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磁场下MgB2的电导涨落效应

李慧玲 , , 李世燕 , 莫维勤 , 樊荣 , 罗习刚 , 陈仙辉 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.04.006

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系.测量结果表明:磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ(H)符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程.MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构.由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,推知MgB2中存在较强的层间耦合.

关键词:

Bi2-xPbxSr2Co2Oy单晶各向异性输运性质的研究

李慧玲 , , 王强 , 陈宇 , 钱朔 , 余勇 , 黄利 , 郑重 , 汪成友 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.04.007

研究了不同Pb含量的Bi2-xPbxSr2Co2Oy单晶的输运行为.用A. F. Ho 和A. J. Schofield提出的公式对ρc的温度依赖关系曲线进行了拟合,得到了较好的结果.我们利用小极化子理论解释了ρc的复杂行为.

关键词: 过渡金属氧化物的电导 , 小极化子

高纯度超导氧化物RuSr2GdCu2O8的合成与超导电性

陈祖耀 , 李明德 , 柴一晟 , 余旼 , 杨宏顺 , 王忠兵 , , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.005

RuSr2GdCu2O8据报道是转变温度为30~40K的超导体.其合成的主要问题是,在合成过程中有相当多的铁磁性的SrRuO3杂相伴随着主相一起生成.本文报道了合成RuSr2GdCu2O8 (Ru-1212相)纯相的新方法.即在O2和水蒸气气氛中首先合成纯相的Sr2GdRuO6 (Ru-211相)先驱物,然后Sr2GdRuO6与CuO高温烧结,生成RuSr2GdCu2O8.合成的RuSr2GdCu2O8电阻为半导体温度行为.该体系的超导转变与生成的杂相有关.

关键词:

Nd2-xSrxNiO4多晶输运性质的研究

余勇 , , 黄胜利 , 钱朔 , 柴一晟 , 杨宏顺 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.03.005

研究了Nd2-xSrxNiO4多晶的输运性质.0< x0.5样品低温下的电阻率很好地满足变程跳跃公式,0.8x1.1样品在室温以上呈现金属性行为,随着温度降低出现金属-绝缘体转变,x=1.4样品的金属性从室温开始一直保持到14K. 用变程跳跃机制很好地解释了x=0.33样品的热电势-温度关系曲线.

关键词: 输运性质 , 变程跳跃 , 金属-绝缘体转变

Nd1.85-xRxCe0.15CuO4±δ(R=Gd,Sm)单晶样品的红外光谱和超导转变关系的研究

杨宏顺 , 蒋成颍 , 许祥益 , 孙成海 , 柯少秦 , 冷荣军 ,

低温物理学报

研究了不同元素(Gd,Sin)掺杂和不同掺杂浓度的Nd1.85-xRxCe0.15CuO4±δ(R=Gd,Sm)单晶样品的X射线衍射、傅里叶变换红外光谱和电阻率.X射线衍射结果表明掺杂没有杂质峰,且峰的半高宽度很小,说明两掺杂体系的单晶样品品质很好.两体系晶格常数C均随着掺杂量的增加而降低,其中Gd掺杂体系的降低速率明显大于Srn.对于Gd掺杂,随着掺杂量的增加红外光谱逐渐向高频移动,而Sm掺杂红外光谱峰位几乎保持不变.这表明用Gd取代Nd会使Cu-O键变短,而用Sm取代Nd后Cu-O键键长几乎不变.电阻率的测量结果发现随着掺杂量的增加两体系的超导转变温度Tc均被压制,载流子局域化效应均增强.而对于Gd掺杂,超导转变温度R被更强烈的压制,载流子局域化效应更强,这一现象与两掺杂体系的晶胞体积的变化情况一致,也可能与和费米面上电子态密度随掺杂量的改变有关.

关键词: 电子型高温超导体 , 电子结构 , 红外光谱

Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8+δ超导膜(Tc>124K)在混合态中的输运性质的研究

钱国光 , , 陈仙辉 , 李世燕 , 曹强 , 汪成友 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.02.010

本文研究了c轴取向的Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8+δ超导膜(Tc>124K)在混合态下的电阻展宽及霍尔效应.低电阻区域的展宽显示出热激活磁通蠕动行为. 在膜的超导转变温度以下, 我们观察到霍尔电阻率符号反常现象.霍尔电阻率(ρxy)和纵向电阻率(ρxx})具有ρxy}(T)=kρβxx(T)的标度关系.

