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铝合金表面氧化锆等离子体电解氧化涂层的制备及形成机理研究

辛世刚 , 赵荣根 , 都徽 , 宋力昕

无机材料学报

采用等离子体电解氧化方法在铝合金表面制备了氧化锆涂层,电解液为包含Zr(OH)4颗粒的碱性溶液.涂层的组成、结构通过XRD、 EPMA进行了研究.结果显示,涂层主要由t-ZrO2、m-ZrO2、α-Al2O3和γ-Al2O3组成,t-ZrO2为涂层的主晶相,分布在涂层表面,而α-Al2O3出现在涂层的内侧.涂层表面呈颗粒状,颗粒尺寸约为1～2μm.在氧化过程中,Zr(OH)4颗粒在电场力的作用下向等离子体放电通道口沉积,在放电产生的高温作用下直接转化为氧化锆.

关键词: 氧化锆 , 涂层 , 等离子体电解氧化 , 铝合金

抗徽生物腐蚀涂料的研制

孙红尧 , 李震 , 陈水根

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2002.04.002

针对水利水电工程水下钢结构和混凝土结构受到微生物腐蚀破坏的状况,采用具有内增塑作用的氯醚树脂改性丙烯酸聚氨酯树脂作为成膜基料,通过添加高效杀菌剂,研制成一种能够稳定释放杀菌剂的抗微生物腐蚀涂料.该涂料也适用于其他行业,如工业水处理、埋地管线和采油工业等结构的抗微生物腐蚀.

关键词: 微生物腐蚀 , 防腐蚀涂料 , 钢结构 , 混凝土结构

打造新材料名都历练政府角色——第八届淄博新材料技术论坛暨国际科技成果招商洽谈会专访

中国材料进展

关键词:

倾力打造“新材料产业名都”——访淄博市副市长、淄博市高新技术产业开发区管理委员会主任庄鸣

中国材料进展

淄博市作为新材料产业快速发展，成功实现老工业基地转型的代表，连续7次荣获全国科技进步考核先进市称号，先后被评为中国优秀创新型城市、中国最具创新绩效城市，被国家科技部批准为国家新材料成果转化及产业化基地、国家火炬计划淄博医药制造业特色产业基地、国家火炬计划淄博博山泵类产业基地、国家火炬计划淄博先进陶瓷产业基地和国家火炬计划淄博功能玻璃特色产业基地。

关键词: 高新技术产业开发区 , 新材料产业 , 淄博市 , 管理委员会 , 国家火炬计划 , 创新型城市 , 新材料成果转化 , 产业基地

高分辨率大面阵微型相机设计

陶淑苹 , 郑晓云 , 朴永杰

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153003.0514

小型化相机是支持低成本徽型飞行器或徽小卫星对地观测等多项应用的关键设备,由此提出了一种高分辨率大面阵的小型化成像系统.首先预估了该成像系统用于目标观测的像元分辨率和幅宽.然后阐述了该系统的电子学方案,对其中的关键芯片 OV14825的工作原理进行了介绍,并分析了基于 FPGA的串行差分数据接收转发的软件设计.最后基于设计的相机样机开展了成像实验,在13 m成像距离条件下获取图像分辨率优于0．5 mm,而且图像细节丰富,层次分明,证明该方案切实可行.高分辨率大面阵徽型相机具有很好的应用价值.

关键词: 微型相机 , CMOS传感器 , 面阵 , 分辨率

铜坑矿中深孔凿岩爆破参数优化试验研究

吴贤振 , 余敏 , 吴强

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.05.008

为优化铜坑矿92#矿体凿岩爆破参数,进行了单孔爆破漏斗试验、孔网参数以及徽差间隔时间对比试验.经过综合分析,最终推荐铜坑矿Ф65 mm扇形中深孔凿岩爆破参数为:炸药单耗1.168 kg/m3,最小抵杭线1.2 m,孔底距1.5 m,微差间隔时间50ms.

