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等规聚丙烯DSC熔融双峰的成因

朱新远 , 田国华 , 王国明 , 颜德岳 , 闫东航 , 周恩乐

高分子材料科学与工程

论述了多种产生熔融双峰的情况及原因，对最近研究等规聚丙烯DSC熔融双峰的进展进行了评述。最后，介绍了笔者在这一领域的最新研究成果。

关键词: 熔融双峰 , 淬火 , 退火 , 等温结晶

有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响

袁剑峰 , 闫东航 , 许武

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.004

研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc-OTFT器件的电学特性.发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20 nm的器件性能最好.在有源层厚度大于20 nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电阻,从而不利于器件性能的提高.但当有源层厚度小于20 nm以后器件的性能开始降低.我们认为当有源层厚度降低到一定程度时,有源层上表面的表面态会使有机材料的隙态浓度增加从而对沟道载流子迁移率产生不良影响以及使器件的阈值电压增大.

关键词: 有机薄膜晶体管 , 有源层 , 厚度

有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究

袁剑峰 , 闫东航 , 许武

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.003

研究了有机薄膜晶体管(Oganic thin film transistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性.结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系.还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大.认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的.

关键词: 有机薄膜晶体管 , 阈值电压漂移 , 栅绝缘膜陷阱 , C-V特性

《水性树脂与水性涂料》（闫福安编著）等

电镀与涂饰

关键词:

一种较好的三粒子W态概率隐态传输方案

水田 , 查新未 , 王东 , 李宁

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.03.013

提出一种较好的三粒子W态概率隐形传输方案,该方案用三个三量子比特W直积态作为量子通道.和闫等的方案相比,该方案提出一种新的正交完备测量基取代了以往所使用的Bell基测量.接收者根据发送者的测量结果实施适当的幺正变换操作,隐形传输成功的概率可以提高到20/27.

关键词: 量子光学 , 量子控制隐形传态 , 三粒子W态 , 非Bell态测量

远程制备任意双粒子态

石国芳

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.04.005

王和闫设计出利用两步方法确定性地实现远程制备单粒子态,受到这个思想的启发,研究了任意形式双粒子态的远程制备.在此方案中,两个非最大纠缠GHZ态用作量子通道,制备者Alice将已知态的全部信息分割为两部分,一部分为实系数部分,另一部分为相因子部分.制备者Alice执行两次投影测量并将测量结果用4比特经典信息告诉Bob,远方接收者Bob可以通过合适的幺正变换以概率4|βγ|2成功地获得目标态,此成功概率比刘的方案高,这也是本方案的优点所在,因为在刘的方案中只有二粒子实系数态或赤道态的远程制备才能达到这个概率值.

关键词: 量子光学 , 远程态制备 , GHZ态