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145Er的β延发质子衰变性质研究

马飞 , 周小红 , 郑勇 , 徐树威 , 谢元祥 , , 张玉虎 , 李占奎 , 强赟华 , 雷祥国 , 郭应祥 , 郭松 , 丁兵 , 王海霞 , 李广顺 , 周厚兵

原子核物理评论

通过92Mo(58Ni,2p3n)熔合蒸发反应生成了非常缺中子核145Er.利用氦喷嘴带传输系统把研究目标核传输到低本底测量站,进行了质子-γ符合测量,得到了不受同量异位素干扰的145Erβ延发质子谱.经过仔细分析与延发质子符合的γ谱,发现了145Er的11/2-同核异能态具有β延发质子衰变性质.经拟合退激144Dy不同激发态γ跃迁的衰变曲线,得出145Er的1/2+基态和11/2-同核异能态的半衰期分别为(1.6±0.6)和(0.6±0.1)s.最后,简单介绍了中重质量区缺中子新核素的合成及衰变研究计划.

关键词: 氦喷嘴带传输系统 , 缺中子核素 , β延发质子衰变

~(139)Pm核中磁转动带的研究

张宁涛 , 张玉虎 , 周小红 , 柳敏良 , 郑勇 , 郭应祥 , 雷祥国 , 丁兵 , 胡钧 , 马飞 , , 王世陶 , 吴晓光 , 郑云

原子核物理评论

通过重离子熔合蒸发反应116Cd(27Al,4n)布居了139Pm的高自旋激发态,用12台高纯锗探测器(HpGe)阵列进行了在束γ-γ符合测量。基于γ-γ符合关系及139Pm核已知的能级信息,建立了两条ΔI=1的负宇称带。利用相邻核能级结构的系统性和依据半经典的核子-核子有效作用的理论模型(SPAC)对这两条带能级结构进行了定量计算,认为它们属于磁转动带。

关键词: 在束γ谱学 , 扁椭形变 , 磁转动 , 集体转动

γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应

李锋锐 , 顾牡 , 何徽 , 畅里华 , 温伟峰 , 李泽仁 , , 刘金良 , 欧阳晓平 , 刘小林 , 刘波 , 黄世明 , 倪晨

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160262

采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex<49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.

关键词: γ-CuI晶体 , 超快闪烁体 , 衰减时间 , 能量响应

离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究

杨宇 , 陈刚 , 邓书康 , 高立刚 , 刘焕林 , 吴国元 , 俞帆 , 长青 , , 郝瑞亭

功能材料

研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.

关键词: Si/Ge多层膜 , 离子束外延 , XRD , Raman散射

半固态AZ91D流变铸轧温度场数值模拟

张莹 , 耿茂鹏 , 涂克良 , 饶磊 , 谢水生 , 张颂阳 ,

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.02.003

从流体力学的角度出发,采用有限元方法对半固态AZ91D镁合金的流变铸轧过程进行了研究.数值模拟结果表明.半固态浆料温度为584℃时所设计的镁合金半固态流变铸轧过程能很好地进行,此模拟结果为确定最佳的工艺参数提供了有效的证据,同时,该研究工作能为分析半固态流变成形过程提供有益的信息.

关键词: 流变铸轧 , 镁合金 , 数值模拟 , 温度场

转炉—大方坯连铸流程试制高铬管坯钢

天明 , , 邓君 , 杨森祥 , , 李清春 , 曾建华

钢铁钒钛

针对L80-3Cr高铬管坯钢的成分特点及质量需求,通过采用合理的合金化制度、过程温度制度及连铸关键工艺技术,打通了半钢炼钢条件下LD-LF-RH-Bloom生产该钢种的工艺流程,达到了经济生产的目的.工业试验表明,冶炼过程Cr的平均收得率达98.2%,成品Cr成分控制稳定;圆钢wT[o]含量为10×10-6~16×10-6,平均13.5×10-6,夹杂物各项评级均≤1.0级,表面及内部质量良好.

关键词: 高铬钢 , 转炉 , 半钢炼钢 , 大方坯连铸 , , 收得率

铸铝合金微弧氧化时间对陶瓷膜微观结构及性能的影响

戈云杰 , 宋仁国 , 王超 , 郭燕清 , , 项南 , 宋若希

材料保护

目前,对铸铝合金表面微弧氧化的研究较少.为了提高高铁接触网铸造铝合金的使用寿命,采用恒流双向脉冲电源及硅酸盐体系在其表面制备了微弧氧化陶瓷膜.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、电化学测试、摩擦磨损试验等研究了不同氧化时间对陶瓷膜结构与性能的影响.结果表明:在硅酸盐电解液组分与电参数相同的情况下,随着氧化时间的延长,膜厚度逐渐增大,孔洞数量逐渐减少,孔径增大,且分布趋于均匀,陶瓷膜中的γ-Al2O3逐渐转变为α-Al2O3,陶瓷膜的硬度、耐磨性与耐腐蚀性得到明显的提高;氧化时间为25 min时,陶瓷膜的综合性能最优.

关键词: 微弧氧化 , 陶瓷膜 , 铸铝合金 , 氧化时间 , 耐磨性 , 耐腐蚀性

一维纳米银柱、银棒及银线的生长机理研究

, 宫斯宁 , , 孙学良 , 刘剑洪 , 洪汉烈 , 敬中

人工晶体学报

在纳米尺度范围,以合适的物理与化学方法可以得到纳米银的多种结晶形态及其聚形,得到简单的、复杂的孪晶;也可以得到平行连生生长成的纳米银柱、纳米银棒,得到以多重孪晶生长纳米银线.以结晶学、晶体结构、晶体化学理论为基础,研究了银纳米颗粒形成不同形态结晶的机理,探讨了一维纳米银柱、银棒与银线的不同生长机理.

关键词: 纳米银 , 结晶形态 , 一维纳米银 , 生长机理

离子束溅射BST薄膜的制备及结构分析

, 张曙 , 邓书康 , 陈刚 , 高立刚 , 阚家德 , 杨宇

功能材料

本文采用离子束溅射的方法制备了不同衬底温度下的BST薄膜,用X射线、Raman、SPM等技术对晶体结构及微观形貌进行表征,研究了离子束溅射制备BST的工艺.

关键词: 钛酸锶钡 , 薄膜 , 离子束溅射 , 晶体结构

离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究

邓书康 , 陈刚 , 高立刚 , , 俞帆 , 方静华 , 杨宇

功能材料

用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.

关键词: 离子束溅射 , 非晶硅 , 喇曼散射 , 电阳率

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