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多孔硅在太阳能电池应用中的相关研究

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.034

本文用化学腐蚀法在多晶硅基片上制作多孔硅,通过SEM、XPS对多孔硅的表面微结构及其组成进行了研究,定性地分析了氧在多孔硅层中的作用及主要热行为.分析了多孔硅用于太阳能电池时应注意的问题:多孔层微孔尺寸、太阳电池工艺中各热处理过程的温度和时间、多孔层与电极材料是否形成欧姆接触及快速热氧化(RTO)的钝化效果.

关键词: 氧钝化 , 快速热处理(RTP) , 快速热氧化(RTO) , 减反膜

a-Si:H薄膜的再结晶技术及Si膜的Raman光谱分析

冯团辉 , 张宇翔 , 王海燕 , 靳瑞敏 , 卢景霄

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.03.038

论述了非晶硅薄膜的几种主要再结晶技术,着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景.另外,还讨论了通过Raman光谱求纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶度的方法.

关键词: 非晶硅薄膜 , 再结晶技术 , 多晶硅薄膜太阳电池 , Raman光谱 , 晶粒尺寸 , 结晶度

对柱状多晶硅薄膜的制备研究

张丽伟 , 赵新蕖 , 卢景霄 , 郜小勇 , 陈永生 , 靳瑞敏

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.052

在多晶硅薄膜(Poly-Si)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜.借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析.结果发现:(1)柱晶的形成对薄膜的厚度有一定要求,而且薄膜越厚,柱晶直径越容易长得更大.本实验中,薄膜厚度达到2.5μm左右时,柱晶直径达到了1.5μm以上;(2)再结晶过程是从靠近光源的薄膜表面开始进而到薄膜内部的.再次说明RTP中再结晶的发生,与光和物质的相互作用密切相关.

关键词: SEM , RTP , 柱晶 , 多晶硅薄膜

太阳能级多晶硅标准的现状及发展

靳瑞敏 , 郭新峰 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郑小燕

材料导报

回顾了太阳能级多晶硅标准这一问题的由来,分析了制定太阳能级多晶硅标准中的有关杂质含量的争论,对太阳能级多晶硅标准提出了一些看法和思考:应加快以物理法多晶硅为原料制作太阳能电池技术问题的研究;解决太阳能电池的衰减、生产工艺改进及物理法多晶硅性能的稳定性问题;多晶硅标准最终应该是一个不区分生产方法的、以主要杂质含量为指标的标准.

关键词: 太阳能级多晶硅 , 标准 , 杂质含量

多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究

靳瑞敏 , 蔡志端 , 苍利民 , 阎韬 , 徐建军 , 栗书增

人工晶体学报

本文用PECVD法在石英玻璃上沉积非晶硅薄膜,然后用快速光退火和传统电阻炉退火方法晶化生长多晶硅薄膜,用拉曼光谱仪、XRD和场发射扫描电镜观察分析薄膜,发现在制备的多晶硅薄膜表面存在结晶团现象,并对这一现象的晶化机理进行了分析.

关键词: 非晶硅薄膜 , 二次晶化 , 多晶硅薄膜 , 结晶团现象 , 晶化机理

退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

靳瑞敏 , 王玉仓 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郭新峰 , 卢景霄

材料导报

通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h.于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 多晶硅薄膜 , 二次晶化 , 拉曼光谱 , 扫描电镜