郭超峰
,
陈俊芳
,
符斯列
,
薛永奇
,
王燕
,
邵士运
,
赵益冉
材料导报
采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜.对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N_2-(CH_3)_3Ga等离子体的发射光谱.结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N_2-(CH_3)_3Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的,其生长过程符合岛状生长机制.
关键词:
等离子体
,
化学气相沉积
,
GaN
,
反应
,
生长机制
从洪云
,
李素芳
,
陈俊芳
,
李娇
,
黄娟萍
硅酸盐通报
通过甘氨酸-硝酸盐法(GNP)制备了(Y2O3)0.02-(Sc2O3)0.11-(ZrO2)0.87(2Y-11ScSZ)超细粉体.研究了不同甘氨酸用量对粉体相结构和形貌的影响.然后采用流延成型方法制备薄膜样品,讨论不同烧结温度对样品的影响.实验结果表明:2％物质的量浓度Y2O3的添加能稳定1ScSZ在立方相结构.随着甘氨酸用量的增加,粉体粒径逐渐增大.确定了烧结样品在1300℃即可达到致密化.
关键词:
甘氨酸-硝酸盐法
,
流延法
,
2Y-11ScSZ
吴先球
,
陈俊芳
,
熊予莹
,
吴开华
,
任兆杏
功能材料
用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构.结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成,还含有Si-H和Si-O-Si键结构.随着沉积温度的提高,Si3N4薄膜中的Si-H键减少,氢含量降低.可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量.在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰.
关键词:
氮化硅
,
薄膜
,
键态结构
,
ECR-PECVD
孔令红
,
熊予莹
,
符斯列
,
陈俊芳
,
吴先球
,
唐吉玉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.022
采用ECR氮等离子对纳米TiO2薄膜表面进行氮注入处理来改善纳米TiO2催化剂的光谱响应范围.处理后表面颜色变成微黄色,说明氮离子已注入到TiO2薄膜里;AFM观察处理前后的薄膜,发现表面形貌没有很大改变;紫外-可见光谱分析结果表明,TiO2薄膜催化剂的光谱响应红移了12-18nm;通过不同功率、不同处理时间研究显示,在微波功率为400W、处理60min改性效果最理想.
关键词:
ECR氮等离子体
,
光谱响应
,
TiO2薄膜
,
紫外-可见光谱分析
,
AFM
朱永安
,
唐吉玉
,
潘保瑞
,
陈俊芳
,
陆旭兵
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.012
该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析.初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好.作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20％.
关键词:
GaInAsN/GaAs量子阱
,
阱宽
,
垒厚
,
短路电流
,
伏安特性
方建军
,
李素芳
,
查文珂
,
从洪云
,
陈俊芳
,
陈宗璋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00467
用化学还原液相悬浮氧化石墨法制备了石墨烯, 经亲水处理后, 利用化学镀镍法在其表面镀上均匀镍颗粒层. 采用SEM、EDX、振动样品磁强计等对样品的形貌、元素成分与磁性质进行了表征, 并用矢量网络分析仪测试了样品在2~18GHz频带内的复磁导率和复介电常数, 利用计算机模拟出不同厚度材料的微波衰减性能. 结果表明, 材料的微波吸收峰随着样品厚度的增加向低频移动, 材料的电磁损耗机制主要为电损耗, 未镀镍石墨烯的吸波层厚度为1mm时, 在7GHz左右最大衰减值?为?6.5dB, 镀镍石墨烯的吸波层厚度为1.5mm时, 在约12GHz时最大值为-16.5dB, 并且在频带9.5~14.6 GHz的范围内达到-10dB的吸收.
关键词:
石墨烯
,
chemical plating nickel
,
microwave absorption properties
余红华
,
熊予莹
,
陈俊芳
,
吴先球
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.06.037
采用氢微波等离子体对纳米TiO2薄膜催化剂进行改性处理来改善其光谱响应范围.AFM观察表明未经烧结的TiO2薄膜表面形貌发生较大变化,经过500℃1h热处理过的样品表面形貌变化不大,但处理后样品表面颜色变为淡灰色,并随着气压和功率增大而变深;紫外-可见光谱分析表明,纳米TiO2薄膜催化剂的光谱响应曲线发生了12～25 nm红移;XPS定量分析证实,改性处理后部分TiO2被还原为低价钛氧化物,同时在TiO2薄膜的表面产生了氧空位,从而使样品的吸收边红移,可见光吸收增加.通过不同气压、功率、时间研究显示,在气压/微波功率/时间为16Torr/400W/5min条件下改性效果较理想.
关键词:
氢微波等离子
,
纳米TiO2薄膜
,
光谱响应
,
紫外-可见分析
,
XPS
余红华
,
熊予莹
,
吴先球
,
陈俊芳
材料导报
采用溶胶-凝胶法在玻璃载波片及ITO导电玻璃片上制备出负载型纳米TiO2薄膜,并用原子力显微镜(AFM)对不同条件下制备的TiO2的表面形貌进行了表征.结果表明,TiO2薄膜能较好地负载在玻片表面,并且TiO2薄膜的表面形貌与前驱物的配比浓度、基片、热处理温度等都有密切的关系.随浓度和镀膜层数的增大,薄膜中TiO2纳米微晶的颗粒尺寸逐渐增大,从细小均匀粒子膜变为较大不规则的板块结构.在ITO薄膜面形成的TiO2薄膜具有较小的颗粒和均匀的分布.
关键词:
纳米
,
TiO2薄膜
,
表面形貌
,
AFM
李炜
,
陈俊芳
,
王腾
,
张洪宾
,
郭超峰
材料导报
为了更好地了解Si表面对CaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图.计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更容易沉积GaN薄膜.采用ECR-MOPECVD工艺,于低温下在Si(100)衬底上沉积得到了GaN薄膜,XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构.
关键词:
Si
,
GaN
,
吸附
,
第一性原理
陈俊芳
,
吴先球
,
王德秋
,
丁振峰
,
任兆杏
功能材料
利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;在不同的工艺条件下制备了Si3N4薄膜;由STM和Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面微观特性,分析了沉积温度对ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜表面平整度特性影响的物理机理;结果表明ECR-PECVD制备的薄膜是一种表面均匀致密的纳米Si3N4薄膜.
关键词:
氮化硅:薄膜表面平整度
,
沉积温度
