陈丽雯
,
叶芸
,
郭太良
,
彭涛
,
周秀峰
,
文亮
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0363
为了适应LTPS TFT LCD显示屏超高分辨率极细布线的趋势,降低LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀带来的良率损失,提高产品品质,本文研究了LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化.实验以干法刻蚀为主刻蚀,湿法刻蚀为辅刻蚀的方式,既结合干法刻蚀对侧壁剖面角及刻蚀线宽的精确控制能力,又利用了湿法刻蚀高刻蚀选择比的优良特性,改善了层间绝缘层刻蚀形貌,减少干法刻蚀对器件有源层的损伤,避免有源层被氧化,防止刻蚀副产物污染开孔表面.实验结果表明,干法辅助湿法刻蚀能基本解决刻蚀过程中过刻、残留的问题,使得层间绝缘层过孔不良良率损失减少73％以上,且TFT源漏电极接触电阻减小约90％,器件开态电流提升约15％.干法辅助湿法刻蚀是一种优化刻蚀工艺,提升产品性能的新方法.
关键词:
LTPS TFT LCD
,
干法刻蚀
,
湿法刻蚀
,
层间绝缘层过孔
,
接触电阻
,
器件性能
周雄图
,
陈恩果
,
姚剑敏
,
徐胜
,
曾祥耀
,
林金堂
,
张永爱
,
郭太良
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0855
集成成像3D显示是一种利用微透镜阵列进行三维信息记录和重现的技术,针对集成成像3D显示过程中,微透镜之间间隙导致的杂散光引起干扰以及微透镜所成像之间的串扰导致的重构图像质量下降原因,采用针孔阵列的不透光部分来屏蔽杂散光,构建了针孔/微透镜组合阵列结构.根据集成成像原理,分析针孔/微透镜组合阵列的参数,并利用Tracepro光学软件对集成成像3D显示过程进行仿真,结果显示:在记录和重构阶段,针孔/微透镜组合阵列都能有效减少通过微透镜之间间隙的杂散光引起的与成像无关的亮斑,提高图像显示质量;当记录阶段和重构阶段均采用针孔/微透镜组合阵列时,得到的重构图像质量最好.
关键词:
光学设计
,
集成成像3D显示
,
针孔阵列
,
微透镜阵列
游玉香
,
苏艺菁
,
叶芸
,
汤巧治
,
张杰
,
张永爱
,
郭太良
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.014
通过酸化、球磨、超声分散等工艺制备碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)悬浮液,利用电泳沉积技术制备CNT阴极,并真空封装制备成25.4 cm(10 in)的CNT场致发射平面背光源器件.采用扫描电子显微镜对CNT阴极样品的表面形貌进行表征,并对器件的场致发射性能进行测试.结果表明,当电场为1.76 V/μm时,CNT场致发射平面背光源器件的亮度为6 500 cd/m2,亮度均匀性为89%,可应用于液晶显示器的背光源.
关键词:
碳纳米管
,
背光源
,
电泳
,
场致发射
苏艺菁
,
游玉香
,
胡利勤
,
汤巧治
,
张杰
,
张永爱
,
郭太良
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.029
采用电泳法在金属镍(Ni)丝表面沉积碳纳米管(CNT)材料,制备成CNT-Ni丝状阴极,并在圆柱形玻璃灯管中对其进行二极结构的场发射性能测试.结果表明,CNT材料呈网状结构均匀平铺于Ni丝表面,CNT-Ni丝状阴极具有良好的场发射性能,开启场强为0.82 V/μm;当阳压为3 400 V时,电流为2.3 mA,发光亮度达到7 500 cd/m2;阳压为4 000 V时,丝状阴极场发射电流连续测试10 h变化不大.
关键词:
碳纳米管
,
丝状阴极
,
场发射荧光灯
林志贤
,
张永爱
,
覃华芳
,
郭太良
功能材料
采用水热法制备形貌和尺寸各异的纳米ZnO材料.用X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试产物结构和表面形貌,分析影响纳米ZnO材料生长的因素,探讨纳米ZnO的生长机理.研究了各种形貌ZnO阵列的场致发射特性.实验结果表明,在各种ZnO纳米结构中,纳米管的场致发射性能最好,其最大电流密度可达到0.2mA/cm~2,开启场强2.5V/μm,为寻求良好场发射性能的ZnO纳米材料提供了一个可行的途径.
