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利用射频磁控溅射法通过调节硅(Si)靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅(SiOx,1＜x＜2)薄膜.通过高温热处理,得到了镶嵌在SiOx薄膜中的硅纳米晶(Si-NCs).而SiOx薄膜热处理后的光致发光(PL)强度及其MOS器件的导电性都存在随其硅含量的增大而先增强后减弱的趋势,且光致发光有一定的红移现象.这是由于随着硅含量的增大,SiOx薄膜中Si-NCs的结构与分布发生改变,形成“接触”Si-NCs,从而使得光学和电学性能发生改变.

关键词: 射频磁控溅射 , 富硅氧化硅 , 硅纳米晶 , 光致发光 , 导电性

银颗粒镶嵌钠钙玻璃的荧光淬灭

贺喆 , 吴晓雷 , 金璐 , 杨德仁 , 李东升

材料科学与工程学报

本文通过离子交换和后续热处理的方法在钠钙玻璃中引入银纳米颗粒,研究了银纳米颗粒的生成对掺杂玻璃荧光性质的影响.研究发现经过550℃高温热处理,离子交换钠钙玻璃的荧光发生了淬灭.导致荧光淬灭的原因来源于银纳米颗粒表面等离激元近场效应所导致的非辐射共振能量转移,以及表面电子传输机制,使得掺杂玻璃的荧光中心与银纳米颗粒之间发生了能量(或电子)的迁移.

关键词: 离子交换 , 银纳米颗粒 , 表面等离激元效应 , 荧光淬灭

湿化学法制备β-PVDF/NiZn铁氧体复合膜的微结构和介电性能

陈倩 , 杜丕一 , 金璐 , 翁文剑 , 韩高荣

稀有金属材料与工程

采用溶液浸渍提拉法制备了β-PVDF/NiZn铁氧体复合膜.PVDF在60℃下恒温结晶时主要形成了极性的正交相β晶型,呈典型的球晶结构晶体,以较疏松颗粒堆积形式存在,膜的致密度较低,电容达到30～45 pF,比未加Nizn铁氧体的单相PVDF膜提高了3～5倍;在100℃下恒温结晶主要形成非极性的单斜相α晶型,晶粒以二维生长为主,晶粒问紧密接触,膜较致密,电容为20～30 pF.而当恒温结晶温度较低(50℃)时,PVDF结晶较差,呈非晶相存在,电容为10～15 pF.

关键词: β-PVDF , NiZn铁氧体 , 复合膜 , 晶相形成 , 介电性能

钙钛矿型氧化物BaBO3-δ(B=Fe、Co、Nb)电子结构和氧空位形成能的第一性原理研究

于立安 , 金璐 , 韩敏芳

人工晶体学报

基于第一性原理的密度泛函理论,分别对钙钛矿型氧化物BaFeO3、BaCoO3和BaNbO3的电子结构和氧空位形成能进行了理论模拟,经优化后得到的晶胞参数与实验文献值吻合良好.通过比较密度泛函理论计算得到的晶格能和氧空位形成能,发现体系稳定性表现为BaCoO3＜ BaFeO3＜ BaNbO3.对于B位含有多种元素的体系,在实验研究中通过1130℃煅烧10 h的条件下得到了BaCo0.5 Fe0.25 Nb0.25O3-(δ)纯相并分析了其晶胞参数.理论研究中以BaCoO3为基构造了钙钛矿型复合氧化物BaCo0.5Fe0.25Nb0.25O3,并通过第一性原理计算优化了其结构,理论计算得到的晶胞参数0.397nm与实验测定的0.407 nm相接近；通过分析此晶体态密度证实了它是电子导体；本文还分析和比较了晶体中两个B位原子间的氧空位形成能差异,发现钴离子附近的氧空位形成能非常小,在0.5～0.6eV左右.

关键词: 钙钛矿型 , BaBO3-(δ) , 第一性原理 , 密度泛函理论

金的分离富集

冯月斌 , 张锦柱

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2003.07.014

综述了金的分离和富集方法,主要包括各种吸附和萃取方法.采用活性炭和泡沫塑料(简称泡塑)吸附分离金是传统的分离富集法,有负载活性炭和有负载泡塑可以提高富集金的能力.近些年,离子交换树脂和离子交换纤维素在分离富集金的应用中,占有相当大的比例.萃取法除了使用传统的MIBK作为萃取剂,又见报道硫醚、亚砜、醇类等作为萃取剂的各种萃取体系.文中引用参考文献107篇.

关键词: 金 , 分离富集 , 吸附 , 萃取

火试金重量法测定载金炭中银

夏珍珠

冶金分析 doi:10.13228/j.boyuan.issn1000-7571.010052

称取一定量的载金炭进行火试金配料,经过熔炼、灰吹得到金银合粒,使用硝酸分金得到金粒,再通过计算得到载金炭中银含量,从而建立了火试金重量法测定载金炭中银含量的方法.经过试验,确定了火试金配料中试样量、氧化铅加入量、灰吹温度等最佳试验条件.根据目前国内载金炭的生产水平,在载金炭国家标准物质加入一定量的共存元素,进行了银量测定的干扰试验,结果表明载金炭中共存元素(Cu、Fe、Pb、Cd、Zn、Bi、Cr、Ca、Mg、As)对银测定无影响.将方法用于3个载金炭国家标准物质中银的测定,测定值与认定值基本吻合,相对标准偏差(RSD,n=11)为0.82%~4.2%.