高景霞
,
王二萍
,
李慧
,
张金平
,
晏伯武
,
张洋洋
硅酸盐通报
微波介质陶瓷是现代通信技术快速发展的关键材料.按照应用领域的不同,介绍了几种典型的微波介质陶瓷,详细探讨了各种体系下微波介质陶瓷烧结性能的特点,并指明了今后微波介质陶瓷的发展方向.
关键词:
微波介质陶瓷
,
体系
,
介电性能
陈昌平
,
杨会智
,
高景霞
,
胡行
,
孙洪巍
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2007.06.009
在以α-Al2O3为原料的刚玉陶瓷配料中,分别添加0、0.15%、0.30%、0.45%、0.60% 的TiO2和0、0.5%、1.0%、2.0%、4.0%的CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃,共组合出25组试验配方,以150 MPa压力干压成型为45 mm×5 mm×4 mm的试样,烘干后以5 ℃·min-1的升温速率升至1 550 ℃保温2 h烧成,然后检测烧后试样的相对密度、常温抗折强度和断裂韧性,并用扫描电镜观察烧后试样的显微结构.结果表明:引入TiO2能显著提高刚玉陶瓷的烧结致密化速率,但是引起晶粒的异向生长和异常长大,并使其断裂方式以沿晶断裂为主,试样力学性能也普遍较低;引入少量的CaO-Al2O3-SiO2易引起样品反致密化,只有CaO-Al2O3-SiO2的引入量大于1.3%才能有效地促进刚玉陶瓷的烧结,并抑制由0.6%的TiO2引起的严重的晶粒异向生长和异常长大,使材料的断裂方式向穿晶断裂转变,并使其力学性能逐渐回升.
关键词:
TiO2
,
CaO-Al2O3-SiO2玻璃
,
刚玉陶瓷
,
显微结构
,
力学性能
李慧
,
高景霞
,
张金平
,
韦亚晓
,
张洋洋
硅酸盐通报
以勃姆石为原料,通过溶胶凝胶工艺制备微晶氧化铝磨料.研究了球磨时间、胶溶液pH值、干燥工艺及烧结工艺对微晶氧化铝磨料微观结构和力学性能的影响,得到合适的制备工艺参数.采用优化的制备工艺参数,可以得到晶粒尺寸大约为200 nm且粒度分布均匀的微晶氧化铝磨料,其单颗粒(425～550 μm)抗压强度达到8.0 kg、堆积密度达到1.9516 g/mL.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
微晶氧化铝
,
单颗粒抗压强度
,
微观结构
高景霞
,
陈昌平
,
黄淼淼
,
孙洪巍
,
胡行
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.03.039
研究了单独引入TiO2、CAS(CaO-Al2O3-SiO2)及协同引入TiO2和CAS时 3 种情形对氧化铝材料显微结构影响.实验表明,单独引入TiO2时,随添加量从0.15%(质量分数,下同)增加到0.60%,Al2O3样品的晶粒形貌由正常生长逐渐向异向生长和异常长大转变;而单独引入CAS,即使添加量达到2.0%,Al2O3晶粒也没有出现异向生长和异常长大;实验还表明,在添加TiO2,同时引入CAS时,可以有效抑制TiO2添加所引起的Al2O3晶粒异常长大和异向生长.对 CAS 添加剂抑制晶粒异常长大和异向生长的原因进行了讨论.
关键词:
氧化铝
,
添加剂
,
显微结构
,
晶粒异向生长
李慧
,
孙彩霞
,
王博
,
陈贺
,
高景霞
,
张洋洋
硅酸盐通报
用传统的固相无压烧结法制备了Li0.02(Na0.52K0.48)0.98Nb0.8T0.2O3-xAg2O(0≤x≤0.1)无铅压电陶瓷,研究了Ag2O掺杂对陶瓷电性能的影响.研究发现,适当掺杂Ag2O能显著提高陶瓷的电性能,在1090℃的烧结温度下,当掺杂量为0.06时,陶瓷的压电性能最佳,d33、Kp、εr、Pr均达到最大(d33=229 pC/N,Kp=55.2％,εr=802,Pr=23 μC/cm2),矫顽场降到最低(Ec=12 kV/cm),应变达到2.0％.但Ag2O的添加使陶瓷的机械品质因数Qm由139.7降到了58.8,使介电损耗tanδ由1.38％增加到了2.7％.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
压电性能
,
(KNa)NbO3
,
Ag2O
,
掺杂量
孙彩霞
,
高景霞
,
张金平
,
王二萍
,
张洋洋
硅酸盐通报
采用固相反应制备了（1－x）Ba3（VO4）2-xLi2MoO4微波介质陶瓷，研究了掺入不同质量比的Li2MoO4对Ba3（VO4）2的微观结构和微波介质性能影响，X线衍射（XRD）测试结果表明，Ba3（VO4）2和Li2MoO4二者兼容性良好，无第二相产生。添加具有低熔点及相反（负）频率温度系数的Li2 MoO4能有效降低Ba3（ VO4）2的烧结温度，并随着添加剂Li2 MoO4的增加，此复合陶瓷的相对体密度、介电常数εr 和品质因数Q ×f呈现出先增加随后又降低的趋势，而谐振频率里面温度系数τf逐渐降低。当烧结温度为660℃且添加量30wt％Li2 MoO4的复合微波介质陶瓷获得了最佳的微波介电性能：εr ＝11．99， Q ×f＝39700 GHz，τf ＝－24 ppm／℃。
关键词:
低温烧结
,
Ba3(VO4)2
,
Li2MoO4
,
微波介质陶瓷
蔡艳艳
,
李慧
,
高景霞
,
张金平
,
张洋洋
人工晶体学报
结合目前国内外对无铅压电薄膜的研究状况,重点综述了KNN基、BNT基及BZT-BCT系列无铅压电薄膜的研究进展,指出各个系列的无铅压电薄膜所取得的进步,也指出当前无铅压电薄膜所面临的挑战.
关键词:
无铅压电薄膜
,
铌酸钠钾
,
钛酸钡
,
钛酸铋钠
张金平
,
蔡艳艳
,
王二萍
,
高景霞
,
李慧
,
李亚林
人工晶体学报
采用传统固相反应法制备了0.97K05Na0.5NbO3-0.03Bi0.5Na0.5ZrO3+xmo1％ CuO (0.97KNN-0.03BNZ+xCu)无铅压电陶瓷.研究不同CuO掺量(x=0、0.5、1、2、3和4)对0.97KNN-0.03BNZ陶瓷的显微结构和电学性能的影响.结果表明:CuO的掺入使材料出现“硬化”现象,机械品质因数Qm有明显提高,矫顽场显著增大.CuO的掺入量在3％时,样品的综合性能最佳:压电常数(d33)为137 pC/N,机电耦合系数(kp)为0.30,机械品质因数(Qm)为238,介电损耗(tanδ)为1.5％.另外,从SEM图片中可以看出:0.97KNN-0.03BNZ压电陶瓷材料的平均晶粒尺寸随着CuO掺入量的增加明显增大,这表明CuO有烧结助熔作用,能降低烧成温度.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
CuO掺杂
,
压电性能
