鲁彦忠
,
孙爱民
,
刘恒伟
,
马耀通
,
马金元
,
艾小倩
,
张永福
,
孙丽娜
,
赵懂叶
,
马书懿
低温物理学报
本文采用固相反应法成功制备出一系列Y123与Y211的摩尔比为1：x（x=0、0．14、0．27、0．3、0．35、0．4、0．45、0．47、0．5、0．8、1．18）的样品．实验结果表明：在0．35≤x≤0．5范围内，Y123的起始转变温度Tonset临界转变温度Tc以及转变宽度△Tc都在x=0．47出现了拐点，这说明了x=0．47为最佳掺杂比例，本文同时也简单阐述了Y123的晶格结构是如何改变其超导电性的．
关键词:
高温超导材料
,
掺杂
,
超导电性
张小雷
,
马书懿
,
杨付超
,
黄新丽
,
马李刚
,
李发明
,
赵强
,
刘静
,
靳钰珉
功能材料
采用射频磁控溅射法在Si衬底和玻璃衬底上制备了ZnO/Ti薄膜,利用紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等技术表征了ZnO/Ti薄膜的光学特性,研究了Ti缓冲层的厚度对ZnO薄膜的影响。透射吸收光谱显示所有ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80%,当引入缓冲层后,薄膜的紫外吸收边先向长波方向移动,且随着缓冲层厚度的增加紫外吸收边向短波方向移动。薄膜的荧光光谱显示,所有样品出现了位于390nm的紫外发光峰,435和487nm的蓝光双峰以及525nm的绿光峰,并对各发光峰的来源进行了探讨。
关键词:
Ti缓冲层
,
紫外-可见光吸收光谱
,
荧光光谱
,
ZnO薄膜
,
磁控溅射
贾迎飞
,
马书懿
,
陈海霞
,
陶亚明
,
侯丽莉
,
孟军霞
,
尚小荣
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有高c轴择优取向的不同Zn缓冲层厚度的ZnO(ZnO/Zn)薄膜.利用X射线衍射(XRD)法、扫描电子显微镜(SEM)技术和光致荧光(PL)发光谱(PL)等表征了ZnO/Zn薄膜的微观结构和发光特性.XRD的分析结果显示,随着缓冲层厚度的增加,(002)衍射峰的半高宽(FWHM)逐渐变小,表明薄膜的结晶质量得到改善.通过对样品 PL 谱的研究,发现分别位于435(2.85eV)和480nm(2.55eV)的蓝光双峰以及530nm(2.34eV)的绿光峰,且缓冲层沉积时间为10min时,样品的单色性最好.推测位于435nm的蓝光发射主要来源于电子从锌填隙缺陷能级到价带顶的跃迁所致,而绿光峰的发光机制与氧空位有关.
关键词:
ZnO薄膜
,
缓冲层
,
磁控溅射
,
光致发光
侯丽莉
,
马书懿
,
陈海霞
,
孟军霞
,
贾迎飞
,
陶亚明
,
尚小荣
人工晶体学报
用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以SnO2、SiO2和Al2O3为缓冲层制备ZnO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计对薄膜的结构和光学性能进行了表征.XRD和SEM的分析结果表明,在SiO2和Al2O3缓冲层上生长的ZnO薄膜具有较好的c轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所有样品在可见光范围内的平均透过率超过70%;通过对薄膜光致发光谱的分析,认为422 nm左右的紫峰来自于电子从晶粒边界的界面缺陷能级到价带的辐射跃迁;PL谱中蓝光和绿光的发光机制与薄膜中的本征缺陷有关.
