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Mg3N2粉末的合成和光致发光性质研究

薛成山 , 艾玉杰 , 孙莉莉 , 孙传伟 , 庄惠照 , 王福学 , 杨兆柱 , 秦丽霞 , 陈金华 , 李红

Mg粉在800℃氨气流中氨化60 min,可得到高质量的Mg3N2粉末.XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.996 57 nm.SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌.PL测试表明,在激发波长为490 nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545 nm的绿光发光峰.

关键词: 氮化 , Mg3N2粉末 , 光致发光

氨化Si基Ga2O3/V薄膜制备GaN纳米线

杨兆柱 , 薛成山 , 庄惠照 , 王公堂 , 秦丽霞 , 李红 , 陈金华 , 黄英龙 , 张冬冬

功能材料

为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米.

关键词: 磁控溅射 , GaN , V , 纳米线

氨化Si基Ga2O3/V膜制备GaN纳米线

杨兆柱 , 薛成山 , 庄慧照 , 王公堂 , 陈金华 , 李红 , 秦丽霞 , 王邹平

稀有金属材料与工程

氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线,X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为20～60 nm左右,长度达到十几微米.高分辨透射电子显微镜和选区电子衍射分析结果表明,制备的氮化稼纳米线为六方纤锌矿结构.光致发光谱显示制备的氮化稼纳米线有良好的发光特性.另外,简单讨论了氮化稼纳米线的生长机制.

关键词: 磁控溅射 , 氮化镓 , 纳米线 , 光致发光

氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线

孙莉莉 , 薛成山 , 艾玉杰 , 孙传伟 , 庄惠照 , 张晓凯 , 王福学 , 陈金华 , 李红

功能材料

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.

关键词: 磁控溅射 , 氨化 , GaN薄膜 , Ti

钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线

薛成山 , 李红 , 庄惠照 , 陈金华 , 杨兆柱 , 秦丽霞 , 王英 , 王邹平

稀有金属材料与工程

利用磁控溅射技术通过氮化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线.用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征.结果表明;制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60 nm,其最大长度可达10 μm左右.室温下光致发光谱测试发现363 nm处的较强紫外发光峰.另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制.

关键词: 纳米结构 , 氮化物 , 溅射

氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜

薛成山 , 王福学 , 庄惠照 , 张晓凯 , 艾玉杰 , 孙丽丽 , 陈金华 , 秦丽霞

功能材料

研究了Ga2O3/In2O3 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射 (XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析.测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.

关键词: GaN , Ga2O3/In2O3 , 氨化 , 磁控溅射

NH4F/H2SO4电解液中TiO2纳米管的制备及形成机理

刘博 , 庞海丽 , 鞠鹤 , 高磊 , 钟金娣 , 张小华 , 陈金华

电镀与涂饰

采用阳极氧化法,在NH4F/H2SO4电解液体系中制备了大面积的有序二氧化钛纳米管阵列.通过扫描电镜和X射线衍射分别对二氧化钛纳米管的微观形貌及相结构进行表征,并探讨了氧化电压对纳米管形貌的影响及纳米管的形成机理.结果表明,在NH4F/H2SO4电解液中,氧化电压为15～20V时可制备出有序的二氧化钛纳米管,管径随电压增加而增大.

关键词: 二氧化钛 , 纳米管阵列 , 阳极氧化 , 机理

稀土金属Tb催化制备GaN纳米棒

陈金华 , 师平 , 郭纪源 , 薛成山

稀有金属材料与工程

利用稀土金属Tb作为催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga203/Tb薄膜制备出GaN纳米棒.X射线衍射和傅里叶红外吸收谱测试结果表明,制备的样品为六方结构的GaN.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜对样品进行测试,结果显示样品为单晶结构的纳米棒,直径为80～200 nm,长度达几十微米.最后简单地讨论了GaN纳米棒的生长机制.

关键词: 稀土 , 纳米棒 , 单晶

铝合金不对称正负脉冲硬质阳极氧化研究

徐存荣 , 周海晖 , 罗胜联 , 陈金华 , 旷亚非

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2003.01.002

采用不对称正负脉冲电流方法对LF21铝合金硬质阳极氧化进行了研究,结果表明,当脉冲阳极电流与阴极电流比为5∶1,阳极与阴极电流周期比为5∶1,平均氧化电流密度为2.5 A/dm2时,所获得的膜层显微硬度大于500 HV,膜层表面光滑致密.与直流或直流叠加脉冲阳极氧化相比,不对称正负脉冲硬质阳极氧化技术具有成膜速度快、膜层硬度高、电解温度范围宽、能耗少等优点.

关键词: 铝合金 , 硬质阳极氧化 , 不对称正负脉冲电流