崔利杰
,
段瑞飞
,
李阳
,
曹国辉
,
马庆珠
,
董成
,
赵忠贤
,
魏龙
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.02.001
利用X射线衍射(XRD)和交流磁化率(Acχ)方法系统地研究了Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ(x=0.0～1.0)超导体，研究发现Eu掺杂替代了Y晶位后引起了晶格失配.这种晶格失配与电流密度有密切的联系.对于不同掺杂成分样品，X射线衍射线形分析表明(006)及(007)衍射峰型随掺杂量变化，掺杂浓度在30%和70%附近时，半高宽(FWHM)出现极大值，表明此时样品的晶格失配最大.与此相对应，电流密度Js也在此掺杂浓度范围内达到极大值.我们在晶格失配应力场的钉扎模型下对实验现象进行了讨论，认为Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ超导体中由元素替代引起的晶格失配应力场是有效的钉扎中心.
关键词:
沈毅强
,
石云
,
潘裕柏
,
冯锡淇
,
吴乐翔
,
寇华敏
,
章志明
,
魏龙
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13389
采用真空烧结固相反应法,分别制备了不添加和添加烧结助剂(正硅酸乙酯TEOS和MgO)的Pr∶LuAG(Pr∶Lu3Al5O12)陶瓷,研究发现添加烧结助剂烧制的Pr∶LuAG陶瓷在可见光区的直线透过率可达～80％,不添加烧结助剂的陶瓷光学透过率降低(可见光区～70％,2 mm厚),但光输出提高了5倍(为1196 pe/MeV),衰减快分量比例可达73％,能量分辨率8.4％.将Pr∶LuAG陶瓷加工成1.9 mm×1.9 mm× l.0 mm的陶瓷阵列组装探测器模块,用4×4陶瓷阵列单元实现了二维散点图成像,所成散点图清晰可辨.经过平台测试,相同耦合条件下本实验制备的Pr∶LuAG陶瓷成像质量优于商用BGO (Bi4Ge3O12)单晶,结果显示Pr∶LuAG陶瓷有望应用于PET (Positron Emission Tomography)级别核医学成像系统.
关键词:
Pr∶LuAG
,
透明陶瓷
,
退火
,
闪烁性能
,
成像
魏龙
,
陈红民
,
于润升
,
王宝义
,
张天保
,
郁伟中
,
何元金
,
王天民
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.02.012
简要介绍了广泛应用于表面科学的灵敏核探针--慢正电子束设备的原理、构造和应用, 阐述了北京慢正电子束流装置的设计原理和性能, 讨论了北京慢正电子束流装置今后的研究前景.
关键词:
慢正电子束流
,
正电子湮没
,
表面界面
黄卫东
,
左禹
,
魏龙
,
王文华
腐蚀学报（英文）
测量了非晶态NiCrFeSiB合金电化学渗氢前后的正电子寿命谱,探索氢与非晶态结构中的空位型缺陷的相互作用.合金中主要存在自由体积和空位团两种类型的缺陷,低电流渗氢对缺陷结构无明显影响,高电流渗氢导致空位团型缺陷浓度升高,但不稳定,当氢逸出后又会分解,合金结构恢复到稳定状态.
关键词:
非晶态合金
,
hydrogen
,
positron
王耘波
,
高俊雄
,
郭冬云
,
于军
,
魏龙
功能材料
对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化.通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-氧复合体,La的掺杂有助于阻止空位-氧复合体向界面的扩散.
关键词:
慢正电子束
,
多普勒展宽谱
,
Bi4Ti3O12铁电薄膜
,
缺陷
王宝义
,
张仁刚
,
万冬云
,
王雨田
,
魏龙
材料导报
ZnS是一种优良的光电材料并获得了广泛的应用.介绍了ZnS基薄膜电致发光器件的发展历史、结构及发光机理,主要讨论了ZnS基发光薄膜及蒸发法、溅射法、化学气相沉积法、外延法和溶胶-凝胶法等制备方法的最新研究进展,指出了目前存在的问题及今后的发展趋势.
关键词:
ZnS薄膜
,
电致发光
,
制备方法
程峰
,
钟玉荣2
,
王宝义
,
王天民3
,
魏龙
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00749
采用真空热蒸发法制备了CsI(Tl)薄膜, 然后进行了不同温度的真空热处理．用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(Tl)薄膜样品进行了分析, 并测得了样品的光产额．结果表明, 该CsI(Tl)薄膜沿(200)晶面择优取向生长．经过较低温度退火, CsI薄膜中的Tl+离子向薄膜表面扩散, 薄膜中缺陷数量增加, 且尺寸较大, 光产额略微增高．经过250℃退火, 薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复, 薄膜缺陷尺寸变小, 且数目减少, 具有较好的结晶状态, 光产额提高．经过400℃退火, 薄膜结构发生显著变化, 薄膜中缺陷大幅增加, 结晶状态变差, Ti+含量减少, 光产额急剧下降．
关键词:
CsI薄膜
,
microstructure
,
scintillation properties
王耘波
,
郭冬云
,
于军
,
曹国辉
,
魏龙
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.008
本文对不同Ca含量的La1-xCaxMnO3一系列样品(其中0.05≤x≤0.8)在室温下进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱的测量,结果表明:对应于出现巨磁阻效应的Ca成分范围(0.3≤x≤0.5),正电子的平均寿命τm和多普勒谱S参数随Ca含量的增加而降低,说明在这一成分范围电子局域化程度增强.具有CMR效应的样品La0.7Ca0.3MnO3正电子参数在Tc附近出现与晶格结构不稳定有关的反常变化, 反映出电子结构与CMR效应间的关联.
关键词:
李东
,
王耘波
,
于军
,
王宝义
,
魏龙
功能材料
本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望.
关键词:
稀磁半导体
,
居里温度
,
自旋-自旋交换
,
分子束外延法
