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基于一种高效空穴传输材料的有机电致发光器件研究

刘春明 , 吕银祥 , , 农昊 , 周辉 , 徐伟 , 潘星龙 , 华中一

功能材料

开发了一种新型的空穴传输材料H40,以其制成的器件(ITO/H40/Alq3/LiF:Al)最高发光强度达到10300cd/m2;未经封装的另一种器件(ITO/H40\Alq3\Mg:Ag),发光强度由150cd/m2衰减到50cd/m2的时间达到1h.与传统的空穴传输材料TPD相比,H40制成的器件具有更好的热稳定性,器件的工作寿命也长得多.同时发现通过适量的掺杂能够调节器件的发光颜色.

关键词: 有机电致发光 , 空穴输送材料 , 发光效率

一种电可擦写可读出的有机薄膜存储器件

, 蔡永挚 , 刘春明 , 吕银祥 , 徐伟 , 潘星龙 , 华中一

功能材料

报道一种具有可逆电双稳特性的有机薄膜存储器件.器件采用三明治夹层结构:Ag/DBCN/Al,DBCN为有机分子材料的简称.这种薄膜器件可以通过改变外加电场的大小来控制所处的状态,表现出高电压区(>6V)为高阻态(>106Ω),低电压区(1~2V)为低阻态(~103Ω)的特性,外电场消失时其状态能够长时间保持稳定(超过3个月),还可以用小电压脉冲信号(<0.5V)来读取其状态信息.此外还发现该器件具有良好的耐热稳定性.

关键词: 有机分子材料 , 电双稳 , 可电写擦、可电读出分子器件

有机薄膜的场效应非线性电阻特性

蔡永挚 , , 刘春明 , 吕银祥 , 徐伟 , 潘星龙 , 华中一

功能材料

本文报道一种新型的、准球形的有机分子材料TPR-1(四(吡咯-1-基-甲基)甲烷).这种有机分子含有四个吡咯基团,容易通过真空热蒸发成膜.在紫外光作用下,还可以原位交联,形成较稳定的半导体薄膜.实验中,分别用Cu或Al作为顶底电极,制作夹层器件,发现样品导电能力随外加电压变化存在明显的非线性变化特征,开关斜率比最高可达50倍,频率相应范围在50Hz~10kHz,并具有良好的重复性和稳定性.

关键词: 有机分子材料 , 原位聚合 , 紫外辐照 , 有机半导体薄膜 , 非线性电阻

刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响

, 左潇 , , 李晓伟 , 吴晓春 , 谢仕芳 , 汪爱英

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.04.024

目的 研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜(ta-C)的影响,并进一步考察不同电弧等离子体刻蚀时间对ta-C薄膜结构的影响.方法 采用自主设计研制的45°单弯曲磁过滤阴极真空电弧镀膜设备,进行不同等离子体刻蚀以及ta-C薄膜的沉积.使用等离子体发射光谱仪表征离子种类及其密度,使用椭偏仪表征薄膜厚度,原子力显微镜表征刻蚀后的基体粗糙度,拉曼光谱仪和XPS表征薄膜结构,TEM分析薄膜的膜基界面结构.结果 辉光刻蚀工艺中,作用的等离子体离子以低密度的Ar离子为主;而电弧刻蚀时,作用的等离子体离子为高密度的Ar离子和少量的C离子,并且能够在基体表面形成约15 nm的界面层,并实现非晶碳膜(a-C)的预沉积.随电弧等离子体刻蚀时间增加,ta-C薄膜的sp3含量有所降低.结论 相比于辉光刻蚀,电弧刻蚀利于制备较厚的ta-C薄膜.这主要是因为电弧刻蚀时,基体表面形成良好的界面混合层,并预沉积了非晶碳膜,形成a-C/ta-C的梯度结构,有助于增强膜基结合力.

