李现祥
,
董捷
,
胡小波
,
李娟
,
姜守振
,
王丽
,
陈秀芳
,
徐现刚
,
王继扬
,
蒋民华
,
田玉莲
,
黄万霞
,
朱佩平
功能材料
采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构.基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置,并与实际结果进行了比较.鉴别出6H和4H-SiC单晶中分别存在着少量的4H-SiC和15R-SiC多型的寄生生长.
关键词:
多型夹杂
,
同步辐射白光形貌术
,
SiC单晶
胡小波
,
徐现刚
,
李现祥
,
董捷
,
韩荣江
,
王丽
,
李娟
,
王继扬
,
田玉莲
,
黄万霞
,
朱佩平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.012
采用同步辐射单色光形貌术观察了6H-SiC单晶中的微管缺陷,发现晶片中Burgers矢量为1c的螺位错具有较高的密度.此外,还观察到对应较大Burgers矢量的微管.基于微管附近的应变场,并根据衍射几何,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径,计算结果与实验观察符合较好.
关键词:
同步辐射单色光形貌术
,
6H-SiC单晶
,
微管
,
模拟计算
孙敦陆
,
张庆礼
,
肖敬忠
,
朱佩平
,
黄万霞
,
袁清习
,
王爱华
,
殷绍唐
功能材料
应用同步辐射X射线白光形貌术,对Nd:GGG晶体中的缺陷进行了研究,观察到晶体中的主要缺陷是生长条纹和位错,对生长条纹产生的机理和位错的类型进行了分析讨论,生长条纹是由于温度波动引起生长率的起伏产生的,确定晶体中的位错有刃型位错、螺旋位错和混合位错.根据生长条纹和位错的生成机制,提出了一些改进生长工艺的措施和方法,为生长质量更高的晶体提供了参考.
关键词:
Nd:GGG晶体
,
同步辐射
,
生长条纹
,
位错
汪剑成
,
苏根博
,
郑国宗
,
李国辉
,
邹宇琦
,
赵元安
,
胡国行
,
黄万霞
,
庄欣欣
人工晶体学报
设计溶液实时连续过滤装置用于降温法快速生长KDP晶体.采用高亮度激光照射分析对比晶体内部的散射点密度,以同步辐射为光源的X射线形貌成像技术探测晶体内部的生长缺陷,并测定晶体三倍频激光(355 nm)的损伤阈值.实验结果显示,溶液连续过滤法生长的KDP晶体中包裹体和位错的密度明显降低,晶体的激光损伤阈值提高了30%.
关键词:
KDP晶体
,
连续过滤
,
包裹
,
位错
,
激光损伤阈值
肖敬忠
,
王毅
,
黄朝红
,
邵曼君
,
田玉莲
,
黄万霞
,
杭寅
,
王爱华
,
殷绍唐
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.06.005
本文报道了应用环境扫描电镜(ESEM)和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的(001)面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.
关键词:
Nd:YVO4晶体
,
环境扫描电镜
,
同步辐射白光形貌术
,
晶体开裂
,
晶体缺陷
李新军
,
邹宇琦
,
陈杏达
,
徐军
,
杨秋红
,
田玉莲
,
黄万霞
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.009
运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部的完整性,并分析了α-BaB2O4晶体的缺陷行为及缺陷形成原因.在(001)面发现生长扇界和亚晶界,而在(100)面和(120)面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体.使用双晶衍射实验发现在(001)面有生长条纹,这些生长条纹呈环形,该条纹与熔体中温度波动而导致的生长速率波动有关.运用白光形貌拍摄到高清晰的劳埃斑,表明晶体为三方结构.
关键词:
α-BaB2O4晶体
,
同步辐射白光X射线形貌术
,
双晶衍射
,
缺陷
汪敏
,
胡小方
,
蒋锐
,
伍小平
,
朱佩平
,
黄万霞
,
袁清习
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.02.001
借助同步辐射硬X射线高强度、高能量、高准直、宽频谱以及可选能量等特点,对材料试件进行投影成像,并应用滤波反投影重建算法实现三维图像重建(Synchrotron X-Ray Computed Tomography).研究了闭孔泡沫铝在压缩过程中内部微结构的演化,得到了不同压缩状态下内部微结构图像,分析了闭孔泡沫铝在压缩过程中的变形及孔隙率变化.这些研究结果为泡沫铝制备工艺的改进和材料与结构的优化设计提供了有益的参考,并为泡沫铝压缩破坏机理的构建提供科学依据.
关键词:
SXR-CT技术
,
闭孔泡沫铝
,
孔隙率
,
微结构演化
宋生
,
崔潆心
,
杨昆
,
徐现刚
,
胡小波
,
黄万霞
,
袁清习
人工晶体学报
提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法.晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力.文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例,展示了实验方法和计算过程.结果表明该样品的残余应力以正应力为主.
关键词:
同步辐射
,
白光形貌术
,
残余应力
,
碳化硅
邹宇琦
,
李新军
,
徐军
,
干福熹
,
田玉莲
,
黄万霞
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.004
运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4的结构和缺陷行为,也观测了YVO4晶体(001)、(100)面的缺陷.发现在(001)面出现应力生长区、沿[100]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构.运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑,证明晶体为四方晶系.确定了小角晶界是引起多晶的主要原因.采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成.
关键词:
YVO4晶体
,
缺陷
,
同步辐射白光X射线形貌术
,
电子探针仪