关键词: 扇形中深孔 , 爆破漏斗 , 微差间隔时间 , 孔网参数

聚酰亚胺/蒙脱土纳米复合薄膜的制备和性能研究

雷勇 , 刘宇锋 , 江璐霞 , 傅强

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2001.01.001

本文以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4′-二氨基二苯醚(DAPE)作主要原料合成的聚酰亚胺(PI)为基体，以有机化蒙脱土(MMT)为无机相，制备了聚酰亚胺／MMT纳米复合薄膜。采用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)对薄膜徽相形态结构进行了分析测试，考察了薄膜的拉伸强度、电气性能和热性能。

关键词: 聚酰亚胺 , 蒙脱土 , 薄膜 , 纳米材料

基于使用负性液晶的边沿场切换模式的局部残影分析

许雅琴 , 苏子芳 , 钟德镇 , 关星 , 刘英明

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153003.0399

随着液晶显示技术的发展,PPI越来越高,像素尺寸越来越小,穿透率的提升是一重要问题。负性液晶相对正性液晶具有高穿透率,较好的画面画质及较低的颜色偏差等优点,使得主流显示模式 IPS、FFS使用负性液晶研究逐渐增多。但由于负性液晶自身特性,其影像残留较正性液晶更为严重,特别是模组粘合附近区域的局部面残。为了改善负性液晶局部影像残留,本文研究了实际样品影像残留严重区域与轻徽区域不同测量数据,如温度、共电压(Vcom )等,发现影像残留严重区域与轻徽区域的公共电压出现漂移现象,分析了影响残影的因素,并提出改善方案,实测结果证明本文改善局部残影的方法是有效的。

关键词: 负性液晶 , 残影 , 公共电极电压

偏光干涉法检测LCD间隔子的均匀性

范应娟 , 袁桃利 , 张麦丽

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153003.0416

由于液晶显示器中间隔子的均匀性影响着对比度、色调变化等性能,因此,本文对液晶显示屏间隔子均匀性的检测方法进行了研究。首先分别利用干喷和湿喷法制备了对应的液晶盒,然后采用偏光显徽镜研究了所制备液晶显示屏间隔子的分布特性。研究发现,正常情况下,液晶盒内间隔子最小距离接近20μm,最大距离超过100μm；间隔子分布不良的主要缺陷为间隔子团聚；在实验室条件下,干喷法间隔子团聚比较严重,湿喷法基本上无此现象。所以,利用偏光干涉法,通过调节偏光显徽镜上下偏光片的相对角度,可以在不破坏液晶显示屏的前提下直接观察到其内部的间隔子及间隔子的分布情况。文中还分析了利用偏光干涉检验间隔子均匀性的原理。

关键词: 间隔子 , 均匀性 , 偏光干涉 , 液晶盒

TFT-LCD过孔接触电阻研究

白金超 , 王玉堂 , 郭总杰 , 丁向前 , 袁剑峰 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153003.0432

研究了过孔接触电阻变化规律，并进行机理分析，为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先，运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后，通过扫描电子显徽镜、能量色散 X射线光谱仪和聚焦离子束显徽镜对过孔内部形貌进行表征。最后，对过孔接触电阻变化规律进行机理分析。实验结果表明：过孔面积越大，接触电阻越小；过孔面积相同时，长方形过孔的接触电阻小于正方形过孔的接触电阻，多小孔的接触电阻小于单大孔的接触电阻，栅极金属与氧化铟锡的过孔接触电阻小于源/漏层金属与氧化铟锡的过孔接触电阻。为了降低钼/铝/钼与氧化铟锡连接过孔的接触电阻，过孔面积尽可能最大化，采用长方形过孔优于正方形过孔，多小过孔优于单大孔设计，同时优化过孔刻蚀工艺，减少过孔内顶层钼的损失。

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 接触电阻 , 过孔设计优化