郭忠诚
,
陈星明
,
方亮
,
王万录
,
廖克俊
材料导报
对正电子湮灭术(PAS)应用于金刚石薄膜中检测空位型缺陷的研究现状进行了综述,对由正电子寿命谱、多普勒宽化因子等数据得到空位型缺陷的浓度与大小等信息的方法进行了归纳与总结,并对正电子技术研究金刚石膜缺陷尚需注意的一些问题进行了初步分析讨论.
关键词:
金刚石薄膜
,
正电子湮灭
,
空位
,
缺陷
陈燕
,
陈星明
,
胡胜坤
,
金玉
,
吴志军
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0960
以半透明超薄金属银作为阴极,紫外臭氧处理的厚金属银作为阳极,制备了高效率高亮度的黄光硅基顶发射有机发光器件。当电压为9 V 时,器件的最大电流效率为4.9 cd/A,当电压为17 V 时,器件的亮度达到14040 cd/m2。通过增加掺杂浓度及阳极厚度对器件结构进一步优化后,器件性能显著提高,其电流效率在外加电压为10 V 时达到11 cd/A,相应亮度为21748 cd/m2.顶发射器件中存在的微腔效应能有效提高器件的发光效率以及亮度,但是也会使器件的共振波长随着观察视角的增大而蓝移。由于采用合适的发光材料,本实验制备的器件的发光峰值在0°~75°视角范围内几乎没有变化。
关键词:
顶发射
,
有机电致发光器件
,
表面修饰
,
亮度
,
电流效率
于瑶瑶
,
陈星明
,
金玉
,
吴志军
,
陈燕
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163108.0773
为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用 CsN3作为 n 型掺杂剂,对有机电子传输材料 Bphen 进行 n 型电学掺杂,制备了结构为 ITO/MoO 3(2 nm)/NPB(50 nm)/Alq3(30 nm)/Bphen(15 nm)/Bphen∶CsN3(15 nm,x %,x =10,15,20)/Al(100 nm)的器件.实验结果表明,CsN3是一种有效的 n 型掺杂剂,以掺杂层 Bphen∶CsN3作为电子传输层,可以有效地降低电子的注入势垒,改善器件的电子注入和传输能力,从而降低器件的开启电压,同时提高了器件的亮度和发光效率.在掺杂浓度为10%时器件的性能最优,开启电压仅为2.3 V,在7.2 V 的驱动电压下,达到最大亮度29060 cd/m2,是非掺杂器件的2.5倍以上.当驱动电压为6.6 V 时,达到最大电流效率3.27 cd/A.而当掺杂浓度进一步提高时,由于 Cs 扩散严重,发光区形成淬灭中心,造成器件的效率下降.
关键词:
CsN3
,
n 型掺杂
,
有机电致发光器件
,
电流效率
张来新
,
朱海云
合成材料老化与应用
简要介绍了罗丹明化合物的结构特征、合成、特性及应用,重点介绍了:①新型罗丹明类荧光探针的合成与性能研究;②新型罗丹明及香豆素类荧光探针的合成及其对金属离子的识别。并对罗丹明化学的发展进行了展望。
关键词:
罗丹明
,
合成
,
应用
杨杨
,
高超颖
,
许良
,
段莉梅
,
李斌
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2014.30658
罗丹明以其良好的光稳定性、光物理性质和荧光效应得到了人们的极大重视.基于罗丹明的螺环衍生物与被检测物质作用开环而产生荧光响应的特性,将两个或多个罗丹明母体单元构筑到包含特异性的识别单元的探针分子中,形成多枝的罗丹明酰肼类荧光探针,不仅可以弥补单分子探针的某些功能缺陷,而且可以使其具有更高灵敏度、更高选择性和可靠性,更加有利于分析检测.本文着重从设计原理、识别性能、应用范围等方面介绍了多枝罗丹明探针在Hg2+、Cu2+、Fe3+和Al3+等离子检测中发展趋势,并展望了这类荧光探针在活细胞金属离子光学成像的应用前景.
关键词:
多枝罗丹明
,
荧光探针
,
荧光识别
,
检测限
,
细胞成像
李彦
,
李耀国
钢铁
总结了三明钢铁厂1号高炉投产以来的实绩.三钢1号高炉增铁节焦的主要措施是高熟料比、高品位、低休风率、高顶压、大风量.
关键词:
增铁节焦
,
高熟料比
,
大风量