孙英岚
,
边继明
,
孙景昌
,
梁红伟
,
邹崇文
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10636
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列. 通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测. 结果表明, 六棱柱形ZnO纳米棒沿 c 轴方向的阵列性良好, 且均匀致密的生长在衬底上. 室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列. 使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量, 研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响. 另外, 对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
hydrothermal
,
photoluminescence
,
X-ray absorption near-edgespectroscope
孙柏
,
邹崇文
,
刘忠良
,
徐彭寿
,
张国斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01005
在不同的衬底温度下, 通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜. ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征. 同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性. 实验结果表明, 在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量, 并且表现出很强的紫外发射. 在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中, 还观察到了一个位于430nm处的紫光发射, 我们认为这个紫光发射与存在于晶粒间界的界面势阱所引起的缺陷态有关, 这个势阱可能起源于Zn填隙(Zn i)
关键词:
ZnO
,
pulsed laser deposition
,
photoluminescence
,
synchrotron radiation
孙柏
,
邹崇文
,
刘忠良
,
徐彭寿
,
张国斌
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.039
在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜.ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征.同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性.实验结果表明,在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量,并且表现出很强的紫外发射.在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中,还观察到了一个位于430nm处的紫光发射,我们认为这个紫光发射与存在于晶粒间界的界面势阱所引起的缺陷态有关,这个势阱可能起源于Zn填隙(Zni).
关键词:
ZnO
,
脉冲激光淀积
,
光致发光
,
同步辐射
孙英岚
,
边继明
,
孙景昌
,
梁红伟
,
邹崇文
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10636
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测.结果表明,六棱柱形ZnO纳米棒沿c轴方向的阵列性良好,且均匀致密的生长在衬底上.室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列.使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量,研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响.另外,对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
水热法
,
光致发光谱
,
X射线吸收近带边谱
中国腐蚀与防护学报
<正> 中国腐蚀与防护学会腐蚀电化学及测试仪器使用经验专题讨论会1984年4月10日至16日在天津市召开。来自全国各地70多个单位120多名代表出席了这次会议。 会议邀请了上海师院化学系电化学教研室章宗稂副教授报告了美国电化学研究技术近况;天津市电子仪器厂总工程师邹大稼介绍了动态分析与信息革命。 会议分下列六个专题进行了讨论: 1.新研制的仪器和新建立的测试方法
关键词:
刘彬
,
王静云
,
包永明
,
张帆
,
安利佳
催化学报
采用化学修饰法研究了史氏芽胞杆菌Bacillus smithii T7产耐热菊粉酶活性中心氨基酸残基,发现该酶活性中心存在一个组氨酸残基和一个谷氨酸(或天冬氨酸)残基.修饰前后的酶动力学参数变化表明组氨酸残基参与了底物的结合和催化过程,而谷氨酸(或天冬氨酸)的羧基亲核攻击促使底物分解.邹氏作图法证明酶活性中心存在两个必需的色氨酸残基,荧光和圆二色光谱研究表明色氨酸残基在酶的催化和酶的耐热性方面起重要作用.
关键词:
菊粉酶
,
化学修饰
,
活性中心
,
氨基酸残基
,
催化
