中低压生长金刚石的三元相图.该相图中存在金刚石生长区.不同温度和压强下金刚石生长区几乎都位于CH4-N连线以下,并且随衬底温度的改变而有显著的变化.随着氮含量的增加,金刚石生长区向碳含量减少的方向移动.使用该相图对优化添加含氮气源生长金刚石的实验条件提供了理论依据.

关键词: 金刚石 , diamond , phase diagram , nitrogen

C-H-N体系生长金刚石薄膜

万永中 , 张志明 , 沈荷生 , 何贤昶 , 张卫 , 王季陶

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.002

通过热力学分析从理论计算上给出了C-H-N体系中低压生长金刚石的三元相图.该相图中存在金刚石生长区.不同温度和压强下金刚石生长区几乎都位于CH4-N连线以下,并且随衬底温度的改变而有显著的变化.随着氮含量的增加,金刚石生长区向碳含量减少的方向移动.使用该相图对优化添加含氮气源生长金刚石的实验条件提供了理论依据.

关键词: 金刚石 , 含氮气源 , 相图 , 化学气相淀积

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