赵启涛
,
侯立松
,
黄瑞安
,
顾四朋
无机材料学报
以硝酸镉与硫代乙酰胺为起始物,采用DMF为溶剂,在低温(～50℃)下通过软化学法合成了CdS纳米棒,其直径为7～20nm,长度达500nm.通过XRD、TEM、SAED以及EDS对纳米棒的结构和成分进行了表征;通过引入乙酰丙酮(AcAc)控制钛酸丁酯水解,形成的溶胶中分子间网络孔道为CdS纳米棒提供了有效的生长模板.
关键词:
CdS纳米棒
,
sol templates
,
controlled growth
顾四朋
,
侯立松
无机材料学报
用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度,并计算了材料的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.根据结晶动力学结晶活化能E判据得出结论为:与Ge-Sb-Te相比,掺杂氧后的Ge-Sb-Te更容易析晶,具有更快的结晶速率.
关键词:
Ge-Sb-Te相变薄膜
,
oxygen-doping
,
XRD
,
DSC
,
crystallization kinetics
顾四朋
,
侯立松
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.029
用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度,并计算了材料的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.根据结晶动力学结晶活化能E判据得出结论为:与Ge-Sb-Te相比,掺杂氧后的Ge-Sb-Te更容易析晶,具有更快的结晶速率.
关键词:
Ge-Sb-Te相变薄膜
,
氧掺杂
,
XRD
,
DSC
,
结晶动力学
赵启涛
,
侯立松
,
黄瑞安
,
顾四朋
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.005
以硝酸镉与硫代乙酰胺为起始物,采用DMF为溶剂,在低温(～50°C)下通过软化学法合成了CdS纳米棒,其直径为7～20nm,长度达500nm.通过XRD、TEM、SAED以及EDS对纳米棒的结构和成分进行了表征;通过引入乙酰丙酮(AcAc)控制钛酸丁酯水解,形成的溶胶中分子间网络孔道为CdS纳米棒提供了有效的生长模板.
关键词:
CdS纳米棒
,
溶胶模板
,
控制生长
顾四朋
,
侯立松
,
赵启涛
材料研究学报
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响. 薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变, 并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能. 根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
关键词:
无机非金属材料
,
Ge2Sb2Te5
,
Sn-doping
,
thermal phase-change
顾四朋
,
侯立松
,
赵启涛
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.02.013
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
关键词:
无机非金属材料
,
Ge2Sb2Te5
,
Sn掺杂
,
热致相变
,
结晶活化能
刘家泳
,
汪尧
,
戈晓
,
张丽敏
,
张冬梅
,
刘学志
物理测试
四点弯曲试验是ISO 13679标准规定的油井管接头评价试验中的一项.通过对比计算确立了四点弯曲力学模型,并以此为依据设计制造了四点弯曲试验设备,最终利用挠度法及应变片法测量狗腿度验证了力学模型的正确性及设备的合理性,并对比了两种方法的实用性.
关键词:
四点弯曲
,
狗腿度
,
挠度
,
应变
