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AgGaS2单晶生长与完整性研究

朱兴华 , 赵北君 , 朱世富 , 于丰亮 , 邵双运 , 宋芳 , 高德友 , 蔡力

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.01.009

采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2多晶，计算出晶格常数a＝5.7535nm,c＝10.3008nm，以及S原子位置x＝0.279，与PDF值相差很小，表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径15mm长度30mm的单晶体，经外形观测、解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。

关键词: AgGaS2 , 多晶合成 , 单晶生长 , 二温区气相输运温度振荡方法 , 改进Bridgman法 , 结晶完整

CdZnTe晶体的缺陷能级分析

韦永林 , 朱世富 , 赵北君 , 王瑞林 , 高德友 , 魏昭荣 , 李含东 , 唐世红

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.014

通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV.由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器.另外还研究了CZT晶体在室温下的I-V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω*cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am 59.5keV能谱.

关键词: CZT单晶体 , I-T特性曲线 , 激活能 , 探测器 , 缺陷能级

CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

张冬敏 , 朱世富 , 赵北君 , 高德友 , 陈俊 , 唐世红 , 方军 , 程曦

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.010

报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响.结果发现:用NH4F/H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min,晶片表面形成一层完整的高阻氧化层,表面漏电流最小、晶体电阻率提高1～2个数量级,达到109～10Ω·cm,适合探测器的制备.

关键词: 碲锌镉晶片 , 表面处理 , 漏电流 , 电阻率 , 形貌

碲锌镉单晶体的正电子寿命研究

唐世红 , 赵北君 , 朱世富 , 王瑞林 , 高德友 , 陈俊 , 张冬敏 , 何知宇 , 方军 , 洪果

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.023

用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.

关键词: 碲锌镉 , 正电子湮没技术 , 寿命 , 退火

CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察

陈俊 , 朱世富 , 赵北君 , 高德友 , 魏昭荣 , 李含冬 , 韦永林 , 唐世红

功能材料

利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104～105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.

关键词: 晶体生长 , 蚀坑密度 , 布里奇曼法 , 晶体定向

碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察

高德友 , 赵北君 , 朱世富 , 王瑞林 , 魏昭荣 , 李含冬 , 韦永林 , 唐世红

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.012

本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察.结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级.这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体.

关键词: 碲锌镉 , 单晶体 , 蚀坑观察 , SEM形貌

碲锌镉单晶片的退火方法

高德友 , 赵北君 , 朱世富 , 唐世红 , 何知宇 , 张冬敏 , 方军 , 程曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.003

探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究.利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善.XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的cd组分含量有一定增加.采用该方法退火后,晶体品质有一定提高.

关键词: 碲锌镉单晶片 , 退火 , 电阻率 , XRD , 红外透射谱

室温半导体核辐射探测器新材料及其器件研究

朱世富 , 赵北君 , 王瑞林 , 高德友 , 韦永林

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.002

本文论述了室温半导体核辐射探测器新材料及其探测器的研究发展过程和最新动态,分别介绍了几种主要室温半导体核辐射探测器新材料晶体的组成、结构、性能及其探测器的制备技术,主要应用情况.结果表明:HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料,用其制作的探测器,可在室温下广泛用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域.因此,近年来对大尺寸高质量HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体及其室温核辐射探测器的研究,已成为高技术新材料领域的前沿研究课题.

关键词: 半导体新材料 , 室温核辐射探测器 , 制备技术 , 性能 , 应用

德马克连铸机系统改造

姜振强 , 郭广文 , 陈树林

连铸 doi:10.3969/j.issn.1005-4006.2003.05.005

对德马克连铸机存在的问题进行分析,并针对存在问题进行技术改造,收到较好的效果,使铸坯质量和产量得到明显的提高.

关键词:

胆甾相液晶盒贝纳德效应实验

杨磊 , 刘洋 , 郑永磊 , 高攀 , 范志新

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20122703.0288

介绍了贝纳德效应,胆甾相液晶织构等概念,实验制备出胆甾相液晶平面态样品,用偏光显微镜观察温度场致织构变化,观察到液晶盒在清亮点温度附近出现特殊花纹图案,类似于贝纳德效应或者是温度场致方格栅效应.实验现象说明了温度场使液晶分子产生对流,在偏光显微镜下观察双折射干涉,指向矢分布有周期性变化,形成了微观的贝纳德花纹.实验现象对于胆甾相液晶基础研究具有一定意义.

关键词: 胆甾相液晶 , 平面织构 , 方格栅效应 , 贝纳德效应 , 偏光显微镜

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