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纤维素及其酯接枝聚乙二醇制备相变储能材料的研究?

徐素梅 , 哈丽丹?买买 , 米娜瓦尔?乌买 , ?

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.09.018

采用溶液接枝聚合法,在异氰酸酯存在下,将聚乙二醇(PEG)分别链接到纤维素(Cell-OH)、纤维素醋酸酯(CDA)及纤维素月桂酸酯(LACE)骨架高分子材料上,制备了 Cell-OH/PEG、CDA/PEG 和 LACE/PEG 3种固-固相变储能材料,并通过FT-IR、TEM、POM、XRD和 DSC 等分析手段,对3种产物结构、结晶特性及相变储能性能等进行了比较研究。结果表明,随着与 PEG 接枝聚合的纤维素酯链的增长,所得产物形成酯链包裹PEG的胶囊的趋势越强,对PEG结晶的破坏程度越小,从而使产物的相变焓越高。

关键词: 纤维素 , 纤维素酯 , 聚乙二醇 , 相变储能材料

效应对非马尔科环境下量子纠缠的影响

蒋林志 , 杨杰 , 叶柳

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.009

研究了盎效应对非马尔科环境下2个独立狄克粒子量子纠缠的影响,结果表明只在某些特定情况下发生纠缠突然死亡和复活.当探测器处在非惯性系,盎效应会对纠缠的复活现象产生很大影响.当探测器处在非惯性系中的加速度不大于一个“临界点”,纠缠死亡和复活仍会出现,而当加速度大于这个“临界点”,纠缠死亡和复活现象不再发生.对此提出了一个合理的解释:盎效应将会影响非马尔科环境的记忆效应,也会影响此时环境中量子纠缠的出现及其增长率.

关键词: 量子信息 , 量子纠缠 , 非马尔科环境 , 效应 , 非惯性系 , 记忆效应

法制备铜单晶研究

娄有信 , 王继扬 , 张怀金 , 李强

人工晶体学报

采用法生长出大尺寸(111)铜单晶,晶体尺寸为ф(12~19)mm×85 mm.通过XRD、金相显微分析讨论了铜单晶的晶体结构与生长缺陷,并采用双臂电桥测定(111)铜单晶的电阻率.结果表明:晶体具有(111)取向、强度高,表明晶体取向良好;蚀坑呈典型三角锥形,位错密度在105~106 cm-2之间;在室温下,(111)铜单晶电阻率为1.289×10-8Ω·m.

关键词: 铜单晶 , , 晶体生长 , 晶体缺陷

水溶液法实现KDP单晶柱面扩展

刘志坤 , 王燕 , 刘琦 , 庞宛文 , 白丽华

材料导报

利用水溶液法,把籽晶放在育晶器的底部,沿<110>方向进行生长,生长出了截面较大的KDP单晶12 mm×12mm×31 mm.<110>方向的生长速度较传统的溶液降温法得到了一定的提高.这主要是由于使得晶体在方向上的溶质边界层梯度持续发生变化造成的.

关键词: KDP晶体 , 溶液降温法 ,

溶胶-凝胶法制备ITO透明导电膜

陈世柱 , 李晶

中国有色金属学报

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,利用自制的实验设备于石英玻璃片上制得了ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜,并就薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及透光性等进行了研究分析.结果表明:薄膜的方电阻和透光性与速度、次数、热处理温度、冷却方式及Sn原子掺杂量等因素有关.当Sn原子掺杂量为12.5%(质量分数)、速度为80 mm/min、经5次且每次后经550℃热处理(炉外空冷)而最终制得的ITO薄膜的方电阻为110 Ω/□,透光率可达90%以上.用溶胶-凝胶法制备ITO薄膜具有工艺简单可控,成本较低且宜于大面积成膜等优点.

