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图案化厚膜多孔硅制备与表征

图案化多孔硅是微电子、微机械、光电子器件的重要组成部分.实验以含Si3N4保护层的光刻单晶硅片为基底,采用电化学阳极氧化法制备图案化厚膜多孔硅,分析阳极氧化前后Si3N4保护层表面形貌变化特征和光刻尺寸对图案化多孔硅宽度、膜层厚度的影响规律,表征图案化多孔硅的结构、组成与发光性能.结果表明,氧化前Si3N4保护层局部区域出现枝晶,阳极氧化后形成不均匀孔状结构;制备的图案化多孔硅膜厚62～83μm,其横向扩展程度和膜层厚度均随光刻尺寸增大呈减小趋势;图案化多孔硅微结构含大量不规则裂纹和硅柱,新鲜制备的表面含Si-Hx键,其光致发光峰值波长650nm.

关键词: 图案化多孔硅 , 纳米结构材料 , 光致发光

低温燃料电池非铂催化剂研究进展

张洁 , 唐水花 , 廖龙渝 , 郁卫飞

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(12)60588-9

简要综述了近年来低温燃料电池阳极和阴极催化剂的研究进展.阳极催化剂主要介绍了金属碳化物、Pd合金以及钙钛矿型氧化物三种,讨论了阳极催化剂对燃料氧化过程的催化活性和抗CO中毒能力;阴极催化剂则重点介绍了过渡金属大环化合物、氮化物以及氧化物,并较详细地阐述了过渡金属大环化合物的反应活性中心、金属-载体相互作用以及化合物制备条件.由于阴极非铂催化剂存在制备过程较复杂、中间产物过氧化物易破坏催化剂结构等问题,仍需探索新型的非铂催化剂.

关键词: 燃料电池 , 非铂催化剂 , 甲醇氧化 , 氧还原反应

滚动导卫优化设计

胡尚权

钢铁研究 doi:10.3969/j.issn.1001-1447.2003.04.012

针对攀钢线材厂粗中轧滑动导卫不适应优质钢生产的问题,介绍滚动导卫的选择和优化设计及其效果.

关键词: 滚动导卫 , 轧机 , 优化设计

无孔型轧制导卫设计

黄文初

中国冶金

山东莱芜钢铁集团公司棒材厂在开发无孔型轧制工艺过程中,设计应用了可调组合式滑动进口导卫装置,并对滚动进口导卫进行了修复改进,保证了无孔型轧制工艺的顺利实施及轧制过程稳定。可调组合式滑动进口导卫装置,导卫内腔尺寸及安装尺寸可调,适应性、共用性强,具有推广应用价值。

关键词: 无孔型轧制 , 可调 , 组合式 , 导卫设计

提高轧机导卫辊寿命的研究

陈其伟

钢铁研究学报

在分析棒、线材轧机使用的Gx铸造合金导卫辊失效形式的基础上,对不同热处理状态的GJH-2合金和Gx铸造合金,在不同温度下的高温磨损特性进行了对比试验,并将GJH-2合金制成导卫辊在轧机上进行了装机试验.试验结果表明,用GJH-2合金代替Gx铸造合金制作导卫辊可以大幅度提高导卫辊的使用寿命和经济效益,GJH-2合金导卫辊的使用寿命是Gx铸造合金辊的16.5倍.

关键词: 导卫辊 , 寿命 , 钢结硬质合金 , 高温磨损 , 特性

多元高铬钼铸钢导卫板的研制

洪桃生 , 符寒光

钢铁研究 doi:10.3969/j.issn.1001-1447.2000.04.014

以Cr、Mo为主要合金元素,用Ni、Mn、Si、V、Ti合金化处理,用Y-K-Na变质处理,研制成功了性能优良的多元高铬钼铸钢,用于制作轧钢机导卫板,使用寿命比高镍铬合金导卫板提高了50%以上,成本降低30%,综合效益良好.

关键词: 高铬钼铸钢 , 微合金化 , 变质处理 , 导卫板

安钢高线粗中轧机导卫设计特点

解继锋 , 赵自义 , 李子林

钢铁研究 doi:10.3969/j.issn.1001-1447.2003.05.008

介绍了安钢自行设计的高线粗中轧机导卫装置的设计原则和特点.

关键词: 高线轧机 , 导卫 , 设计

导卫装置的发展及导辊材料的研究

向勇 , 任立军

钢铁研究 doi:10.3969/j.issn.1001-1447.1999.04.011

回顾了导卫装置的发展历程,全面介绍了导辊的材料使用状况,分析失效形式并找出失效原因,阐述了导辊的选材和材料研究方向.

关键词: 导卫 , 导辊 , 抗磨材料

等离子喷焊工艺试验及其在热轧导卫板上的应用

王银军

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2005.04.021

应用合金粉末等离子喷焊技术进行工艺试验,获得了Fe50、Ni60及NiWC25三种优质合金强化喷焊层.热轧导卫板表面等离子喷焊NiWC25工业试验表明:具有NiWC25等离子喷焊强化层的Q235导卫板使用寿命高,平均过钢量达10万吨,约为灰铸铁HT200导卫板的5倍.

关键词: 等离子喷焊 , 合金粉末 , 导卫板

水/有机溶剂双相中郁李醇腈酶催化含硅(R)-酮氰醇对映选择性合成

刘森林 , 宗敏华

催化学报

研究了水/有机溶剂双相中来源于郁李仁的(R)-醇腈酶催化2-三甲基硅-2-乙酮与2-甲基-2-羟基丙腈对映选择性合成(R)-2-三甲基硅-2-羟基丙腈,初步探讨了反应时间、酶粉颗粒大小、底物浓度、底物配比和酶添加量对转氰反应的影响. 结果表明,适宜的反应条件为: 反应时间96 h左右, 酶粉颗粒大小0.3～0.45 mm, 底物2-三甲基硅-2-乙酮浓度14 mmol/L, 底物2-甲基-2-羟基丙腈与2-三甲基硅-2-乙酮摩尔比2:1, 单位体积反应介质中的酶添加量43.5 g/L左右. 在该优化反应条件下,反应平衡转化率和产物的光学纯度(ee值)均可高达99%. 对比研究发现,郁李醇腈酶催化2-三甲基硅-2-乙酮反应在酶促反应初速率、底物转化率和产物光学纯度等方面均显著优于其碳结构类似物3,3-二甲基-2-丁酮.

关键词: 郁李仁 , (R)-醇腈酶 , 2-三甲基硅-2-乙酮 , 氰基转移 , 对映选择性合成 , (R)-2-三甲基硅-2-羟基丙腈 , (R)-酮氰醇 , 有机硅

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