材料期刊网，材料期刊，材料类期刊，材料期刊投稿

蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响

牛南辉 , 王怀兵 , 刘建平 , 刘乃鑫 , 邢艳辉 , 李彤 , 张念国 , 韩军 , 邓军 , 沈光地

利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0～0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.

关键词: 氮化镓 , 蓝宝石衬底 , 斜切角度 , DCXRD , MOCVD

具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备

盖红星 , 邓军 , 廉鹏 , 俞波 , 李建军 , 韩军 , 陈建新 , 沈光地

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.009

应用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR.三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有最大反射率.应用原子力显微镜对所制备的DBR表面形貌进行分析.结果表明,相同周期数情况下线性渐变DBR相对于其他两种结构粗糙度最小,具有良好的表面形貌,可以应用于垂直腔面发射激光器的研制.

关键词: 布拉格反射镜 , 金属有机化合物气相淀积 , 原子力显微镜 , AlGaAs

应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用

俞波 , 盖红星 , 韩军 , 邓军 , 邢艳辉 , 李建军 , 廉鹏 , 邹德恕 , 沈光地

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.015

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.

关键词: 光电子学 , 半导体激光器 , 应变量子阱 , 金属有机化学气相淀积

AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究

盖红星 , 李建军 , 韩军 , 邢艳辉 , 邓军 , 俞波 , 沈光地 , 陈建新

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.016

采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.

关键词: 光电子学 , 应变量子阱 , 光增益 , AlInGaAs , 半导体激光器

基于ANSYS有限元法的含双点及组合腐蚀缺陷管道应力分析

孙丽丽 , 王尊策 , 王勇 , 张旭昀 , 韩军 , 徐子怡 , 毕凤琴

兵器材料科学与工程

以大庆采油六厂埋地管道实测腐蚀缺陷为依据，用ANSYS有限元软件模拟了含双点及组合腐蚀缺陷管道表面的应力状态，研究方形、椭圆形两种双点腐蚀缺陷及组合腐蚀缺陷尺寸对管道最大等效应力的影响规律。结果表明：双点方形、椭圆形腐蚀缺陷间距分别大于60、40 mm，两缺陷相互独立，对管道剩余强度无影响；在干涉距离内，双点方形腐蚀缺陷深度对等效应力影响最大，而双点椭圆形缺陷的深度、长度和宽度影响均较大；随组合腐蚀缺陷深度增加，管道模拟等效应力增加，大尺寸缺陷深度对等效应力影响程度较大。

关键词: 双点腐蚀 , 组合腐蚀 , 应力状态 , ANSYS

p型氮化镓不同掺杂方法研究

邢艳辉 , 韩军 , 邓军 , 刘建平 , 牛南辉 , 李彤 , 沈光地

功能材料

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.

关键词: p-氮化镓 , δ掺杂 , 原子力显微镜 , 金属有机物化学气相淀积

镀锌层军绿色钝化

奚兵

腐蚀与防护 doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2004.09.016

介绍由常规五酸草绿色钝化工艺改良的,以重铬酸钾为体系的镀锌军绿色钝化工艺.

关键词: 镀锌层 , 军绿色钝化 , 工艺配方

军绿色隔热降温涂料的研究

杨万国 , 董秀彩 , 李少香 , 张波

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2010.04.008

研究了空心玻璃微珠和纳米陶瓷材料等材料用量对军绿色隔热降温涂料热性能的影响,通过对多种着色颜料及其复配体系反射率的研究,优选出反射率较好的几种颜料,用它们调制出的军绿色降温涂料作为深色降温涂料具有较高的反射率,并且其他各项物理机械性能良好.

关键词: 隔热 , 降温 , 军绿色 , 反射率 , 发射率

HCFC-22热分解动力学的研究

韩军 , 鲁擎擎 , 吕早生 , 王光辉 ,

工程热物理学报

本文讨论了HCFC-22热分解特.性,并研究了HCFC-22初始浓度和反应温度对HCFC-22分解率的影响.实验结果表明,HCFC-22初浓度越低,反应温度越高,HCFC-22分解率越高.根据Arrhenius方程计算, 500～800℃范围内,HCFC-22在氮气和空气气氛下热分解反应的活化能(Eα)分别为248.21、288.89 kJ·mol-1,其相应的指前因子(A)为3.26×1013、3.26×1016s-1.

关键词: 热分解 , 动力学 , HCFC-22

MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率

韩军 , 邢艳辉 , 邓军 , 朱延旭 , 徐晨 , 沈光地

功能材料

利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有很多圆丘,其均方根粗糙度是所有样品中最高的,综合粗化的表面和优化电学特性的p-InGaN接触层的LED光功率提高23%。

关键词: Mg掺杂InGaN , 金属有机物化学气相淀积 , 原子力显微镜 , X射线双晶衍射

材料期刊网