关键词: sol-gel法 , , ITO膜 , 透明 , 导电

不同形状喷嘴中气流行为的研究

彭一川 , 廖欣 , 莫凤兵

钢铁研究 doi:10.3969/j.issn.1001-1447.1999.02.012

在考虑不同形状收缩段的基础上,建立描述不同形状喷嘴中沿喷嘴长各部气流行为的数学模型.数值计算表明,气体速度随入口段曲率半径的增大而增大,喷嘴和长度则随曲率半径的增大而减小.本数学模型可为不同形状超音速氧枪的设计提供理论依据.

关键词: 不同形状喷嘴 , 气体速度 , 曲率半径 , 氧枪

浸渍式法制备TiO2薄膜的微观结构和润湿性

王军 , 刘莹 , 胡静茹

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.02.009

目的 研究工艺参数与TiO2薄膜的微观结构、光学性质及润湿性的关系.方法 以钛酸四丁酯为原料,乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶浸渍式法,改变工艺参数(次数、速度),在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜,并通过光学表面形貌仪、紫外可见分光光度计及接触角测试仪分析了不同参数下制备的TiO2薄膜的微观结构、光学性质和润湿性.结果 次数和速度都会影响薄膜的微观结构,2次,速度在3~7 cm/min之间制备的TiO2薄膜表面平整、致密.在方向上,存在厚度梯度,厚度梯度为1 nm/μm.透射光谱显示TiO2薄膜在可见光区透明,吸收边与工艺有关,速度为7 cm/min,2次制备的TiO2薄膜,禁带宽度为3.57 eV,此时,接触角为14.8°.结论 速度、次数影响TiO2薄膜的微观结构、光学性质和润湿性.通过工艺参数的调整,可以制备均匀致密、具有亲水性的半导体TiO2薄膜.

关键词: 溶胶-凝胶 , TiO2薄膜 , 工艺参数 , 微观结构 , 光学性质 , 润湿性

钨酸镉单晶的法生长

张敬富 , 潘金根 , 娄丙谦 , 潘建国 , 陈红兵

人工晶体学报

采用液相合成法制备出了CdWO4多晶料.研究了反应溶液pH对原料纯度的影响,探索出满足晶体生长用原料的最佳制备条件.利用法生长出尺寸为φ15 mm×60 mm的透明、接近无色的钨酸镉单晶.透光性及发光性等单晶性能测试表明,CdWO4单晶在可见光区域的透过率达70%左右,吸收边位于315 nm,荧光发射峰位于473.8 nm,即本征发光由蓝光组成.

关键词: 闪烁晶体 , CdWO4 ,

法Tm:YAG晶体的生长缺陷研究

宋平新 , 赵志伟 , 徐晓东 , 邓佩珍 , 徐军

无机材料学报

采用法(CZ)生长了质量优异的Tm:YAG晶体.部分晶片在1000℃的空气气氛中退火25h.借助光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM),结合化学腐蚀法,对Tm:YAG晶体退火前后(111)面的缺陷特征进行了研究. Tm:YAG晶体(111)面的位错腐蚀坑呈三角形. 在偏光显微镜下观察了退火前后Tm:YAG晶体(111)面的应力双折射.同时应用高分辨X射线衍射法测定了晶体的完整性.实验结果表明,长时间空气气氛下高温退火有效降低了晶体中总的位错密度,提高了晶体质量.

关键词: Tm:YAG晶体 , chemical etch , dislocation , annealing

法生长优质溴化钾单晶

唐杰

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.04.015

在KBr原料中,适量添加KBr3,可利用KBr3在热分解过程中产生的游离溴去除KBr原料中的含氧基团,纯化原料.用法(Czochralski)在大气环境中也能生长出低吸收系数的大尺寸优质KBr单晶.其红外吸收系数在1×10-4cm-1数量级.比用普通方法生长的KBr单晶的吸收系数降低2个数量级.而且工艺条件简单,成本低廉.

关键词: 红外光学晶体、引上法晶体生长,KBr单晶,红外吸收系数

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