李强
,
李元勋
,
李颉
,
郁国良
,
左林
,
王雨
材料导报
采用固相法制备了Ni0.2 Cu0.2 Zn0.6 Fe2O4铁氧体,在850℃进行预烧结,通过添加不同量的Bi2O3-HBO3-ZnO (BBZ)助熔剂,在不同温度烧结成型.研究了烧结温度和BBZ添加量对NiCuZn铁氧体材料微观结构和磁性能的影响.通过XRD、SEM、VSM和磁谱分析,结果表明,BBZ的加入起到了良好的低温烧结作用,在不同的烧结温度下性能呈现一定的规律.加入2％(质量分数)BBZ、950℃烧结的NiCuZn铁氧体晶粒生长较均匀,饱和磁化强度为51.9 emu/g,起始磁导率μ′=349.9,磁谱损耗角正切值tanδ在0.02左右.
关键词:
NiCuZn铁氧体
,
低温共烧
,
BBZ助熔剂
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
刘森林
,
宗敏华
催化学报
研究了水/有机溶剂双相中来源于郁李仁的(R)-醇腈酶催化2-三甲基硅-2-乙酮与2-甲基-2-羟基丙腈对映选择性合成(R)-2-三甲基硅-2-羟基丙腈,初步探讨了反应时间、酶粉颗粒大小、底物浓度、底物配比和酶添加量对转氰反应的影响. 结果表明,适宜的反应条件为: 反应时间96 h左右, 酶粉颗粒大小0.3～0.45 mm, 底物2-三甲基硅-2-乙酮浓度14 mmol/L, 底物2-甲基-2-羟基丙腈与2-三甲基硅-2-乙酮摩尔比2:1, 单位体积反应介质中的酶添加量43.5 g/L左右. 在该优化反应条件下,反应平衡转化率和产物的光学纯度(ee值)均可高达99%. 对比研究发现,郁李醇腈酶催化2-三甲基硅-2-乙酮反应在酶促反应初速率、底物转化率和产物光学纯度等方面均显著优于其碳结构类似物3,3-二甲基-2-丁酮.
关键词:
郁李仁
,
(R)-醇腈酶
,
2-三甲基硅-2-乙酮
,
氰基转移
,
对映选择性合成
,
(R)-2-三甲基硅-2-羟基丙腈
,
(R)-酮氰醇
,
有机硅
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
吴双成
电镀与精饰
总结记录了一百多年来我国出版的电镀书籍名录,可以从一个侧面反映出我国电镀业的曲折发展的历史过程.电镀业与其他行业相比,是一个较小的行业.本文对了解电镀工业发展历程,以及学习电镀技术、撰写文章、学术研究有一定的帮助.
关键词:
电镀
,
表面处理
,
图书
,
目录
材料保护
回顾了我国镀镍40年的发展史,列出了典型的镀镍基本配方,对光亮剂的研制进展予以了论述.最后说明了镀镍管理和维护的重要性.
关键词:
镀镍
,
光亮剂
,
管理与维护