关键词: 四面体非晶碳膜 , 辉光刻蚀 , 电弧刻蚀 , 刻蚀时间 , 结构

Rietveld方法在钢中残余奥氏体定量测定中的应用

李琪 , 罗家明 , 刘晓岚 ,

物理测试

简要介绍了Rietveld方法,并引入该方法进行了钢中残余奥氏体定量相分析,探讨了该方法与传统X射线物相定量方法的特点,通过分析,发现Rietveld定量分析方法具有准确、高效和快捷等优点,尤其是它降低了择优取向造成的误差,此方法可作为钢中残余奥氏体定量分析的有益补充。

关键词: 残余奥氏体 , Rietveld method , quantitative phase analysis

K4169合金叶片熔模铸造过程的温度场及微观组织的耦合模拟

刘汉武 , 王勤峰 , , 刘林

钢铁研究学报

考虑存在热传导、热辐射等实际凝固边界条件,根据相变热传导等效热容法有限元理论,对K4169合金叶片熔模铸造过程中的温度场分布进行了瞬态求解,得出了叶片纵剖面和横断面上各点处的温度值随时间的变化规律.再以此为基础,根据Rappaz等提出的等轴生长溶质扩散模型计算出每一时间步长后固相分数的变化,用此值来修正该时间步长内结晶潜热释放后的温度,再利用连续形核模型和枝晶尖端生长的动力学模型,采用胞状自动机技术,对K4169合金叶片凝固时的晶粒组织形成过程进行了耦合模拟.模拟结果与实验测试所得的金相组织相符,这为研究K4169合金叶片的高温力学性能和耐腐蚀性能奠定了重要的理论基础.

关键词: K4169合金 , 叶片 , 凝固 , 相变 , 温度场 , 有限元分析 , 耦合模拟

ZSM-5晶粒度对其负载的TiO2光催化剂性能的影响

, 刘春燕 , 高敏 , 王祥生 , 洪臣

催化学报 doi:10.3724/SEJ.1088.2010.91042

采用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、X射线荧光分析、X射线光电子能谱、紫外.可见漫反射光谱和吡啶吸附傅里叶变换红外光谱等表征方法以及偶氮染料甲基橙的吸附和光降解反应,研究了ZSM-5晶粒度对TiO2/ZSM-5光催化剂性能的影响.结果表明,TiO2主要负载于ZSM.5沸石外表面,因而减小载体晶粒度有利于提高TiO2的负载量和分散性.纳米ZSM-5沸石负载的TiO2催化剂具有较高的甲基橙吸附量,且吸附发生在ZSM-5外表面的酸中心上,催化剂良好的吸附能力促进了甲基橙的光降解.

关键词: 二氧化钛:ZSM-5沸石 , 晶粒度 , 甲基橙 , 吸附 , 光催化

有机电双稳材料与器件的研究进展

, 徐伟

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.06.033

由于有机分子材料和聚合物材料本身的各种优良性质,用其取代传统的无机半导体材料来修饰电信号具有非常广阔的研究前景.本文简要介绍了近年来有机电双稳材料与器件在电存储方面的研究进展,并讨论了有机电双稳器件(OEBD)目前存在的问题以及今后发展的方向.

关键词: 有机功能薄膜 , 电双稳态 , 有机电双稳材料 , 有机电双稳器件 , 电存储

硫酸铵-四丁基溴化铵-碘化钾体系浮选分离铂(Ⅳ)的研究

宋世林 , 司学芝 , , 马万山

冶金分析 doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2010.02.015

在0.1 g/mL硫酸铵、5.0×10~(-4)mol/L四丁基溴化铵(TBAB)和3.0×10~(-2) mol/L碘化钾存在下,铂(Ⅳ)形成的水不溶性的缔合物[PtI_6][TBAB]_2在水相表面浮选析出,而在此相同条件下,Zn(Ⅱ)、Cr(Ⅲ)、Mo(Ⅵ)、Fe(Ⅱ)、V(Ⅴ)、Sn(Ⅳ)、Mn(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)、Ga(Ⅲ)、Rh(Ⅲ)、Co(Ⅱ)D、W(Ⅶ、Al(Ⅲ)、Ce(Ⅲ)和Zr(Ⅳ)15种离子均不形成不溶性沉淀物.据此可达到铂(Ⅳ)与上述共存离子之间的定量分离.本法用于Ni-Pt/Al_2O_3催化剂中铂的分离和测定,平均回收率为97.1%,相对标准偏差(RSD)为2.2%(n=5).

关键词: , 四丁基溴化铵 , 碘化钾 , 浮选分离

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