刘训春
,
陈俊
,
王润梅
,
王惟林
,
李无瑕
,
李爱珍
,
陈建新
,
陈意桥
,
陈晓杰
,
杨全魁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.008
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.
关键词:
单电源
,
InGaP/InGaAs
,
LNA
刘家洲
,
陈意桥
,
税琼
,
南矿军
,
李爱珍
,
张永刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.011
报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能.在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps.对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论.
关键词:
光电探测器
,
分子束外延
,
In0.53Ga0.47As
张永刚
,
陈建新
,
陈意桥
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.039
采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA,在25oC至90oC温度范围内特征温度大于90K,并表现出较好的单纵模特性.
关键词:
量子阱结构
,
半导体激光器
,
化合物半导体
张苗苗
,
陆栋
,
曹国珍
,
刘敬
,
金文杰
,
王菊芳
,
李文建
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.218
以能量为1.5 MeV/u，剂量分别为500，750，1000，1250，1500 Gy的电子束对1，2，4，6，8年等5种年份浓香型白酒进行辐照处理；扫描各酒样200～400 nm波段的紫外光谱，根据紫外光谱图的差异，计算了280～300 nm波段的光谱曲线相似度，分析光谱曲线变化规律。结果表明，对于前4种白酒，对照样与辐照样光谱曲线相似度值越小，催陈效果越好；白酒存放时间越久，酒体风格转向老熟所需剂量越小，越容易达到最佳催陈效果；对于8年白酒，辐照剂量超过750 Gy后，白酒体系动态平衡被打破，各单体物质增加，出现返生现象。因此，电子束辐照技术对低年份浓香型白酒催陈效果显著，是一种先进、高效的催陈方法。
关键词:
白酒
,
电子束
,
紫外可见光谱
,
光谱曲线相似度
,
催陈效果
霍亮
,
李碧乐
,
黄勇
,
王力
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2007.10.002
通过光片鉴定和电子探针分析,总结了内蒙古赤峰陈家杖子金矿床的矿石矿物组成,结构构造,划分了成矿期次.研究表明:矿床中矿石成分较复杂,硫化物种类多,有少量硫盐矿物出现;富硫贫砷毒砂、贫砷富硫黄铁矿、贫锌富铁的闪锌矿(与标准分子式相比),含杂质多的银锑黝铜矿和方铅矿与金关系密切;多金属硫化物阶段是该矿床的主要成矿阶段,其中第二世代富硫贫砷毒砂是陈家杖子金矿的最主要载金矿物,其次是方铅矿.结合流体包裹体测试和研究,确定该矿床为受大型角砾岩筒构造控制的低硫化型浅成低温热液矿床,该矿床深部有很大的找矿潜力.
关键词:
矿石矿物特征
,
矿床成因
,
陈家杖子金矿床
袁渐超
,
任司南
,
熊皓
,
刘保良
玻璃钢/复合材料
为研究复合材料在桥梁工程中的应用,以天津某复合材料人行桥为研究对象,采用ANSYS 11.0建立该桥空间有限元模型,对其进行结构验算与分析.分析结果表明,通过合理的结构设计和材料设计,复合材料桥梁可以满足现行的规范要求.最后探讨了复合材料桥梁设计面临的技术困难——结构设计准则和结点连接技术,并根据当前国内外复合材料的发展和环境恶化的加剧,对复合材料桥梁的应用前景做了展望.
关键词:
人行桥
,
复合材料
,
结构分析
,
设计准则
,
环保
聂玉华
电镀与涂饰
介绍了电缆桥架电弧喷涂的工艺流程,包括:桥架焊缝处理-表面喷砂处理-电弧喷锌-涂层封闭-检查-成品.讨论了各工序的特点和要求.
关键词:
电缆桥架
,
电弧喷涂
,
喷砂
,
封孔
陈静洪
,
陈松
,
谢明
,
王塞北
,
胡洁琼
,
王松
,
张吉明
,
陈永泰
贵金属
采用自主设计的电接触-高速摄像试验系统，在直流单分断模式下对纯银触头在电接触过程中所发生的熔桥行为进行观测，从而在不同的电流条件下对电接触过程中熔桥的形貌尺寸进行研究，同时通过SEM对电接触熔桥行为作用后纯银触头的表面进行形貌分析。结果表明，在DC 10 V (8~20 A)条件下，纯银触头在电接触过程中形成的熔桥有圆柱型和哑铃型2种形貌，并且其尺寸为微米级；熔桥的直径和长度都随电流的增大而呈现出先减小后增大的趋势，10~15 A范围内纯银触头在电接触过程中不易形成熔桥，电接触过程中电弧可能先于熔桥而产生，并且熔桥和电弧现象可以同时存在。
关键词:
纯银触头
,
电接触
,
熔桥
,
高速摄像
