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3英寸双面YBCO高温超导外延薄膜研究

陈家俊 , 陶伯万 , , 刘兴钊 , 李德红 , 张鹰 , 何世明 , 李言荣 , 羊恺 , 张其劭

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.004

本文采用倒筒直流溅射方法(ICS)结合基片变速双轴旋转方式原位生长Φ3英寸双面YBCO高温超导外延薄膜.膜厚分布最大偏差小于10%,薄膜样品的中心与边缘部分的Tc0均达到90K,ΔTc≤0.3K,FWHM(005)≈0.2°,Rs(10GHz,77K)≈0.8mΩ,Jc值分布在2.2~3.1MA*cm-2之间,表明样品均匀性良好.

关键词: 高温超导薄膜 , YBCO , 均匀性

TFA-MOD方法制备YBCO涂层导体的研究进展

崔旭梅 , 陶伯万 , 李言荣 , 刘兴钊 , 陈家俊 , , 张鹰

稀有金属材料与工程

第2代高温YBCO涂层导体具有重要的应用前景,目前在世界范围内正展开制备YBCO涂层导体的研究.本文介绍了国际上用三氟乙酸盐-金属有机沉积(TFA-MOD)的方法制备YBCO涂层导体的工艺过程和主要进展情况,讨论了前驱溶液的合成和涂后热处理方法,以及YBCO超导层的形成机理.

关键词: TFA-MOD , YBCO , 涂层导体 , 临界电流密度

外延薄膜生长的实时监测分析研究

李金隆 , 张鹰 , , 刘兴钊 , 陶伯万 , 李言荣

功能材料

利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结构的对应关系,计算出表面的晶体学参数,同时采用激光分子束外延技术同质外延生长SrTiO3薄膜,根据RHEED衍射图样及强度振荡曲线实时监控薄膜的生长.

关键词: 薄膜生长 , 实时监测 , RHEED

BST类铁电薄膜的最低晶化温度和自装生长研究

李金隆 , 张鹰 , 李言荣 , , 熊杰

功能材料

利用激光分子束外延技术(LMBE)在Si(111)、SrTiO3(100)单晶基片上在(10-5pa)高真空环境中外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式.根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280℃、330℃、340℃的低温下实现外延层状生长.当保持BTO(110)/Si(111)层状生长,逐渐降低沉积速率时,发现这种层状模式中每层高度是由整数倍单胞堆积而成,并且随着沉积速率从0.017nm/s降低到0.005nm/s时,每层高度由9降低到1个BTO单胞构成,这对由ABO3钙钛矿材料自组装形成纳米结构具有重要意义.

关键词: 铁电薄膜 , BST , 外延生长 , LMBE

碳氢化合物催化裂解法制备碳纳米管所用催化剂的研究进展

曹清 , 陈召勇 , 李言荣 ,

材料导报

目前,制备碳纳米管的方法甚多,碳氢化合物催化裂解法是最有希望实现大规模生产的合成方法.该方法中催化剂的选择又是成功制备碳纳米管的关键,因此对当前使用的各种催化剂进行了分类讨论和总结.

关键词: 碳纳米管 , 催化剂 , 碳氢化合物催化裂解法

BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究

李金隆 , 李言荣 , 张鹰 , , 刘兴钊

无机材料学报

利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.

关键词: BST , ferroelectric thin films , low temperature , epitaxial growth

BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究

李金隆 , 李言荣 , 张鹰 , , 刘兴钊

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.041

利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长, 并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度, 发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.

关键词: BST , 铁电薄膜 , 低温 , 外延生长

VLS机制生长SiC晶须研究

陈一峰 , 刘兴钊 ,

材料导报

采用化学气相沉积方法,以Ni薄膜为催化剂,CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须.运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响.

关键词: SiC , 化学气相沉积 , 晶须

VLS同质外延6H-SiC薄膜生长的研究

陈一峰 , 刘兴钊 ,

材料导报

碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力.以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜.结果表明,VLS机制能在外延薄膜的表面有效地封闭微管,但是由于n(C)/n(Si)较大,薄膜表面存在大量的台阶.为了进一步改善薄膜表面形貌,采用"两步法"工艺外延SiC薄膜,在封闭微管的同时提高了表面平整度,得到了质量较好的6H-SiC外延薄膜.

关键词: 6H-SiC , 同质外延 , 气-液-固生长机理

管道阴极保护断电电位测量结果分析

罗鹏 , 金鑫 , 徐承伟 , 薛致远 , 高强 , 张永盛

腐蚀与防护

采用GPS卫星同步断电法对忠管道进行了断电电位测量,对结果进行了分析,评价了忠管道阴极保护系统的有效性,并提出了改进建议.结果表明,三层PE管道相比于环氧粉末涂层管道更容易出现过保护现象,而且还容易受到干扰;电位是反应管道所处状态的主要指标,阴极保护系统的通电电位呈规律分布,但断电电位影响因素复杂,无明显规律.

关键词: 阴极保护 , 通电电位 , 断电电位

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