方雪
,
苏桂明
,
姜海健
,
陈明月
,
马宇良
,
姚立明
,
张晓臣
,
张伟君
高分子材料科学与工程
通过对5组相同结构不同相对分子质量的由二氨基二苯醚(ODA)和均苯四甲酸二酐(PMDA)在N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)体系中聚合而成的均苯型聚酰胺酸——PAA(ODA/PMDA),进行凝胶渗透色谱和特性黏度[η]的测定实验,测定了5组PAA(ODA/PMDA)的Mn和-Mw,并计算其相对分子质量分布:d1 =2.18,d2 =2.37,d3=1.97,d4=2.33,d5=2.42;室温下测定了PAA(ODA/PMDA)在DMAc中的Mark-Houwink方程参数,从而得到DMAc体系均苯型PAA(ODA/PMDA)的Mark-Houwink方程参数K1 =2.34× 10-5,α1=0.6867,K2=1.98×10-7,α2 =0.9691.
关键词:
凝胶渗透色谱
,
聚酰胺酸
,
Mark-Houwink方程参数
苏桂明
,
方雪
,
姜海健
,
马宇良
,
张伟君
,
张晓臣
绝缘材料
采用凝胶渗透色谱(GPC)法测定了二苯酮四酸二酐与二氨基二苯醚合成的聚酰胺酸的分子量,计算其分子量分布,绘制了两条不同的标准曲线,比较其对聚酰胺酸分子量大小的影响.通过热重分析方法测试了由不同分子量聚酰胺酸合成的聚酰亚胺薄膜的热稳定性.结果表明:聚合物分子量不会随着标准曲线选取样品分子量的不同而出现较大的差异,分子量均处于相同数量级范围内;在合适范围内,标准曲线的选取不会影响聚合物分子量的测量;由相对分子量大的聚酰胺酸合成的薄膜热失重温度较高,耐热性能较好.
关键词:
凝胶渗透色谱(GPC)
,
聚酰胺酸
,
分子量
,
热稳定性
徐延冰
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.01.002
将具有负宇称的 fp 空间扩大到包含1g9/2 轨道, 采用修正的表面相互作用(MSDI), 对64Ge, 66Ge, 68Ge, 70Se, 72Se, 74Se, 76Kr 和 78Kr等偶偶核作了形变Hartree-Fock计算, 得到了基态和一些激发态的解. 同时, 还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法对偶偶核64Ge, 74Se和奇A核79Kr进行了能谱计算, 得到其正、负宇称带的解, 计算结果与实验谱基本一致.
关键词:
形变Hartree-Fock态
,
角动量投影
,
单粒子能谱
,
反常宇称态
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
曹喜营
,
张三华
,
石会营
,
王金相
,
洪彦若
,
李再耕
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2009.06.015
采用特级矾土、黏土为主要原料,液体磷酸盐做结合剂,制备了6种满足不同施工方式的w(Al2O3)>70%的高铝可塑料,并采用马夏值测定仪测定了可塑料的可塑性.结果表明:马夏值测定法可以用于耐火可塑料的可塑性测定,而且其检测范围更宽,可测定采用橡皮锤人工捣打或风镐机械捣打等不同施工方式的可塑料的可塑性.橡皮锤人工捣打可塑料的马夏值范围为1.36~3.74 MPa,风镐机械捣打可塑料的马夏值范围为7.1~22 MPa.
关键词:
耐火可塑料
,
马夏值
,
可塑性
,
施工方法
冉峰
,
柳玉迪
,
季渊
,
黄海浪
,
黄舒平
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122704.0472
传统的平板显示灰度扫描方法存在扫描效率不高的问题,分形扫描方法作为一种全新的平板显示扫描方法有效解决了这一问题,扫描效率达到100%,为平板显示尺寸提升和高灰度级显示提供了一种解决方法.文章设计实现了带伽马校正的分形扫描显示控制系统,该设计从平板显示特性和人眼视觉特性两方面人手讨论伽马校正过程,通过查找表的方式实现伽马校正功能,最后通过1280×1024分辨率平板显示器中的一个32×32像素子阵列作为显示窗口对文中提出的方法进行验证.理论和实验结果表明文中提出的校正方法可使平板显示效果更佳.
关键词:
平板显示
,
分形扫描
,
伽马校正
,
灰度
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率