彭观良
,
李抒智
,
庄漪
,
邹军
,
王银珍
,
刘世良
,
周国清
,
周圣明
,
徐军
,
干福熹
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.014
采用气相传输平衡(VTE)技术,在(0001)面白宝石衬底表面上成功地制备出单相γ-LiAlO2层.研究了白宝石衬底表面形貌对γ-LiAlO2层质量的影响,发现白宝石衬底的表面粗糙度和退火处理是两个影响γ-LiAlO2层质量的重要因素.要制备高质量的γ-LiAlO2层,适度的表面粗糙度是恰当的.对白宝石衬底进行退火处理,γ-LiAlO2层的择优取向变差.并对其中可能的机理进行了探讨.
关键词:
白宝石
,
γ-LiAlO2
,
气相传输平衡
,
GaN
,
衬底
彭观良
,
周圣明
,
周国清
,
李抒智
,
王银珍
,
邹军
,
苏凤莲
,
刘世良
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.002
本文采用导向温梯法(TGT)生长[0001]方向的白宝石晶体,利用气相传输平衡(VTE)技术对晶体表面进行处理,发现双面抛光的C面白宝石晶片高温下与富锂(Li2O蒸气)气氛发生反应,表面生成一层γ-LiAlO2,随着VTE反应温度从750℃下降到730℃,γ-LiAlO2晶核的颗粒也随着减小,在730℃时已在1μm以下,经稀盐酸(HCl)腐蚀后形成多孔的表面,此方法有望制备出用于外延GaN的多孔衬底.
关键词:
白宝石
,
温梯法
,
气相传输平衡
,
多孔表面
,
GaN
,
多孔衬底
周健华
,
周圣明
,
邹军
,
黄涛华
,
徐军
,
谢自力
,
韩平
,
张荣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.022
本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等.通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高.
关键词:
r面蓝宝石
,
γ-LiAlO2
,
a面GaN
,
m面GaN
林辉
,
宋涛
,
周健华
,
黄涛华
,
夏国栋
,
邹军
,
董亚明
,
王军
,
周圣明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.033
采用溶胶凝胶法在LiAlO2(302)衬底上制备了ZnO薄膜.用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对样品的结构和形貌进行了表征.XRD结果表明,随着热处理温度的升高(350℃、450℃、550℃、600℃、800℃),所得到的薄膜分别为单相ZnAl2O4(350℃),ZnAl2O4和ZnO的混合相(450℃)以及单相的ZnO(550℃、600℃、800℃),并且ZnO薄膜c轴择优取向的生长趋势随温度升高相应明显.SEM图像显示,随着热处理温度的升高,ZnO薄膜的粒径相应变大.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
LiAlO2
,
ZnO
,
XRD
,
SEM
彭观良
,
庄漪
,
邹军
,
王银珍
,
刘世良
,
周国清
,
周圣明
,
徐军
,
干福熹
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.004
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料.本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征.结果表明LiAl-xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1.
关键词:
晶体生长
,
提拉法
,
γ-LiAlO2
,
LiAl1-xGaxO2
,
掺质
邹军
,
彭观良
,
陈俊华
,
李抒智
,
杨卫桥
,
周国清
,
徐军
,
周圣明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.024
本文采用导向温度梯度法生长出了透明γ-LiAlO2晶体,借助扫描电镜和X射线粉末衍射系统地研究了温度梯度法生长晶体的工艺过程,坩埚中晶体上部为LiAl5O8和LiAlO2多晶体,中部[100]方向自由结晶形成了单一透明的γ-LiAlO2晶体,下部为钼金属颗粒,蓝宝石籽晶被严重污染;坩埚内分成上、中、下三部分是晶体生长过程中熔体组分中Li2O挥发和腐蚀造成的.
关键词:
铝酸锂
,
导向温度梯度法
,
钼
,
氧化锂
邹军
,
彭观良
,
陈俊华
,
钱晓波
,
李抒智
,
杨卫桥
,
周国清
,
徐军
,
周圣明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.010
利用温度梯度法生长出了透明的γ-LiAlO2单晶,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的(001)晶片表面结构的影响.结果表明:1100℃/70h空气和真空中的退火处理使γ-LiAlO2晶片表层变成LiAl5O8多晶,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发,保持了晶格完整性并且提高了晶体质量.
关键词:
温度梯度法
,
退火
,
γ-LiAlO2
,
VTE
彭观良
,
周国清
,
庄漪
,
邹军
,
王银珍
,
李抒智
,
杨卫桥
,
周圣明
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.019
本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因.
关键词:
温梯法
,
r面白宝石
,
位错
,
化学腐蚀
,
腐蚀坑
,
缺陷
彭观良
,
邹军
,
庄漪
,
张涟翰
,
周国清
,
周圣明
,
徐军
,
干福熹
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.018
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为一种很有希望的CaN外延衬底材料.本文使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶.对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8).γ-LiAlO2晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解.当在空气中于1100℃退火70h,γ-LiAlO2晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8).值得注意的是,在γ-LiAlO2晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带.
关键词:
晶体生长
,
提拉法
,
γ-LiAlO2
,
外延
,
GaN
,
衬底
,
红外
苏凤莲
,
彭观良
,
邹军
,
宋词
,
杭寅
,
徐军
,
周圣明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.024
用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响.指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果.在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强.
关键词:
ZnO薄膜
,
脉冲激光沉积
,
退火
,
蓝光发射
