鞠鹏
,
王银顺
,
曹雨军
,
N.Midou
,
夏芳敏
,
T Hasegawa
,
郑一博
,
刘常军
,
赵伟杰
低温物理学报
高温超导电缆由于其较低的交流损耗和高传输电流密度的特点,随着地下电缆容量的不断提升在人口密集城区具有潜在的应用前景.交流损耗是是高温超导电缆的一个重要参数,对其运行稳定性和运行成本具有重要影响.为了研究高温超导电缆的交流损耗,用YBCO涂层导体绕制了一根长1.5米的冷绝缘电缆导体,此电缆导体包括一层导体层,绝缘层,和一层屏蔽层.基于Bean临界态模型对电缆导体的交流损耗进行了分析并在工频77 K条件下用电测法对交流损耗进行了测量.结果在计算值与试验结果之间有难以置信的差异.本文基于电缆导体两端的几何与机械结构对产生这种现象的原因进行了定性分析.
关键词:
交流损耗
,
冷绝缘高温超导电缆
,
YBCO涂层导体
,
端部
韦志仁
,
李军
,
刘超
,
林琳
,
郑一博
,
葛世艳
,
张华伟
,
窦军红
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.009
本文采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol/L KOH,前驱物为添加适量NiCl2*6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xNixO稀磁半导体晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的NiCl2*6H2O为前驱物,水热反应产物为掺杂Ni的多种形态ZnO混合晶体,对其个体较大的晶体中进行电子探针测量表明,前驱物中的添加量和晶体中实际掺入量有很大的差异,只有少量的Ni离子掺入ZnO,最大Ni原子分数含量为0.62%.采用超导量子干涉磁强计测量材料的磁性,发现在室温以下,晶体的磁化强度不随温度升高而下降.在室温下,存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,说明具有室温下的铁磁性.
关键词:
氧化锌
,
水热合成
,
稀磁半导体
韦志仁
,
刘超
,
李军
,
林琳
,
郑一博
,
葛世艳
,
张华伟
,
窦军红
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.012
本文采用水热法,在430℃,填充度为35%,3mol/L KOH作为矿化剂,反应时间为24h,合成了Zn1-xCoxO晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的CoCl2·6H2O为前驱物时,水热反应产物中,可以获得多晶体形态的掺杂Zn1-xCoxO晶体.电子探针测量表明,随着前驱物中CoCl2·6H2O添加量的增加,晶体中的Co实际掺入量也随着增加.采用超导量子干涉磁强仪测量材料的磁性,发现在室温以下,水热法合成的Zn1-xCoxO晶体的磁化强度随温度变化很小,在300K存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,表明具有室温下铁磁性.
关键词:
水热合成
,
氧化锌
,
矿化剂
,
稀磁半导体
,
晶体
李志强
,
徐丽云
,
赵起
,
郑一博
,
韦志仁
,
侯志青
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.06.034
采用化学气相输运法,研究了在蓝宝石基片上大比例掺杂Co生成的ZnO晶体形貌.分别选用Co2O3与ZnO的质量比3%、5%、7%、15%、20%5种不同含量的样品,通过电子显微镜发现得到的晶体呈六棱结构,一般显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负极面c{0001}和正极面c{0001},随着Co掺入量的增加得到的Zn1-xCoO晶体表面趋于光滑,晶体六棱结构趋于不对称,锥面面积减小,极性生长特性减弱.Zn1-xCoxO晶体的X射线能谱图显示Co的掺入量与原料配比中Co的量几乎成正比,Co可以大比例掺入ZnO晶体中.
关键词:
化学气相输运法
,
蓝宝石
,
Zn1-xCoxO晶体
韦志仁
,
葛世艳
,
窦军红
,
李军
,
刘超
,
林琳
,
郑一博
,
董国义
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.025
本文研究了在430℃,填充度为35用了3mol/L,5mol/L LiOH做矿化剂,所获得晶体均为10μm以下的微晶.当矿化剂为1mol/L LiOH和1mol/L KBr时,所获得晶体同样为几微米的微晶,显露完整的正极面{0001}、负极面{0001}、锥面{1011}和柱面{1010}.矿化剂为3M LiOH和3M KBr时,出现个体较大的晶体,直径超过100μm,显露正极面{0001}、正锥面{1011}和柱面{1010},负极面出现缺损现象.由此说明和K+相比溶液中的Li+不利于生成大尺寸ZnO晶体.
关键词:
水热法
,
氧化锌
,
晶体
,
矿化剂
,
氢氧化锂
韦志仁
,
李军
,
刘超
,
林琳
,
郑一博
,
葛世艳
,
张华伟
,
窦军红
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.024
本文采用水热法,以SnCl4·5H2O为前驱物,NaOH为矿化剂,在180℃,填充度为68%,通过加入不同量的NaOH,调节溶液pH值分别为2、4、11,合成了三种具有不同形态的金红相SnO2纳米晶体.其中在较高浓度的酸或强碱环境下合成了具有清晰结构,长100nm、直径10nm的SnO2纳米柱体.
关键词:
二氧化锡
,
水热合成
,
纳米柱
董国义
,
窦军红
,
张蕾
,
韦志仁
,
葛世艳
,
郑一博
,
林琳
,
田少华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.026
本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程.发现制备过程中Mn2+、Cu1、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响.光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果.本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用.
关键词:
ZnS
,
微波介电谱
,
热释光
,
光电子
韦志仁
,
刘超
,
李军
,
葛世艳
,
张华伟
,
林琳
,
郑一博
,
窦军红
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.021
本文采用水热法在430℃,以3mol%·L-1KOH作矿化剂,填充度为35%,反应时间24h,合成了Zn1-xMnxO稀磁半导体晶体.所合成晶体具有ZnO纤锌矿结构,晶面显露正极面{0001}、负极面{0001}、菱面{1011}及负菱面{1011}晶体高度为5～30μm,径高比约为2:1.X荧光能谱(EDS)显示Mn原子百分浓度为2.6%(x=0.026).晶体呈现低温铁磁性,居里温度50K.
关键词:
水热合成
,
氧化锌
,
稀磁半导体