关键词:

La1/3Sr2/3Fe1-xCoxO3体系中的Co替代效应研究

丁晶晶 , 王克勤 , 朱长飞 , 吕章明 , 黄胜利 , 曹烈兆 ,

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.02.019

本文通过对La1/3Sr2/3Fe1-xCoxO3系列样品进行X射线衍射(XRD)和变温电阻率(p~T)、比热(C~T)、磁化率(M~T)等测试,研究了Co掺杂对该系列样品的晶体结构和电热磁性质的影响.结果表明,随着Co掺杂量的增加,晶胞体积单调减小;电阻中电荷有序(charge ordering,CO)的特征逐渐消失.Co含量低的样品随着温度降低发生顺磁-反铁磁(PM-AFM)转变和金属-绝缘体(M-I)转变;Co含量高的样品则在磁转变温度以下表现出团簇玻璃型短程铁磁有序行为,并且在整个测量温区内具有金属导电特性.这些证明Co掺杂引起电子的局域化效应是导致体系电磁和输运行为发生变化的主要原因.

关键词: La1/3Sr2/3Fe1-xCoxO3 , 电输运性质 , 磁性 , 比热

电子型超导体Gd掺杂的输运性质研究

杨宏顺 , 孙成海 , 成路 , 王建斌 , 许祥益 , 柯少秦 ,

低温物理学报

在CuO2平面以外的阳离子格点通过改变Gd含量引入了无序.研究了Nd1.85-xGdxCe0.15CuO4单晶的电阻率D、霍耳系数RH和热电势S.霍耳系数RH的测量证明这种名义掺杂的改变并没有明显改变载流子的密度.热电势S(T)在120 K以上可用一个掺杂的半经验模型来分析,结果表明存在电子的窄能带和宽能带的共存.无论是电子态密度的带宽和有效电导率的带宽都随着x增加,而局域化的趋势随Gd掺杂增加明显增强.Gd掺杂对超导转变温度TC的抑制作用很显著.在二维剩余电阻率ρ02D增加超过临界值h/ 4e2时没有发生超导-绝缘体转变,观察到的却是超导和局域化的共存效应.量子干涉效应不可以定性地解释Gd掺杂对于电子型超导体的超导转变温度Tc的抑制.

关键词: 电子型超导体 , 热电势 , 局域化t

Sm2-xCexCuO4的物性研究

杨宏顺 , , 缪彬 , 柴一晟 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.04.002

制备了Sm2-xCexCuO4的多晶样品.X-射线粉末衍射结果表明,该系列样品为K2NiF4214结构,当0.090.17时,为T'相.电阻率测量在0.15,0.17,0.19样品上观测到超导转变.最高Tc对应于x=0.17为13.6K,均远低于(Pr0.8La1.2)1.85Ce1.2CuO4 的超导转变温度(30K).这是由于该系列样品在远高于超导转变温度时就存在更强的载流子局域化效应.磁化率测量结果表明x=0.17的样品为体超导.该体系样品的Tc低、抗磁信号小与载流子的强局域化效应有关.热电势测量结果表明,在最佳超导组份附近斜率改变符号,欠掺杂区域载流子为电子型,过掺杂区域载流子为空穴型.

关键词:

用电子顺磁共振和静磁化率研究Co掺杂CeFeAsO的磁性

孙彬 , 吕艳娣 , 冷荣军 ,

低温物理学报

我们合成了不同CO掺杂浓度的CeFe1-xCoxAsO,并测量其电输运性质和静磁化率.最佳掺杂浓度为x(CO)=0.15,且超导温度Tc=11.3K.超导电性发生在很窄的掺杂范围内.静磁化率和电子顺磁共振测量显示在0.15和0.2两个组分样品中存在磁扰动.磁扰动与顺磁存在竞争关系.

关键词: 电子顺磁共振强度 , g因子 , 静态磁化率 , 线宽

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