韩树娟
,
王继扬
,
李静
,
郭永解
,
王永政
,
赵兰玲
,
姚淑华
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陈延彬
,
人工晶体学报
采用自发成核方法,以NaCl-Na2CO3为助熔剂,生长了毫米级的NaCo2O4晶体.通过X射线衍射对晶体作了表征.利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了晶体的形貌和生长机理.结果表明:所得晶体是NaCo2O4,属于六方晶系,晶胞参数:a =b =0.2842 nm,c=1.0894 nm,V=0.0761997 nm3.NaCo2O4晶体是沿c轴层状生长的,同时从阴离子配位多面体的角度分析了晶体的形貌.
关键词:
层状化合物
,
晶体生长
,
微观结构
王永政
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李静
,
王继扬
,
韩树娟
,
郭永解
,
赵兰玲
,
张洋
人工晶体学报
采用助熔剂自发成核法,以Li2CO3-2MoO3为助熔剂,生长出了Yb∶ NdPO4晶体.通过X射线粉末衍射和X射线能谱技术对所得的晶体进行了表征.结果表明,少量Yb3+掺入到了NdPO4晶体中,但并未改变NdPO4晶体的晶格结构.比较了Yb∶ NdPO4晶体和NdPO4晶体室温下的透过光谱.测量了室温下晶体的荧光光谱,泵浦光波长为332 nm.结果表明晶体的最强荧光发射峰位于995nm,归属于Yb3+从激发态2F5/2到基态2F7/2的电子跃迁.1059nm的发射峰归属于Nd3+从4 F3/2到4I11/2的电子跃迁.Nd3+的发射峰强度较弱,表明在室温下晶体中主要发生了Nd3+ →Yb3的能量传递.
关键词:
高钕浓度晶体
,
助熔剂法
,
单晶生长
,
光谱
张娜娜
,
韩树娟
,
高文兰
,
张怀金
,
王继扬
人工晶体学报
采用提拉发生长了Ca0.4Ba06Nb2O6晶体,利用偏振拉曼光谱研究了Ca0.4Ba06Nb2O6晶体在低温25 ～260 K 范围内的结构稳定性.实验发现,随温度降低,NbO6六面体的内振动(v5)模的非对称性增加,由Gauss+ Lor Amp 拟合得出的相对低频(v5)模波数和相对高频(v5)模峰宽在70 ～100 K时发生突变,表明该晶体在此温度范围内可能存在相变.同时分别讨论了在x(口zz)x和x(zy)x不同偏振配置下,外振动模的相对强度比随温度的变化趋势,同样发现其在该温度范围内发生明显异常.最后简单讨论了布居因子对拉曼散射强度和实验结果的影响.
关键词:
Ca0.4 Ba0.6Nb2 O6晶体
,
晶体生长
,
提拉法
,
相变
,
拉曼光谱
郭永解
,
李静
,
王继扬
,
尹鑫
,
韩树娟
,
王永政
人工晶体学报
在MoO3-K2CO3体系中,借助于自发成核法,与MoO3-Li2CO3体系进行对照,找到一个新的适合Ga3PO7晶体生长的助熔剂体系;在新助熔剂体系下,采用顶部籽晶法生长出厘米级Ga3PO7晶体,晶体尺寸为30 mm×21 mm×9 mm;对其基本性质进行表征,在测试范围内所生长的Ga3PO7晶体透过率均在80%以上,具有高的透过率和宽的透过范围.
关键词:
Ga3PO7晶体
,
新助熔剂体系
,
顶部籽晶法
韩树娟
,
王继扬
,
李静
,
郭永解
,
王永政
,
赵兰玲
人工晶体学报
研究在用助熔剂法生长BaBiBO4晶体的过程中,熔体分层对晶体生长的影响.以Li2Mo3O10作为助熔剂,采用自发成核和顶部籽晶两种方法来生长晶体.对于这两种方法得到的晶体,用X射线粉末衍射及拉曼光谱进行了表征,结果显示,在晶体生长过程中,由于熔体分层,导致通过自发成核和顶部籽晶分别得到BaMoO4多晶和LiBaB9O15单晶两种不同的物相.
关键词:
晶体生长
,
助熔剂法
,
熔体分层
,
拉曼光谱
李鑫
,
陈晓科
,
彭发东
,
叶刚
,
李化
,
林福昌
,
张钦
绝缘材料
在原有水浴法的基础上，采用高频电压对XLPE电缆进行加速老化试验，对老化后的电缆切片样品进行光学显微镜观察，并对不同老化时间电缆样品中的水树进行了统计分析。结果表明：XLPE电缆在高频电压下老化后，在人为孔洞附近会产生水树缺陷，随着老化时间的增加，水树数目增多，水树平均长度逐渐增加，其中电缆老化250 h后的水树平均长度为857μm。
关键词:
电树
,
水树
,
高频电压
,
加速老化试验
,
生长率
赵雪娥
,
蒋军成
,
王若菌
腐蚀学报（英文）
采用事故树法分析了储罐的腐蚀行为，根据储罐内腐蚀和外腐蚀两种主要类型，建立了储罐腐蚀的事故树.通过对事故树的定性分析，可得到储罐腐蚀的30个最小割集.根据分析结果，采取相应防护措施如：抗静电涂料防腐、涂料与阴极保护相结合的保护技术、热喷铝技术以及添加缓蚀剂等，以提高储罐运行的安全性.
关键词:
储罐
,
null
,
null
陶霰韬
,
周凯
,
杨滴
,
杨明亮
,
陶文彪
绝缘材料
采用改进水针法对XLPE电缆进行加速水树老化试验，并对老化后的切片样本形貌进行了光学显微镜及扫描电镜(SEM)观测。结果表明：改进后的水针法能有效的在针尖电极附近生成水树缺陷，水树区域尺寸可达数百微米，缺陷内部树枝通道的截面直径尺寸为微米级。
关键词:
XLPE电缆
,
改进水针法
,
水树
,
加速老化
,
微观形貌
