胡卫兵
,
史伯安
,
但悠梦
,
谭志斗
,
吴少尉
,
朱艳秋
,
徐文光
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011
在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二维和三维 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一维线状和二维网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三维Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.
关键词:
一维
,
二维
,
三维
,
Si基纳米线
,
制备
李燕
,
姜斌
,
邓宏
,
蒋书文
,
周晓燕
材料导报
主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO3/SrTiO3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一维ZnO量子线;描述了低维材料的发展前景.
关键词:
低维材料
,
介质超晶格
,
金属超晶格
,
ZnO量子线
孔令胜
,
王天聪
,
蔡盛
,
钟兴
,
张雷
,
徐开
,
金光
,
乔彦峰
,
贾继强
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.029
一维狭缝光栅实现平面三维显示具有低成本、光栅参数易于改变和无需对焦的优点,但存在遮挡画面影响亮度的缺点;二维透镜阵列具有全视差且深度感知自然的优点,但存在显示像素低和观察视角小的缺点.为了同时兼顾上述两种方案的优点,结合一维狭缝光栅和二维透镜阵列提出了一种基于二维方孔光栅的平面立体显示方案.Lighttools软件仿真实验结果表明:基于二维方孔光栅的平面三维显示原理可行.其像质因子略小于一维狭缝光栅的像质因子,但继承了一维狭缝光栅和二维透镜的优点,是实现平面三维显示的一种新的发展方向.
关键词:
平面三维显示
,
纵横视差
,
像质因子
任世杰
,
戴干策
高分子材料科学与工程
采用混合数值方法对三维RIM充模过程进行了数值模拟,即在模腔宽度上采用有限元法,而在厚度方向上采用有限差分方法,对三维问题进行求解.采用这种方法,避开了直接求取三维有限元所带来的困难.同时采用了任意拉格朗日-欧拉法处理流动前缘.文中对数值结果进行了讨论.
关键词:
反应注射成型
,
充模
,
数值模拟
丁冬生
,
周志远
,
史保森
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.04.008
量子通信网络主要由用于存储和操纵量子态的存储单元和联络存储单元之间的信息载体构成.光子是信息载体的最佳选择,存储单元可以由固态材料或气态原子组成.相对于二维空间,编码于一个高维空间的光子可以携带更大的信息量.若能够实现编码于高维空间的量子态存储,则在增大存储单元存储容量的同时,还可以提高网络的信道容量和传输效率,因而高维量子态的存储研究成为当前量子信息领域的热点领域.简要回顾了国内外在高维量子态存储方面的进展,着重介绍了近期基于冷原子系综实现单光子条件下高维量子态存储的突破性进展,提出了构建高维量子网络需要解决的关键问题.
关键词:
量子光学
,
量子存储器
,
高维编码态
,
轨道角动量
,
存储
伊智
,
张卫军
,
陈海耿
,
李国军
,
吴小冬
中国冶金
利用总括热吸收率法对加热炉内钢坯加热过程进行模拟.分别对板坯和方坯导热差分方程进行一维和二维简化,比较其结果.在方坯的情况下,采用田中功模型进行描述.分析了二维模型与田中功模型的差别,并调整田中功模型下的总括热吸收率值,使其与二维模型结果基本相同.
关键词:
一维模型
,
二维模型
,
田中功模型
,
总括热吸收率
徐侃
,
刘明侯
,
邢丹
,
王亚青
,
刘东
,
陆游
工程热物理学报
采用FLUENT耦合CHEMK工程表面反应方法实现二维轴对称滞止点甲烷催化燃烧的数值模拟,并与SPIN程序的一维计算结果进行比较.研究结果表明,由于二维模拟考虑径向扩散,相同拉伸率时,二维的火焰前沿更靠近滞止点,且最大组分浓度、最大温度等值均小于一维结果;二者轴向速度趋势一致,变化幅度相当,但由于火焰前沿位置变化,导致流场整体平移;各个拉伸率时滞止面上的径向温度梯度都很小,但低拉伸率时空间反应区径向温度梯度很大.高拉伸率时,滞止点催化反应的一维特性更好.
关键词:
滞止点
,
催化燃烧
,
拉伸率
李镇江
,
范炳玉
,
孟阿兰
,
张猛
功能材料
综述了近年来SiC一维、准一维纳米材料制备工艺的最新研究进展,重点介绍了模板生长法、化学气相沉积法、熔体生长法、碳热还原法和溶胶-凝胶法的工艺特点,并对不同工艺方法制备的SiC一维、准一维纳米材料的微观形貌、优异性能进行了简要概述,总结了现阶段SiC一维、准一维纳米材料制备工艺研究所面临的问题及发展前景.
关键词:
SiC
,
一维、准一维纳米材料
,
制备工艺
