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InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

徐安怀 , 邹璐 , 陈晓杰 , 齐鸣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.018

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InP HBT材料,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为4×10-4量级,典型的InP发射区掺杂浓度(4×1017 cm-3)时,电子迁移率为800 cm2·V-1·s-1,具有较好的电学特性,可以满足器件制作的要求.

关键词: 分子束外延 , 异质结双极晶体管 , InGaAs , InP

中国一定会圆世界钛工业强国之梦——访宝钛集团有限公司总经理邹武装

陈岩

钛工业进展 doi:10.3969/j.issn.1009-9964.2011.03.013

关键词:

中国腐蚀与防护学会腐蚀电化学及测试仪器使用经验专题讨论会在天津召开

中国腐蚀与防护学报

<正> 中国腐蚀与防护学会腐蚀电化学及测试仪器使用经验专题讨论会1984年4月10日至16日在天津市召开。来自全国各地70多个单位120多名代表出席了这次会议。 会议邀请了上海师院化学系电化学教研室章宗稂副教授报告了美国电化学研究技术近况;天津市电子仪器厂总工程师邹大稼介绍了动态分析与信息革命。 会议分下列六个专题进行了讨论: 1.新研制的仪器和新建立的测试方法

关键词:

化学修饰法表征Bacillus smithii T7产耐热菊粉酶催化活性中心的必需氨基酸残基

刘彬 , 王静云 , 包永明 , 张帆 , 安利佳

催化学报

采用化学修饰法研究了史氏芽胞杆菌Bacillus smithii T7产耐热菊粉酶活性中心氨基酸残基,发现该酶活性中心存在一个组氨酸残基和一个谷氨酸(或天冬氨酸)残基.修饰前后的酶动力学参数变化表明组氨酸残基参与了底物的结合和催化过程,而谷氨酸(或天冬氨酸)的羧基亲核攻击促使底物分解.邹氏作图法证明酶活性中心存在两个必需的色氨酸残基,荧光和圆二色光谱研究表明色氨酸残基在酶的催化和酶的耐热性方面起重要作用.

关键词: 菊粉酶 , 化学修饰 , 活性中心 , 氨基酸残基 , 催化

LTNF常温Ni-Fe合金镀层的耐蚀原因分析

黄树坤 , 邹振华 , 邝少林 , 肖觉民 , 吴力军

中国腐蚀与防护学报

ＬＴＮＦ常温Ｎｉ－Ｆｅ合金镀层的耐蚀原因分析黄树坤，邹振华，邝少林（湖南大学化学化工系长沙４１００８２）肖觉民，吴力军（湖南大学材料测试中心）１前言通常的瓦特镀镍工艺在常温下得到的镍镀层发暗，应力大且耐蚀性差，不宜作为防护装饰性镀层使用．我们曾提出一种节能、省镍的ＬＴＮＦ常温Ｎｉ－Ｆｅ合金电镀工艺［１］，由该工艺得到的镀层不但光亮，而且应力低，耐蚀性优良，可作为防护装饰性镀层使用．本文报导关?...

关键词: null , Anti-corrosion , Lamellar Structure