李超
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曹传宝
,
吕强
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张家涛
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项顼
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朱鹤孙
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.002
在ITO导电玻璃基底上,采用二氰二胺分散在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中形成的溶液做沉积液,阴极电化学沉积了CNx薄膜.X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶转换红外光谱(FTIR)的分析结果表明,沉积的CNx薄膜的N/C比为0.7左右,碳和氮主要以C-N、C=N的形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键.拉曼光谱测试发现其存在多个吸收峰,对其进行分析的结果表明薄膜样品中含有α-C3N4和β-C3N4相的成分.电阻率测试表明,氮化碳薄膜的电阻率值达到1012～1013Ω·cm.
关键词:
氮化碳
,
电化学沉积
,
电阻率
项顼
,
曹传宝
材料导报
碳纳米管由于具有独特的结构和奇异的物理、化学性质而倍受人们的青睐,并逐渐展示出巨大的应用前景.简要介绍了碳纳米管的结构、性质和应用,并详细评述了单壁碳纳米管制备的新进展.
关键词:
单壁碳纳米管
,
制备方法
,
纯化
,
应用
李超
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曹传宝
,
吕强
,
张家涛
,
项顼
,
朱鹤孙
功能材料
首次采用二氰二胺的N,N二甲基甲酰胺(DMF)溶液做沉积液,用Si(100)和ITO导电玻璃做基底,在阴极上电化学沉积了CNx薄膜.X射线衍射(XRD)花样说明沉积的CNx薄膜为非晶结构.X射线光电子能谱(XPS)、傅立叶转换红外光谱(FTIR)分析结果表明CNx样品薄膜的N/C比为0.7左右,碳和氮主要以C-N、C=N的形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键.电阻率测试显示,样品具有较高的电阻率,Si(100)和ITO导电玻璃基底上氮化碳薄膜的电阻率值范围分别为1011～1012Ω*cm和1012～1013Ω*cm.用Si(100)、ITO导电玻璃两种衬底,CNx薄膜的沉积速率、N含量和电阻率不同,说明衬底的选择对沉积过程和沉积膜的性能有重要影响.
关键词:
电化学沉积
,
氮化碳
,
CNx薄膜
,
电阻率
李超
,
曹传宝
,
朱鹤孙
,
吕强
,
张加涛
,
项顼
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.015
用1:1.5的三聚氯氰和三聚氰胺的饱和乙腈溶液为沉积液,在Si(100)衬底上室温常压下电化学沉积了CNx薄膜.用X射线光电子能谱(XPS)、傅立叶转换红外光谱(FTIR)、X射线衍射图谱(XRD)对沉积的CNx薄膜进行了测试和分析.XRD的衍射峰的结构数据与文献计算的类石墨相氮化碳的结构数据较为吻合.XPS结果表明沉积的薄膜中主要元素为C、N,且N/C=0.81,C1s和N1s的结合能谱中287.84eV的碳和400.00eV的氮是样品中碳氮的主体,以C3N3杂环的形式存在.FTIR光谱中在800cm-1、1310cm-1和1610cm-1的吸收峰也表明薄膜中存在C3N3环,和XPS能谱的分析结果一致.Teter和Hemley预言的g-C3N4在结构形式上和三聚氰胺的完美脱胺缩聚物是一样的,红外光谱和X射线光电子能谱表明在样品中存在三嗪环(C3N3),支持XRD的实验结果.这说明CNx薄膜中有类石墨相的C3N4晶体存在.
关键词:
电化学沉积
,
氮化碳
,
CNx薄膜
,
g-C3N4
张东升
,
李增耀
,
陶文铨
,
王秋旺
工程热物理学报
本文简单介绍了利用规正变量定义的各种对流项差分格式,给出了利用有限容积法离散粘性对流-扩散问题时的离散方程,其中的对流项采用高阶格式进行离散.以方腔顶盖驱动及圆管突扩区内层流流动考察了各种格式的计算精度与时效.通过对比分析得出:对于常规区域中的流动,QUICK、中心差分(CD)及SMART三种格式的精度与计算时效是比较合理的.
关键词:
规正变量
,
同位网格
,
精度
,
计算时效
