孙华军
,
侯立松
,
吴谊群
,
魏劲松
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01111
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化, 当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(107~103Ω/□)的突变; 对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试, 结果表明, 随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数, 在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有: n非晶态>n中间态>n晶态, k晶态>k中间态>k非晶态, α晶态>α中间态>α非晶态, 结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.
关键词:
Ge2Sb2Te5薄膜
,
laser-irradiation
,
electrical/optical properties
,
optical constants
,
phase change
崔学军
,
王荣
,
魏劲松
,
白成波
,
林修洲
中国腐蚀与防护学报
doi:10.11902/1005.4537.2013.233
在含有丙三醇的硅酸盐体系中,通过微弧氧化法在AZ31B镁合金表面获得了细致均匀微孔的氧化膜.以SEM、电化学工作站和测厚仪为表征手段,利用单因素法分别考察了恒压模式下电压、频率、占空比对氧化膜结构、耐蚀性及厚度的影响.结果表明:随电压的增加,氧化膜的表面微孔尺寸和厚度均增大,但膜层耐蚀性能先增加后降低;随频率的增加,膜表面微孔尺寸减小,耐蚀性能增大,但频率改变对膜层的厚度影响较小;当占空比>45%时,膜层的表面微孔尺寸及厚度有增大趋势,膜层表面出现击穿破坏而导致耐蚀性能降低.优化的电参数为:电压230.~260V,频率300~500 Hz,占空比30%~45%.
关键词:
镁合金
,
微弧氧化
,
电参数
,
耐蚀性
魏劲松
,
谷臣清
钢铁研究学报
对30SiMnCrMoV钢采用不同的预应变淬火处理,得到了残余奥氏体含量及其分布与马氏体板条尺寸的关系,并采用近年发展起来的D形核理论及不变面应变的稀释原理进行了分析.结果表明,30SiMnCrMoV钢预应变淬火处理后残余奥氏体含量及其分布与马氏体板条尺寸的关系符合D形核理论和不变面应变稀释原理.
关键词:
应变
,
D形核理论
,
不变面应变
,
马氏体相变
孙华军
,
侯立松
,
吴谊群
,
魏劲松
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.005
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Tes非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(107~103Ω/口)的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数,在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有: n非晶态>n中间态,k晶态>k中间态>k非晶态,α晶态>α中间态>α非晶态,结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.
关键词:
Ge2Sb2Te5薄膜
,
激光辐照
,
电/光性质
,
光学常数
,
相转变
崔学军
,
魏劲松
,
宁闯明
,
金永中
,
林修洲
中国表面工程
doi:10.11933/j.issn.1007-9289.20160917001
为了提高镁合金的装饰性及耐腐抗磨性能,采用微弧氧化(MAO)和多弧离子镀技术制备了MAO/TiN复合涂层.利用SEM、XRD、纳米压痕仪及电化学工作站等考察氮气(N2)流量对涂层结构及性能的影响.结果表明:随着N2流量的增加,TiN涂层的颜色由淡黄色到金黄色再到红黄色变化,涂层表面的熔滴粒子数量增多,大尺寸颗粒数量减少,膜层更致密;涂层硬度和耐腐抗磨性能先增大后降低;当N2流量为130 mL/min时,涂层表现出较高的硬度(13.6 GPa)、较低的磨损量(0.8 mg)和自腐蚀电流密度(约1.6 μA/cm2).N2流量通过控制涂层中N/Ti原子的比例决定了涂层的颜色、微结构、物相组成及性能,涂层内部的孔隙、微裂纹等结构缺陷是导致涂层耐腐抗磨性能较差的关键因素.
关键词:
镁合金
,
微弧氧化
,
多弧离子镀
,
氮化钛
,
装饰涂层
魏劲松
,
阮昊
,
干福熹
无机材料学报
采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓.本文借用气-液体系中过饱和度分析液滴形成的原理,从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理,结果表明,当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核;当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于过饱和状态时,此时的Ge2Sb2Te5为亚稳态,可能形成大小不等的晶核,但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒.而应力降低晶化能垒,增加非晶态Ge2Sb2Te5的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因,并据此解释了Ge2Sb2Te5薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律.
关键词:
Ge2Sb2Te5
,
thin films
,
crystallization
,
pulsed laser
,
super-saturation degree