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Pd-Ag合金在电化学氢传感器中的应用研究

肖恺 , 闫一功 ,

腐蚀学报(英文)

研究了Pd-Ag合金电极在KOH溶液中的电化学行为,讨 论了H在Pd-Ag合金上的作用原理并推导出传感器响应信号和氢气量的定量关系,指出Pd-Ag 合金适合于作为氢传感器的选择性催化阳极并研究了以Pd-Ag合金为阳极的电化学氢传感器 的性能特点.

关键词: Pd-Ag合金 , hydrogen , sensor , electrochemistry

工艺过程对亚磷酸三苯酯在A3钢表面成膜的影响

高延敏 , 徐永祥 ,

腐蚀学报(英文)

利用扫描电境观察了不同条件下亚磷酸三苯酯在A3钢 表面所形成的膜微观形貌特征。结果表明,温度、缓蚀剂的浓度、金属表面状况都会影响膜 的形貌,从而影响缓蚀效率。

关键词: 亚磷酸三苯酯 , high temperature inhibitor , naphthen ic acid , null

固态电解质氢传感器的研究进展

肖恺 , 闫一功 ,

腐蚀学报(英文)

介绍了电化学固态氢传感器的基本原理和优点,重点阐述了氢传感器在测量金属中H的研究现 状和存在的问题,并指出了固体电解质氢传感器的发展方向.

关键词: 固态电解质传感器 , electrochemistry , hydrog en

酸碱理论在金属腐蚀和缓蚀技术上的应用

高延敏 , 陈家坚 ,

腐蚀学报(英文)

引入酸碱反应的概念 ,理解金属的腐蚀过程 ,认识缓蚀剂与金属表面之间的相互作用 .

关键词: 酸碱反应 , corrosion , inhibitor

制备高纯度酸金的工艺研究

王大维 , 李岩松

贵金属

在旋转蒸发体系中,研究酸金的制备方法,并探索了不同条件下酸金产品的金含量。实验结果表明在105℃下蒸发45 min 为相对最优制备条件;用90℃蒸馏水洗涤90 min 为酸金最佳后续处理条件。

关键词: 无机化学 , 酸金 , 金含量 , 洗涤水 , 洗涤处理

青枯尔氏菌特征菌株高效离子交换色谱快速分离条件的优化

郑雪芳 , 刘波 , 朱育菁 , 陈德局

色谱 doi:10.3724/SP.J.1123.2016.06044

建立了高效离子交换色谱和紫外检测系统快速分离青枯尔氏菌的细菌色谱方法.通过比较青枯尔氏菌悬浮在哌嗪-HCl缓冲体系和双蒸水后的菌体数变化及细胞形态变化,分析该缓冲液对青枯尔氏菌生长活性及细胞表面特性的影响.结果表明,青枯尔氏菌悬浮在乎衡缓冲液、洗脱缓冲液和双蒸水中的菌体数量无明显差异,分别为6.467× 109、6.267× 109和6.233× 109 cfu/mL.透射电镜观察发现,3种溶液处理后,青枯尔氏菌均保持完整的细胞结构研究了缓冲液pH值、流速及菌体细胞浓度对青枯尔氏菌色谱分离效果的影响,确定青枯尔氏菌的最佳色谱分离条件为:缓冲液pH值为8.0,流速为2 mL/min,菌体浓度大于1.0× 108 cfu/mL且小于1.0× 1010cfu/mL.该分离条件缩短了分离时间,提高了分离效率,为快速分离青枯尔氏菌提供了一种有效的手段,同时也为细菌微生物的分离提供了新途径.

关键词: 高效离子交换色谱 , 分离 , 青枯尔氏菌 , 细胞表面特性

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

乌拉嘎金矿外围张沟矿化区隐伏矿体预测及查证

吴国学 , 陈国华 , 任云生 , 吕志刚

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2006.09.003

通过矿床成矿地质条件及控矿因素的研究,建立了乌拉嘎金矿床找矿标型.在张沟矿化区通过地质、地球化学、地球物理研究工作,确定出隐伏金矿体赋存的最佳部位,并实施了工程查证,钻孔70m深处见厚3m、平均品位20.4×10-6的矿体.进一步证实了预测方法的有效性,取得了满意的成果.

关键词: 隐伏矿体 , 预测 , 查证 , 乌拉嘎金矿 , 沟矿化区

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

用MCNPx程序计算宽能谱中子姆仪的响应曲线

苏有武 , 朱小龙 , 李武元

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.02.008

利用MCNPx程序计算了宽能谱中子姆仪的响应曲线. 计算表明, 增加铅层对低能中子的响应没有明显的影响, 但在高能区(几百MeV以上)宽能谱中子姆仪的响应与铅层的厚度有关. 铅层厚度为0.6 cm时响应比普通姆仪提高约3倍, 当铅层厚度增加到1.2 cm时响应高约5倍. 虽然计算结果与ICRP建议书中的H*(10)曲线相比还有一定的差别, 但改变慢化体的结构对提高高能中子的探测效率是有明显效果的.

关键词: MCNPx , 高能中子 , 姆仪

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