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La改性 BaTiO3陶瓷的结构与电性能

, 孙亮 , 李晓丹 , 韦永德

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.002

采用气相扩渗和液相掺杂两种方法制备了 La改性的 BaTiO3陶瓷,并对其组成、结构、形貌以 及电性能的变化进行了研究. La的液相掺杂可使纯 BaTiO3陶瓷的电阻率从 4.0× 1012Ω· m下降 为 3.0× 106Ω· m; 而 La的气相扩渗使其电阻率下降更为明显, 变为 8.2× 104Ω· m. La掺杂 BaTiO3陶瓷的晶粒电阻随温度的变化,呈现出明显的 NTC效应,而晶界电阻则呈现 PTC效应. La 扩渗 BaTiO3陶瓷的晶粒电阻随温度的变化,呈现出明显的 PTC效应;晶界电阻随着温度的升高急 剧连续降低 ,样品总电阻的 PTC效应已不存在. XRD分析表明, La掺杂的 BaTiO3陶瓷并没有形成 新相,而扩渗的 La元素已经与陶瓷组元发生了复杂反应,生成了 La2C2O2 、 Ba5La4Ti8O27一些新的 化合物,从而导致了导电性的显著变化. SEM分析表明, La扩渗的 BaTiO3陶瓷,因形成新相,从而 使形核数量增多,形成了均匀、细小、弥散的形貌特征.

关键词: 气相扩渗 , 液相掺杂 , 钛酸钡陶瓷 , 电性能 , 稀土

氧化钆对钛酸钡陶瓷结构和介电性能的影响

, 王进福 , 朱力勇 , 韦永德

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2003.01.018

采用固相法制备得到了掺杂1%(mol)Gd2O3的钛酸钡陶瓷,并通过X射线衍射分析和扫描电镜对其结构进行了表征.对其介电常数、介电损耗和室温电阻率进行了测定,结果表明Gd2O3掺杂BaTiO3陶瓷的介电常数明显增加,介电损耗也有所升高,室温电阻率明显降低.

关键词: BaTiO3 , 钆掺杂 , 介电性能

Pr, Mn多元渗对 BaTiO3陶瓷结构与电性能的影响

, 黄金祥 , 张巨生 , 王进福 , 刘志刚

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00816

采用溶胶-凝胶法制备了纯BaTiO3、Pr, Mn液相掺杂及气相多元扩渗改性的BaTiO3陶瓷. 研究结果表明, Pr掺杂能使纯BaTiO3陶瓷的室温电阻率下降为1.01×105Ω·m; 而Mn掺杂使室温电阻率升高为1.50×1013Ω·m. 但 Pr和Mn的气相扩渗都能降低BaTiO3陶瓷的室温电阻率至1.08×103Ω·m和1.29×105Ω·m. Pr-Mn共渗BaTiO3陶瓷出现了典型的NTC效应. XRD分析表明, Pr或Mn掺杂并不能改变BaTiO3陶瓷的物相结构, 但经Pr-Mn共渗后,出现了新化合物BaMn0.12Al1.88O4和Al8Mn4Pr的特征峰. XPS分析表明, 气相多元渗使Pr, Mn, C元素都扩渗到陶瓷体内, 并使各化学元素之间的结合更加牢固. SEM测试结果表明, Pr, Mn气相扩渗使陶瓷表面明显改观, 晶粒生长完整, 粒度分布均匀, 气孔率下降.

关键词: 钛酸钡 , rare earth , gaseous penetration, NTC effect , null

Dy掺杂BaTiO3陶瓷的制备及其介电性能

邢晓旭 ,

功能材料

采用溶胶凝胶法制备了掺杂不同量Dy2O3(掺杂摩尔分数分别为:0.001,0.002,0.003,0.005,0.007)的BaTiO3陶瓷,并对其介电性能的变化进行了研究.结果表明:Dy2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的电阻率明显降低,当添加量为0.005mol时,电阻率最小,为4.19×108Ω·m.Dy2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的介电性能在不同掺杂量和不同频率下发生了明显变化,掺杂量为0.001mol、0.002mol时,BaTiO3陶瓷的介电特性和频率特性得到明显改善,在频率为1000Hz时介电性能相对较好.Dy2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的介电温谱有所展宽,且Curie温度有所降低,交流电导随着温度的升高而增大,并在Curie点附近达到最高.

关键词: , 钛酸钡 , 介电性能

Nd扩渗PbTiO3陶瓷的制备及其电性能研究

, 韦永德

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2003.03.001

采用气相法对PbTiO3陶瓷扩渗Nd元素,经Nd扩渗,PbTiO3陶瓷的电性能发生了十分显著的变化.通过正交实验,确定了最佳扩渗条件,当Nd的浓度为1.5%(w), 扩渗时间为4h,扩渗温度为860℃时,PbTiO3陶瓷的导电性最好,其室温电阻率从2.0×1010Ω*m下降为10.5Ω*m.经Nd扩渗的PbTiO3陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,而晶界电阻随着温度的升高,呈急剧连续降低状态,总电阻的变化规律与晶界电阻的变化相一致,但PTC效应已不存在,有向导电体过渡的趋势.

