材料期刊网

二次生长法在多孔载体上制备X型分子筛膜

许中强 , 卢冠忠 , 陈庆龄 , 马忆华

催化学报

采用在多孔载体上预涂分子筛晶种及合成分子筛的前驱态溶胶液,再进行水热晶化合成X型分子筛膜.预涂液为0.2%～0.5%的中性悬浮水溶液,预负载晶种的载体二次生长的条件是在95℃下水热处理24～96 h.通过晶化操作3～4次后,多孔载体上负载生长的分子筛膜厚为10～25 μm.采用二次生长成膜法,减少晶化次数,从而缩短了成膜时间.在三次晶化操作后,分子筛膜对He和N2的渗透通量下降为载体渗透通量的1%以下,纯(C4H9)3N和(C4F9)3N的渗透通量之比可达21(350℃);而四次晶化后,渗透侧已检测不出(C4F9)3N存在.

关键词: 陶瓷载体 , 二次生长法 , X型分子筛 , 分子筛膜 , 制备 , 表征

忆阻器材料的研究进展

曲翔 , 徐文婷 , 肖清华 , 刘斌 , 闫志瑞 , 周旗钢

材料导报

忆阻器( RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗.简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型；综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等；阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题.

关键词: 忆阻器 , 薄膜材料 , 阻变机制 , 电激励

基于忆阻器的五阶MCK混沌电路研究

欧青立 , 徐林波 , 郭子叶 , 李娅

连铸 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.01.008

采用忆阻器替换分段线性电阻的方法,在Matsumoto,Chua和Kobayashi (MCK)提出的四阶混沌电路基础上,设计了一个含有忆阻器的五阶对称混沌电路,建立了五阶忆阻混沌电路的数学模型.采用常规动力学分析方法,分析了五阶忆阻混沌电路的平衡点集及其稳定性、Lyapunov指数.采用常规元器件,构建了五阶忆阻混沌电路的仿真模型,并进行了电路仿真实验.理论分析和仿真实验结果表明,设计的五阶忆阻混沌电路具有丰富的混沌行为,丰富了忆阻混沌电路的设计与应用.

关键词: 非线性光学 , 五阶忆阻混沌 , 动力学分析 , 忆阻器 , 混沌电路

石墨烯衍生材料在忆阻器中的应用

康越 , 楚增勇 , 张东玖 , 张朝阳

材料导报

基于目前石墨烯在忆阻器中应用的最新研究进展,从石墨烯类忆阻器的基本结构出发,评述了石墨、氧化石墨烯、石墨烯在忆阻器中的应用方式,分析了石墨烯类阻变材料的阻变特性、阻变机理及界面势垒调节和电荷陷阱充放电两种模型,最后介绍了目前石墨烯衍生忆阻装置亟待解决的问题和发展方向.

关键词: 石墨烯 , 氧化石墨烯 , 忆阻器

时变耦合下忆阻电路的同步

宋欣林 , 王春妮 , 李文超 , 马军

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.06.013

基于Lyapunov稳定理论,研究了一类三阶忆阻器混沌电路系统在单向线性耦合下实现同步的可靠性问题.在临界值上选择恒定的控制器增益则容易实现两个混沌系统的同步;控制器增益时变下,一定强度范围内也可以实现同步.进一步通过数值方法计算了耦合增益对控制器平均功耗和达到同步暂态时间的影响.

关键词: 混沌 , 忆阻器 , Lyapunov稳定理论 , 通信 , 同步

忆阻器在神经突触仿生中的应用研究进展?

张超超 , 尚杰 , 郝健 , 张文斌 , 冀正辉 , 刘钢 , 李润伟

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.015.014

随着对计算机性能要求的不断提高，人们一直在寻找能像人脑一样具有学习记忆功能的新型计算机。自从2008年惠普实验室发现忆阻器以后，发展具有人脑水平的智能计算机成为可能。众所周知，突触是大脑神经网络的基本单元，突触可塑性是学习和记忆的生物学基础。因此，为了实现具有学习和记忆功能的智能计算机，利用忆阻器模拟突触可塑性至关重要。综述了忆阻器在模拟突触的增强、抑制、短时程可塑性和长时程可塑性方面的研究现状，并对其研究前景进行了展望。

关键词: 忆阻器 , 突触 , 突触可塑性 , 短时程可塑性 , 长时程可塑性

PVP掺杂对PEDOT∶PSS忆阻器学习行为的影响

魏榕山 , 蔡宣敬 , 罗文强 , 邓宁

人工晶体学报

采用旋涂法制备了Ag/PEDOT∶ PSS∶ PVP/Ta忆阻器,发现器件能实现电导的连续变化,并且测试了器件的电学基本性能,包括:模拟短时程可塑性(STP)转化长时程可塑性(LTP)与脉冲频率依赖可塑性(SRDP).测试结果表明:由于PVP掺杂降低了有机层电导,使得掺杂PVP忆阻器具有更大的正向电导变化范围,且大大提高了记忆曲线的弛豫时间常数.该器件具有较大的电导变化范围,易于外部电路的识别,且具有很好的一致性,可以用于大规模神经态电路中.

关键词: 忆阻器 , PVP掺杂PEDOT∶ PSS , 弛豫时间常数

第四届“吴仲华奖励基金”评选出获奖者

工程热物理学报

根据《吴仲华奖励基金章程》（吴奖[2008]01号），经各高等院校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所认真评选和推荐，吴仲华奖励基金理事会评审并确定授予青年学者戴巍、罗坤、唐桂华“吴仲华优秀青年学者奖”，授予程雪涛等10位同学“吴仲华优秀学生奖”。

关键词: 基金 , 奖励 , 评选 , 获奖者 , 中国科学院 , 青年学者 , 物理研究所 , 高等院校

第五届“吴仲华奖励基金”评选出获奖者

工程热物理学报

根据《吴仲华奖励基金章程》（吴奖[2010]01号），经各高校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所遴选和推荐，以及吴仲华奖励基金理事会评审，决定授子钟文琪、张鹏、张明明、徐纲4位青年学者“吴仲华优秀青年学者奖”，授予顾超等13位同学“吴仲华优秀学生奖”。

关键词: 基金 , 奖励 , 获奖者 , 中国科学院 , 评选 , 青年学者 , 物理研究所 , 物理学会

基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件

潘若冰 , 胡丽娟 , 曹鸿涛 , 竺立强 , 李俊 , 李康 , 梁凌燕 , 张洪亮 , 高俊华 , 诸葛飞

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.013

本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能.ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为.在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则.ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人.

关键词: 忆阻器 , 神经突触器件 , 人工神经网络 , ZnO