周海飞
,
龚谦
,
王凯
,
康传振
,
严进一
,
王庶民
材料科学与工程学报
我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质.利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8％,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0％.通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响.通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用.
关键词:
分子束外延
,
InGaP
,
InAlP
,
张应变Ge
尹新
,
王海龙
,
龚谦
,
封松林
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.02.018
在有效质量近似下,利用变分法对GaxIn1-xAsyP1-y/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响.计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值；外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布；Ga与As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显地影响阱中氢杂质束缚能.计算结果对一些基于半导体阶梯型量子阱的光电子器件的设计制作有一定的指导意义.
关键词:
光电子学
,
束缚能
,
变分法
,
氢施主杂质
,
阶梯量子阱
孟婧
,
王海龙
,
龚谦
,
封松林
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.03.019
在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/AlxGa1-xN双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响.给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和波函数,以及量子阱宽度不同时的束缚能,并且计算了未加电场和加入电场后中间势垒高度变化以及宽度不同时的束缚能.当双量子阱中间垒宽一定时,束缚能随着阱宽的变化会出现一个峰值.在阱宽一定时,随着中间垒宽度的增加,束缚能逐渐减小,并在垒宽增加到一定宽度时双量子阱情况与单量子阱情况相似,束缚能不再明显变化.计算结果对设计和研究GaN/AlxGa1-xN量子阱发光和探测器件有一定的参考价值.
关键词:
光电子学
,
束缚能
,
中性施主
,
变分法
,
打靶法
,
对称双量子阱
张金凤
,
王海龙
,
龚谦
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.05.019
在有效质量近似下采用变分法计算了Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势,而且随着Mn组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;激子结合能随垒宽逐渐增大然后趋于稳定值,这与波函数向垒中的渗透有关;在一定范围内电场对激子结合能的影响很小,而且Mn组分越大对激子结合能影响越小,但电场强度较大时会破坏激子效应.计算结果可以为基于半导体抛物形量子阱发光器件设计制作提供一些理论依据.
关键词:
光电子学
,
结合能
,
变分法
,
激子
,
Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱
杨理强
,
赵洪亮
,
张立峰
中国冶金
doi:10.13228/j.boyuan.issn1006-9356.20160122
谦比希铜冶炼厂是依托云铜集团冶炼经验在海外建立的大型冶炼厂,采用艾萨炉-沉降电炉-PS转炉的工艺流程,转炉生产出的粗铜为最终产品,因此作为生产终端的转炉,生产模式的选取和控制十分重要.现用的PS转炉经过多年的生产,已经获取了很多技术进步和经验,但是为了达到更高的产能和效益,需要进一步优化生产指标,提高组织效率.介绍了谦比希铜冶炼厂的转炉系统和组织模式,并根据最近一年转炉技术攻关取得的数据,对不同生产模式下的吹炼效率进行了分析,得到了符合实际的优化方案.
关键词:
PS转炉
,
系统设计
,
工艺原理
,
作业制度
龚金保
腐蚀学报（英文）
不同温度下AZ41镁基合金牺牲阳极的电化学行为龚金保(中国科学院上海冶金研究所九六级硕士研究生上海200050)镁基牺牲阳极以往一般使用自然环境温度下保护地下钢铁构筑物,近年来提出了把它们扩大应用到加热的输油管道、贮罐等设备防腐蚀的新要求.然而,迄今为止还很少见到镁基牺牲阳极在较高温度下的电化学行为的报导.考虑到锌基牺牲阳极在较高温度下应用时电化学性能变劣,使我们联想到镁基牺牲阳极是否会出现类似的问题.本文研?...
关键词:
殷攀
,
赵洪亮
,
张立峰
,
王 森
,
张建坤
,
范巍
材料与冶金学报
doi:10.14186/j.cnki.1671-6620.2017.02.005
以谦比希铜冶炼厂ISA熔炼炉为原型,通过水模拟和时下应用广泛的数值模拟方法对ISA炉顶吹熔炼过程进行了初步研究.以喷枪为研究中心,探讨了喷枪中是否加入旋流片对熔池流场以及熔炼过程中喷溅量的影响.结果表明:喷枪加入旋流片后有利于气流沿径向分布,形成鼓状气泡,气流对液相的冲击深度会减小,从而减轻对渣锍界面的干扰,有利于渣、锍分离,此外还能够明显减小炉内的渣的喷溅量;不过喷枪加入旋流片后,对液相区域的搅拌能力会减弱.
关键词:
ISA熔炼
,
旋流片
,
水模型
,
流场
,
数值模拟
吴爱祥
,
沈慧明
,
姜立春
,
焦华喆
,
王贻明
中国有色金属学报
利用Belem模型计算拱架效应对于充填体垂直应力的转化率，分析充填体3种应力状态下的目标强度(支撑围岩、侧向暴露自立、支撑设备)，对比拱架效应引入前后充填体垂直应力降低比率。结果表明：谦比希铜矿窄长形充填体自重应力为0.4 MPa，拱架效应转化后，充填体所受垂直应力仅为0.055 MPa，转化率达到86.25%，最大主应力为充填体宽度方向上的水平应力0.289 MPa；支撑围岩与设备要求强度1 MPa，自立要求强度0.2 MPa。窄长型充填体的目标强度设计应考虑拱架效应对于垂直应力的转化，从而降低相关技术经济指标。
关键词:
膏体充填
,
拱架效应
,
窄长型
,
充填体强度
,
应力转化
吴爱祥
,
程海勇
,
王贻明
,
王洪江
,
刘晓辉
,
李公成
中国有色金属学报
为研究膏体管道输送阻力特性,针对膏体管道输送的结构流特点,将管道内膏体流区划分为柱塞流动区、剪切流动区和滑移流动区.根据流体力学理论建立考虑管壁滑移效应的膏体管道输送阻力模型,推导基于倾斜管试验的膏体流变参数计算方式,通过测定倾斜管不同倾斜角度α下的管道流速v计算管道屈服应力(r)0和塑性粘度η,并在此基础上自制试验装置.针对谦比希铜矿充填物料基本特性,通过正交试验研究浓度、灰砂比和尾废比对管道摩擦阻力的影响,并根据响应面分析多因素之间的交互作用,得到各因素对管道摩擦阻力的影响顺序由大到小依次为灰砂比、尾废比、浓度.研究结果是膏体管道输送阻力特性理论与实践研究的有力补充.
关键词:
膏体充填
,
阻力特性
,
管壁滑移
,
倾斜管
,
响应面