关键词: Nd , 钛酸铅 , 气相扩渗 , 电性能

Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的结构与电性能研究

, 韦永德

无机材料学报

采用溶胶-凝胶法制备了掺杂不同浓度Sm2O3(分别为0.001,0.002,0.003,0.005,0.007mol)的BaTiO3陶瓷,并对其结构与电性能进行了研究.结果表明:Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶型在室温下为四方相,而且随着Sm2O3掺杂浓度的增加,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸变小,说明Sm2O3掺杂对BaTiO3陶瓷晶粒的生长有一定的抑制作用;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的电阻率比纯BaTiO3陶瓷明显下降,当添加量为0.001mol时,电阻率最小,.从4.3×109Ω·m下降为6.536×103Ω·m;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化,呈现NTC效应,而晶界电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,且晶界电阻远远大于晶粒电阻,说明该材料的PTC效应是由晶界效应引起的.

关键词: BaTiO3 , Sm2O3 dopant , electric characteristics , sol-gel

稀土元素对铬酵母中铬含量影响的研究

, 韦永德 , 金婵 , 丛华

中国稀土学报

研究了稀土化合物在铬酵母制备过程中对总铬和有机铬含量的影响作用. 镧、铈、镨、钕等轻稀土化合物均能明显提高铬酵母中总铬和有机铬的含量, 其中镧化合物对铬酵母中总铬和有机铬含量的提高作用最显著, 总铬含量可达到708.33 μg*g-1, 有机铬含量可达到639.0 μg*g-1, 是未加稀土铬酵母样品的近3倍; 添加钕化合物的铬酵母中有机铬占总铬的比例最高, 可达到97.5%. 通过紫外光谱分析, 发现有机铬在260 nm处有特征吸收峰, 通过红外光谱分析, 发现有机铬在478 cm-1处有特征吸收峰, 而加稀土化合物的铬酵母样品在此两处的吸收峰值均高于未加稀土的铬酵母样品.

关键词: 稀土 , 铬酵母 , 有机铬

La,Pr改性ZnO导电粉的制备

, 左海英

材料科学与工艺

为了提高ZnO的导电性,采用稀土气相扩渗法对ZnO粉体进行了La,Pr改性,采用X射线衍射分析、扫描电子显微镜、差热分析和电阻测试仪,对改性前后ZnO组成、结构及电性能的变化进行了研究XRD测试结果表明:La扩渗后,在29.5°出现了一个与La有关的特征峰,Pr扩渗后,在30.5°出现了一个与Pr有关的特征峰,证明La,Pr已渗入ZnO粉体,SEM测试结果表明:ZnO粉体经La,Pr扩渗后晶粒明显细化,团聚现象减弱,热重分析表明:经稀土扩渗后的ZnO粉体具有较好的热稳定性,La,Pr扩渗后ZnO粉体的室温电阻率由1014Ω·cm分别下降到1.6×1106Ω·cm和1.9×106Ω·cm,说明La,Pr扩渗可明显改善ZnO粉体的导电性能和应用性能.

关键词: , , 气相扩渗 , ZnO , 导电粉

Sm对BaTiO3陶瓷的气相扩渗及其电性能

, 韦永德

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.03.009

为了改善BaTiO3陶瓷的电性能,采用气相法对BaTiO3陶瓷扩渗了Sm元素,探讨了Sm扩渗对BaTiO3陶瓷导电性能和介电性能的影响.研究表明:经Sm扩渗后,BaTiO3陶瓷的室温电阻率从4.3×109 Ω·m下降到2.1×102 Ω·m,而且随着频率增大和温度升高,交流电导逐渐增大,BaTiO3陶瓷的导电性更强;经Sm扩渗的BaTiO3陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,而晶界电阻随着温度的升高,呈急剧连续降低状态,总电阻的变化规律与晶界电阻的变化相一致,试样总电阻的PTC效应已不存在,有向导电体过渡的趋势;Sm扩渗使BaTiO3陶瓷的介电常数在低频下显著增加,介电常数随温度的变化呈明显的PTC效应,并使BaTiO3陶瓷的居里温度升高到128.9℃.

关键词: , 稀土 , 钛酸钡 , 气相扩渗 , 电性能

有机铜催化剂催化合成三乙氧基硅烷

张磊 , , 李季 , 冀鸽 , 杨春晖

材料科学与工艺

传统的直接法合成三乙氧基硅烷多以卤化铜为催化剂,存在产品卤素含量高,反应过程中产物易水解的问题.本文以乙酸铜和自制双二乙基磷酸铜为催化剂,对硅粉与催化剂的混合体(触体)进行微波活化处理,研究了活性触体和乙醇进行反应合成三乙氧基硅烷的工艺影响因素,主要考察了微波功率、微波处理时间、反应温度、促进剂及搅拌速度等因素对三乙氧基硅烷的选择性和硅粉转化率的影响.通过对两种有机铜催化剂的对比研究发现,双二乙基磷酸铜的催化效果较好.微波处理触体[m(Si):m(双二乙基磷酸铜)=10:1],以氟化铵和噻吩为双重促进剂,得到三乙氧基硅烷的选择性达到99.3%,硅粉转化率为41%.

关键词: 三乙氧基硅烷 , 乙酸铜 , 双二乙基磷酸铜 , 微波 , 促进剂

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