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五种二元过渡金属氧化物界面上的相互作用、非晶相结构及催化性能(Ⅰ) 界面非晶相分散作用及体相晶相剩余率的提出

王智民 , 李丽 , 基新 ,

无机材料学报

通过固相热反应,以十种不同的配比和不同的焙烧制度,在MoO3中分别掺杂Fe2O3、V2O5、TiO2(锐钛矿型)、WO3和ZrO2,制得五种二元氧化物的系列试样.应用XRD、BET、FT-IR、DSC、半导体气敏特性和催化反应探针等表征技术,较系统地研究了这些组分氧化物形成二元氧化物时界面的非晶相分散结构及催化性能,并提出了相应的亚单层的非晶相分散模型.本文首先报道应用XRD,FT-IR和BET表征界面的非晶相分散.研究结果发现,各个组分氧化物的表面大小不同,但每一对组分氧化物在相互掺杂时,在界面上发生了组分氧化物的亚单分子层(meta-monolayer)的非晶相分散以及某些表面化学反应,前者的非晶相含量具有本征性的分散阈值,后者则生成新的化学物种.根据BET比表面积,求算了各组分氧化物在不同二元氧化物中每100m2的不同的非晶相分散阈值.XRD晶相定量分析和FT-IR差谱法(the differential spectra method)联合证明了非晶相新物种的存在,首次发现非晶相新物种的IR特征吸收峰与分子键价结构的关联.

关键词: 二元过渡金属氧化物界面结构 , non-crystalline phase interface and its dispersed threshold value , bulk crystal residual ratio , characterizations (XRD , BET and FT-IR) , null

,二和三Si基纳米线的制备

胡卫兵 , 史伯安 , 但悠梦 , 谭志斗 , 吴少尉 , 朱艳秋 , 徐文光

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011

在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一、二和三 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一线状和二网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.

关键词: , , , Si基纳米线 , 制备

材料的研究

李燕 , 姜斌 , 邓宏 , 蒋书文 , 周晓燕

材料导报

主要论述了低材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO3/SrTiO3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一ZnO量子线;描述了低材料的发展前景.

关键词: 材料 , 介质超晶格 , 金属超晶格 , ZnO量子线

氮化镓低材料

陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.013

本文综述了本实验室近年来在半导体低材料制备和结构方面的一些进展,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性.

关键词: 氮化镓低材料 , 生长动力学 , 形貌稳定性

基于二方孔光栅的平面三显示

孔令胜 , 王天聪 , 蔡盛 , 钟兴 , 张雷 , 徐开 , 金光 , 乔彦峰 , 贾继强

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.029

狭缝光栅实现平面三显示具有低成本、光栅参数易于改变和无需对焦的优点,但存在遮挡画面影响亮度的缺点;二透镜阵列具有全视差且深度感知自然的优点,但存在显示像素低和观察视角小的缺点.为了同时兼顾上述两种方案的优点,结合一狭缝光栅和二透镜阵列提出了一种基于二方孔光栅的平面立体显示方案.Lighttools软件仿真实验结果表明:基于二方孔光栅的平面三显示原理可行.其像质因子略小于一狭缝光栅的像质因子,但继承了一狭缝光栅和二透镜的优点,是实现平面三显示的一种新的发展方向.

关键词: 平面三显示 , 纵横视差 , 像质因子

结构中的发光特性

张雷 , 洪广言

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.018

具有低结构尤其是一结构的物质往往具有较特殊或更优异的性质.本文研究了具有一结构的发光物质的发光特性与微观结构之间的关系,得到了某些规律,即在一结构中,只有存在相对较短的M-O键才可能引起电荷迁移产生发光;在该化合物中M应为变价元素且低价态具有发光性质;一键上的能量传输往往具有很高的发光猝灭浓度和可能存在发光中间体.

关键词: 结构 , 电荷迁移 , 发光

RIM充模模拟

任世杰 , 戴干策

高分子材料科学与工程

采用混合数值方法对三RIM充模过程进行了数值模拟,即在模腔宽度上采用有限元法,而在厚度方向上采用有限差分方法,对三问题进行求解.采用这种方法,避开了直接求取三有限元所带来的困难.同时采用了任意拉格朗日-欧拉法处理流动前缘.文中对数值结果进行了讨论.

关键词: 反应注射成型 , 充模 , 数值模拟

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