武红磊
,
郑瑞生
,
李萌萌
,
闫征
人工晶体学报
AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能.生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径.本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m面非极性AlN单晶体,并利用X射线衍射和能谱对样品进行测试分析.实验结果表明AlN单晶体的方向为(100),铝和氮原子比例为50.3％和49.7％,接近理想比例1∶1.最后,对m面非极性AlN单晶体的形成机理进行探讨.
关键词:
升华
,
非极化
,
AlN晶体
,
m面
武红磊
,
郑瑞生
,
李萌萌
,
闫征
,
郑伟
,
徐百胜
人工晶体学报
本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响.结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低.通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场.
关键词:
升华
,
温度场
,
氮化铝晶体
,
有限元
闫征
,
武红磊
,
郑瑞生
硅酸盐通报
采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法,研究了C∶Si共掺杂纤锌矿AlN晶体的32原子超胞体系,得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质,在此基础上分析了C∶Si共掺杂实现AlN晶体p型掺杂的机理.在AlN晶体的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,会形成C-Si复合物,但施主和受主杂质相互补偿致使自由载流子浓度较低；当提高C的掺杂浓度时,会形成C2-Si,C3-Si等复合物,这些复合物的生成能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度.分析表明:C∶Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体.
关键词:
AlN
,
第一性原理
,
共掺杂
,
电子结构
尤立星
,
吴培亨
,
吉争鸣
,
范世雄
,
许伟伟
,
蔡卫星
,
康琳
,
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.03.008
基于传统的mesa结构制备工艺,我们通过精确控制实验参数的手段,在Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶上实现了仅含有少数几个结的本征结的制备工艺,结的临界电流具有很好的一致性.结的数目最少达到2个(包括表面结);结数目控制误差为±1个.
关键词:
高温超导
,
本征约瑟夫逊结
张杰
,
闫生超
,
陈健
,
吉争鸣
,
康琳
,
许伟伟
,
吴培亨
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.01.009
自从本征Josephson效应发现以来,由于其涉及到高温超导材料和结构、Josephson 结动力学、高频应用等多个领域,本征结的研究一直是国际上研究的热点之一.我们采用低能离子刻蚀,实现了每分钟和单结本征结厚度相当的刻蚀速率,由BSCCO单晶成功的实现了含有单个或少数几个结的本征Josephson结的制备,并用四端子方法测量其低温下的I-V, Ic-T特性.通过反复实验研究,提高本征结制备的成功率及可重复性,完善制备工艺,并进一步探讨本征结的特性.
关键词:
单个本征结
,
低能离子刻蚀
,
四端子法
董建峰
,
陶卫东
,
聂秋华
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.04.020
在对双包层手征光纤(W型)进行解析求解的基础上,用数值计算方法研究了纤芯和内外包层的手征参数和内包层厚度对模式色散特性的影响,给出了双包层手征光纤中基模的归一化传播常数b、群延迟d(Vb)/dV和波导色散Vd2(Vb)/dV2随纤芯和内外包层的手征参数和内包层厚度的变化关系曲线,结果表明在双包层光纤的纤芯和内外包层中引入手征,可以极大地改变光纤中基模的色散特性,特别是内包层厚度不同时,色散特性也极为不同.
关键词:
手征光纤
,
双包层光纤
,
传播常数
,
群延迟
,
波导色散