关键词:
ZnO纳米材料
,
水热法
,
表面形貌
,
场发射性能
杨兰
,
郭太良
功能材料
利用阳极氧化法制备Ta2O5绝缘介质薄膜。扫描电子显微镜（SEM）、能谱分析（EDS）和X射线衍射仪（XRD）研究表明Ta2O5绝缘介质薄膜表面平整,致密,呈非晶态。电击穿场强测试系统研究利用Ta-Ta2O5-Al复合薄膜制备FED器件（MIM结构）的绝缘性,表明薄膜具有较高的耐击穿场强,约为2.3MV/cm,分析Ta2O5的导通机理,主要为肖特基效应和F-N效应。
关键词:
Ta2O5
,
阳极氧化
,
绝缘介质
,
导通机制
游玉香
,
叶芸
,
林志贤
,
郭太良
功能材料
通过丝网印刷技术,将碳纳米管(carbon nanotube,CNT)浆料直接转移到CrCuCr薄膜衬底电极、掺Sn的In_2O_3(indium tin oxides,ITO)透明导电薄膜衬底电极和Ag浆导电厚膜衬底电极上,高温烧结后得到CNT阴极,并对CNT阴极进行表面形貌和场发射性能的研究.结果表明,不同衬底电极对CNT阴极场发射性能的影响不一样,CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极、ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极及Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极场发射的开启电场分别为0.99、2.05和2.46V/μm;当电场为3.0V/μm时,它们的亮度分别为2472、1889、587cd/m~2.CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极的场发射性能最优,ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极次之,Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极最差,并根据金属-半导体理论模型分析了原因.
关键词:
碳纳米管
,
丝网印刷
,
场发射
,
衬底电极
杨兰
,
郭太良
功能材料
利用Ag的高温抗氧化能力,采用磁控溅射沉积Al/Ag/Al导电复合薄膜,并在480℃下进行热处理。扫描电子显微镜（SEM）和能谱分析（EDS）研究表明磁控溅射的Al/Ag/Al导电复合薄膜表面平整,热处理后表面Al膜生成致密的氧化层。溅射沉积和热处理过程中Ag和Al原子的相互扩散,最后形成富Ag的Ag-Al合金和Ag3Al化合物。Al/Ag/Al导电复合薄膜比Ag/Al复合薄膜的电阻率增大了一个数量级,导电复合薄膜热处理后导电性能更优,电阻率约为19.4×10-6Ω.cm。
关键词:
Al/Ag/Al
,
导电复合薄膜
,
热处理
,
电阻率
张永爱
,
林金阳
,
吴朝兴
,
郑泳
,
林志贤
,
郭太良
功能材料
利用磁控溅射、光刻、湿法刻蚀和电泳技术在玻璃基片上成功制备平行栅场发射阴极阵列,用光学显微镜、场发射扫描电镜和拉曼光谱观察了碳纳米管的形貌和结构,并测试所制备的平行栅碳纳米管阴极的场发射性能.光学显微镜和场发射电子显微镜测试表明,平行栅结构阴极和栅极交替地分布,同一个平面内,CNTs有选择性地沉积在平行栅结构中的阴极表面.场发射测试表明,平行栅CNTs场发射阴极的开启电压为 155V,发射电流高达268μA,场发射特性完全由栅压控制;此外,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,开启电压更低,发光均匀性更好,具有更好的发射特性.
关键词:
碳纳米管
,
平行栅
,
场发射
,
电泳
,
丝网印刷
林金阳
,
张永爱
,
王灵婕
,
郭太良
功能材料
以NaOH和Bi(NO3)3·5H2O为原料,以庚烷、油酸和丙酮为分散剂,在室温下,制备氧化铋纳米线材料.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)分析产物结构和形貌,分析可知该氧化铋纳米线直径约50nm,长度几微米至几十微米之间.通过丝网印刷,制备氧化铋纳米线阵列,并进行场发射性能测试,结果表明,当电流密度0.1μA/cm2时,开启电场2.6V/μm,良好的场发射性能说明氧化铋纳米线在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力.
关键词:
氧化铋
,
纳米线
,
场发射
,
开启电场
