孙光辉
,
郭良起
,
户敏
,
周立明
,
高丽君
,
刘春森
功能材料
以9,10-双蒽酸(H2L)和2,6-二甲基吡啶(Hdmpy)为配体,合成了一个二维结构的稀土配合物{[Tb(L)2(H2O)2] (Hdmpy) (H2O)2｝∞；用原位聚合法将该稀土配合物与丙烯酸类聚氨酯大分子单体复合,制备出{[Tb(L)2(H2O)2](Hdmpy)(H2O)2｝∞/丙烯酸酯类聚氨酯稀土高分子材料,并研究了稀土配合物在材料中的分散及材料的热稳定性、荧光性能等.研究结果表明,配合物在稀土高分子材料中主要以200～500nm颗粒均匀分散；且该材料具有良好的热稳定性能(＞300℃),在波长372nm的激发光下,材料在440nm出现最大荧光发射峰,有望应用于发光材料领域.
关键词:
稀土配合物
,
大分子
,
稀土高分子
,
荧光
周立明
,
孙光辉
,
高丽君
,
方少明
,
郭良起
,
闫卫东
功能材料
在合成聚氨酯丙烯酸酯大分子单体的基础上,利用原位聚合法制备出一类高透明性的稀土配合物La(Phen)2 C31 DMF·(DMF)2/聚氨酯丙烯酸酯稀土高分子材料,并对材料的相关性能进行了表征.结果表明,该类稀土高分子材料具有良好的透明性、热稳定性和光致发光性;当配合物La(Phen)2 C31 DMF·(DMF)2的含量为1%时,材料的透光率达91.8%;且在波长为320nm的激发光下,材料在367nm出现最大荧光发射峰,有望应用在功能光学材料领域.
关键词:
稀土配合物
,
大单体
,
稀土高分子
,
透明
,
荧光
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
杜继旭
,
潘成林
,
邱金柱
,
杨云鹏
黄金
doi:10.11792/hj20160807
内蒙古锡林郭勒盟东部金属成矿带是中国重要的黑色金属、有色金属、贵金属成矿带,成矿带岩浆活动频繁,构造活动强烈,具备有利的成矿条件.通过对2个成矿带(东乌旗成矿带、西乌旗成矿带)的地质背景及成矿条件的研究,将东乌旗成矿带分为4个成矿亚带,西鸟旗成矿带分为2个成矿亚带,为下一步的地质找矿工作提供依据.
关键词:
成矿带
,
成矿亚带
,
地质特征
,
划分
,
锡林郭勒盟东部
,
内蒙古
巨建涛
,
折媛
,
张朝晖
,
鲁思渊
,
吕振林
钢铁
通过金相观察、扫描电镜和EDS分析,对国内某钢厂生产的L245MB(B)管线钢出现的起皮缺陷进行了研究,发现连铸坯出现表面微裂纹且裂纹附近存在O、Si、Al、Ca和Cu元素的富集,确定铸坯中存在的氧化物夹杂及铜含量的超标引起的铸坯表面微裂纹是导致热轧卷板表面起皮的主要原因,钢的清洁度和连铸工艺是起皮的重要原因.分析了非金属氧化物、铜等低熔点金属及连铸工艺对铸坯表面微裂纹的影响机理,并由此提出了相应的防止措施.
关键词:
起皮
,
表面裂纹
,
氧化物夹杂
,
管线钢
巨建涛
钢铁
通过金相观察、扫描电镜和EDS分析，对国内某钢厂生产的L245MB(B)管线钢出现的起皮缺陷进行研究。发现连铸坯出现表面微裂纹且裂纹附近存在O，Si ，Al，Ca和Cu元素的富集，确定铸坯中存在的氧化物夹杂以及铜含量的超标所引铸坯的表面微裂纹是导致热轧卷板表面起皮的主要原因。分析了非金属氧化物以及铜等低熔点金属对铸坯表面微裂纹的影响机理。并由此提出了相应的防止措施。
关键词:
起皮;表面裂纹;氧化物夹杂;管线钢
李萌
,
柴斯羽
,
肖鹏程
,
朱立光
,
刘增勋
钢铁钒钛
doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2017.02.028
针对某厂Q195冷轧镀锌带钢起皮缺陷,应用金相显微镜、大样电解、扫描电镜及能谱分析对冶炼过程中各工序钢水内的大型夹杂物及显微夹杂物进行分析.结果表明,冷轧缺陷主要是由于钢包卷渣和钢包耐火材料剥落所致.通过优化生产工艺及调整钢包浇注料材质等措施,基本消除了冷轧带钢表面起皮和镀锌挂渣缺陷,提高了镀锌板表面光洁度.
关键词:
冷轧带钢
,
起皮
,
夹杂物
,
卷渣
,
镀锌挂渣
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