关键词:
ZnO薄膜
,
缓冲层
,
晶体结构
,
光致发光
朱婧
,
马书懿
,
李发明
,
麻琳
,
杨晓红
,
王彩云
,
李向兵
人工晶体学报
采用射频磁控溅射方法在Si衬底上制备了不同掺杂量的La掺杂ZnO(ZnO∶La)薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和光致荧光发光(PL)等表征技术,研究了不同掺杂量对ZnO∶ La薄膜的微观结构和光学特性的影响.结果表明,所有薄膜均只出现的(002)衍射峰,表明La3+可以替代ZB2或者进入ZnO晶格间隙,并未改变ZnO的六角纤锌矿结构.通过计算可知La掺杂可以抑制ZnO的晶粒增长.可见光范围的透过率超过80％,同时随着La掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值逐渐增大.通过对光致发光谱的研究表明,La掺杂可以增强ZnO薄膜室温下的紫外光发光强度.
关键词:
ZnO∶ La薄膜
,
微观结构
,
光学带隙
,
磁控溅射
孟军霞
,
马书懿
,
陈海霞
,
陶亚明
,
侯丽莉
,
贾迎飞
,
尚小荣
功能材料
采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备出不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响.结果显示,随着Al掺杂量的增加,薄膜的(002)衍射峰先增强后减弱,同时出现了(100)、(101)和(110)衍射峰,表明我们制备的AZO薄膜为多晶纤锌矿结构,适量的Al掺杂可提高ZnO薄膜的结晶质量,然而AZO薄膜的表面平整、晶粒致密均匀.薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过90%,同时随着Al掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值先增大,后减小.这与采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作出相应的理论计算所得结果的变化趋势完全一致.
关键词:
磁控溅射法
,
AZO薄膜
,
结构特性
,
光学特性
,
量子限域
陶亚明
,
马书懿
,
陈海霞
,
孟军霞
,
侯丽莉
,
贾迎飞
,
尚小荣
功能材料
采用射频磁控溅射方法在玻璃和硅(100)衬底上制备了不同氧分压的Cu掺杂ZnO(ZnO:Cu)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致荧光发光(PL)等表征技术,研究了衬底和氧分压对ZnO:Cu薄膜的结晶性能和光学特性的影响.结果显示薄膜沉积在Si衬底上比玻璃衬底上有更好c轴择优取向,两种衬底上沉积的薄膜有相同的氧分压结晶规律,且在氧氩比为10:10时,薄膜c轴取向同时达到最好.通过对光致发光的研究表明,在低氧环境时玻璃衬底较容易制得好的发光薄膜,可在富氧环境时Si衬底上制得的薄膜发光性能较好.
关键词:
ZnO:Cu薄膜
,
磁控溅射
,
衬底
,
氧分压
,
光学特性
张国恒
,
马书懿
,
陈彦
,
张汉谋
,
徐小丽
,
魏晋军
,
孙小菁
功能材料
采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大.利用位形坐标模型对C镶嵌SiO2薄膜的电致发光谱进行了分析,结果表明该结构的电致发光谱存在1.8和2.0eV左右的两个发光中心,分别来自SiO2层的非桥氧空位和纳米C团簇.
关键词:
磁控溅射
,
纳米碳粒
,
电致发光
,
位形坐标
陈彦
,
马书懿
功能材料
用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/pSi结构的电致发光.利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究表明锗/氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心.
关键词:
锗/氧化硅纳米多层膜
,
电致发光
,
位形坐标
,
量子限制
,
发光中心
孙小菁
,
马书懿
,
张汉谋
,
徐小丽
,
魏晋军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.045
用电化学方法对多孔硅薄膜进行了镁离子的化学掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,发现镁掺杂增强了多孔硅的蓝光发射,当镁离子浓度增大到0.002mol/L时,可使蓝光强度达到多孔硅红光强度的一半.红外吸收谱表明,掺镁多孔硅的表面形成较完整的Si-O-Si网络结构,分析结果认为,多孔硅的蓝光光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅SiOx层中的发光中心上,对实验结果进行了合理的解释.
关键词:
多孔硅
,
镁离子掺杂
,
电化学
,
光致发光
,
红外吸收
