王生浩
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张静全
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王波
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冯良桓
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蔡亚平
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雷智
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黎兵
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武莉莉
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李卫
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曾广根
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郑家贵
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蔡伟
功能材料
采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:溅射功率对ITO的光电性能影响较小,沉积速率随着溅射功率的增大而加快;随着氧分压的升高,载流子浓度降低,霍尔迁移率先增大后减小,电阻率逐渐增大.在优化的工艺条件下,制备了在可见光区平均透过率达85%、电阻率为1×10-4Ω·cm的光电性能优良的ITO薄膜.
关键词:
氧化铟锡
,
直流磁控溅射
,
电阻率
,
透光率
孙耀明
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张静全
,
雷智
,
冯良桓
,
蔡亚平
,
武莉莉
,
李卫
,
黎兵
,
郑家贵
,
蔡伟
功能材料
CdTe退火是高效CdTe太阳电池制备中的关键步骤.均匀性是大面积太阳电池性能的决定性因素之一.对比研究了用CdCl2溶液渗透、CdCl2源蒸发、超声雾化CdCl2退火方式处理后电池的均匀性.比较了电池光Ⅳ曲线中的开路电压、短路电流密度、填充因子、效率的相对标准差以及效率位置分布图,得出溶液渗透方法得到的35个电池电池效率的相对标准差为0.00935、CdCl2源蒸发退火及超声雾化CdCl2退火的分别为0.0707和0.0643.结果表明,CdCl2溶液渗透退火比其他两种方式处理后电池的均匀性好.
关键词:
太阳电池
,
CdTe多晶薄膜
,
CdCl2
,
退火
,
均匀性
蒋显辉
,
郑家贵
,
黎兵
,
夏庚培
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武莉莉
,
冯良桓
,
蔡伟
,
张静全
,
李卫
,
雷智
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.014
通过研究大面积CdTe多晶薄膜沉积的升温过程,并调节石墨群边改进加热灯管的分布获得了较均匀的温场,在混合氩氧气氛下,用自行设计制造的近空间升华系统制备出了面积为300 mm×400 mm的大面积CdTe多晶薄膜,利用XRD、SEM研究其结构、成分和形貌,结果表明:CdTe薄膜呈(111)择优取向,且薄膜总体致密均匀,晶粒大小约为1 μm左右.用此大面积CdTe薄膜的不同部分制备的CdS/CdTe/ZnTe:Cu小面积太阳电池效率相差不大,说明薄膜的均匀性较好.
关键词:
CdTe薄膜
,
近空间升华法
,
大面积
贺剑雄
,
武莉莉
,
夏庚培
,
郑家贵
,
冯良桓
,
雷智
,
李卫
,
张静全
,
黎兵
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.003
用磁控溅射法制备了Al/Sb多层薄膜,通过X射线衍射(XRD)、X射线荧光(XRF)、Hall效应、暗电导率温度关系及透过谱的测试研究了退火前后薄膜的结构和性质.XRD测试结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,而Al则以非晶态形式存在,500℃退火后化合为AlSb多晶,且沿(111)择优取向.Hall效应测试、电导激活能及光能隙的计算结果表明,所制备的AlSb多晶薄膜为P型材料,且载流子浓度为10~(19) cm~(-3),光能隙为1.64eV,电导率随温度的变化可分为两个过程,在30℃到110℃,薄膜的电导率随温度的增加而缓慢增加,而在110℃到260℃间增加明显,升温电导激活能为0. 11eV和0.01eV,这与AlSb多晶薄膜在升温过程中的结构变化有关.将制备的AlSb多晶薄膜应用于TCO/CdS/AlSb/ZnTe:Cu/Au结构的太阳电池器件中,已观察到明显的光伏效应,说明用这种方法制备的AlSb多晶薄膜适于作太阳电池的吸收层.
关键词:
AlSb
,
薄膜
,
磁控溅射法
,
退火
孙震
,
谢晗科
,
狄霞
,
李卫
,
冯良桓
,
张静全
,
武莉莉
,
黎兵
,
雷智
功能材料
采用真空共蒸发法制备了Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜,研究了Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性.XRD的结果表明,0＜x≤0.9,Cd_(1-x)Zn_xS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Vegard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜的电导激活能.
关键词:
Cd_(1-x)Zn_xS
,
多晶薄膜
,
共蒸发
,
光学能隙
,
电导激活能
郝瑞英
,
雷智
,
郑家贵
,
冯良桓
,
蔡伟
,
武莉莉
,
张静全
功能材料
在反应液中加入H2O2,用超声喷雾热分解技术制备了SnO2高阻薄膜.结合XRD图谱,方块电阻测试,透光率测试以及Tauc曲线分析的结果,发现反应液中加入H2O2制备的SnO2薄膜,膜质较好,样品在(200)晶面有明显的择优取向;电阻率有明显提高,为12～13 Ω·cm;透光率与一般的透明导电膜并没有很大差别.
关键词:
H2O2
,
SnO2
,
超声喷雾热分解技术
宋慧瑾
,
贺剑雄
,
武莉莉
,
郑家贵
,
冯良桓
,
雷智
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00517
采用共蒸法制备了新型AlSb多晶薄膜. 通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构及性能. 分析表明,刚沉积的AlSb薄膜为非晶相,在540℃以上退火转变为AlSb相,转变的程度取决于退火的温度及Al、Sb的原子配比,其中NAl ∶ NSb为47.2 ∶ 52.8,580℃退火后的薄膜多晶转变最为明显,结晶度较高;测试结果表明,退火后的AlSb薄膜为p型间接带隙半导体,载流子浓度为1019cm-1,吸收系数为104,而且在升降温阶段电导率发生不可逆变化. 这种薄膜用于TCO/CdS/AlSb结构的太阳电池器件中已经得到200mV左右的开路电压.
关键词:
AlSb
,
退火
,
多晶薄膜
,
共蒸发
王大维
,
李岩松
贵金属
在旋转蒸发体系中，研究雷酸金的制备方法，并探索了不同条件下雷酸金产品的金含量。实验结果表明在105℃下蒸发45 min 为相对最优制备条件；用90℃蒸馏水洗涤90 min 为雷酸金最佳后续处理条件。
关键词:
无机化学
,
雷酸金
,
金含量
,
洗涤水
,
洗涤处理
