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采用对苯二胺(pPDA)、4,4'-二氨基二苯醚(ODA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)制备了pPDA/ODA-PMDA无规共缩聚型聚酰亚胺薄膜,研究了其树脂合成条件、亚胺化方式以及pPDA含量对PI膜性能的影响.结果表明:聚酰胺酸的黏度与反应温度成反比,化学亚胺法可以提高薄膜的热稳定性;随着pPDA含量的增加,PI薄膜的拉伸强度和尺寸稳定性得到明显改善.当pPDA含量为10%~15%时,PI薄膜的综合性能满足设计要求.

关键词: 无规共缩聚 , 聚酰亚胺薄膜 , 化学亚胺化

"夹锡钱"疑案何时解?

黄维

金属世界 doi:10.3969/j.issn.1000-6826.2005.02.022

本文在前人研究宋代"夹锡钱"成果的基础上,对124枚宋代铁钱进行了检测,发现铁钱中存在高锡相.这些含锡铁钱的发现,可能就是"夹锡钱"问题的物证.

关键词: 夹锡钱

济阳拗陷临南-钱官屯地区烃类微渗漏特征及异常成因

杨俊 , 沈忠民 , 王国建 , 程同锦

中国材料进展 doi:10.3969/j.issn.1671-9727.2015.06.09

探讨济阳拗陷临南—钱官屯地区化探异常成因机制。通过对临南—钱官屯地区不同构造单元油井和干井中酸解烃特征和微渗漏方式的研究，结合石油地质条件，从油气成藏的角度分析烃类运移、聚集及其微渗漏散失的全过程。结果表明研究区北部地层中以扩散为主，南部以渗透为主或者不存在微渗漏效应，揭示渗漏源和盖层条件是烃类微渗漏的主控因素。临南—钱官屯地区近地表化探异常模式为“渗漏源影响下的断控异常模式”，钱斜14井以北盖层条件和渗漏源条件都最优越，是研究区内最有利的勘探区。

关键词: 临南-钱官屯地区 , 化探异常 , 酸解烃 , 微渗漏 , 渗漏源 , 主控因素 , 异常模式

德兴铜矿野外高位水池液位的无线远传动态监控

朱永生 , 吴水生 , 廖庆华

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2003.06.014

野外高位生产水池和生活水池的动态监控,是保证供水,防止溢流,有效降低生产成本的重要手段.无线远传动态监控系统和管理网络的建立使人们装上了监控的眼睛.

关键词: 动态监控 , 生产水 , 生活水 , 水池液位 , 水质指标 , 无线远传系统

怀念钱英教授

膜科学与技术

关键词:

基于积分方法的二维平行剪切层声远场预测

于潮 , 李晓东

工程热物理学报

本文采用二维Ffowcs Williams＆Hawkings(FW-H)方程对平行剪切层远声场辐射特性进行了研究.近流场时间精确数据通过计算气动声学(Computational Aeroacoustics,CAA)技术数值模拟获得,声远场信息则通过FW-H方程对近流场内的可穿透积分面进行积分获得.该方法首先采用具有解析解的涡/尾缘干涉问题进行了校核,进一步采用CAA/FW-H匹配技术对二维平行剪切层声辐射问题进行了预测,计算结果表明,积分解与计算域内的CAA数值解吻合较好.

关键词: FW-H方程 , 计算气动声学 , 涡/尾缘干涉 , 剪切层

808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性

胡贵军 , 石家纬 , 张素梅 , 齐丽云 , 李红岩 , 张锋刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.037

介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低频电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系.结果表明,808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为1/f噪声,且在阈值附近有最大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性.

关键词: 半导体激光器 , 高功率 , 远结 , 噪声

光纤激光器空间相干合束远场特性分析

高昆 , 许立新 , 王安廷 , 明海 , 刘洋 , 王小兵 , 程勇

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.04.006

基于Fraunhofer标量衍射理论,计算了按圆周形排列的6束光纤激光相干合束的远场光强分布,并对其能量集中程度进行了讨论.分析表明合成光束的远场光强分布可等效于若干平面波干涉结果与单束衍射包络之积,当单元激光器所排列的圆周直径在5倍单元激光束腰宽度以下的时候,合成光束将有超过90%的能量落在单元光束的86.5%能量圆以内.结论指出适当选择单元激光器的排列间距可以控制能量的集中程度,甚至使合成光束的能量集中度优于原单元激光器产生的高斯光束.

关键词: 激光技术 , 相干合束 , 标量衍射模型 , 能量集中度 , 光束质量

高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器

石家纬 , 张素梅 , 齐丽云 , 胡贵军 , 李红岩 , 李永军 , 刘建军 , 张锋刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.026

通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后,表现出按指数规律缓慢下降的行为.初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力.

关键词: 高功率 , 单量子阱 , 远结半导体激光器 , 老化