陈俊红
,
孙加林
,
邓小玲
,
占华生
,
洪彦若
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2005.01.011
将Al2O3-SiC-C系铁沟浇注料及分别添加8%(质量分数)氮化硅、氮化硅铁的浇注料试样在空气中进行1500℃3 h热处理后,分别对氧化层进行形貌(SEM)及能谱分析(EDS),并结合热力学分析了氮化硅铁的防氧化行为:高温氧化气氛下,表面氮化硅铁中的Si3N4首先氧化生成SiO2,构成氧化层的主体;随着铁相材料的氧化,形成的氧化铁不但降低了氧化层的熔点,而且降低了熔体的粘度,增进熔体在材料表面上的润湿性及流动性,形成覆盖于材料表面的氧化层而阻止碳素氧化,使其具有比纯氮化硅更好的防氧化性能;另外,由于氮化硅铁在Al2O3-SiC-C系材料中加入量少,而且试样内部的铁不是以氧化铁形式存在的,故对材料高温使用性能的影响不大.
关键词:
氮化硅铁
,
Al2O3-SiC-C质浇注料
,
氮化硅
,
防氧化行为
邓小玲
,
孙加林
,
陈俊红
,
张厚兴
,
洪彦若
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2004.02.007
利用Si3N4的优良性质及金属塑性相Fe的作用,将其添加到高炉出铁沟用Al2O3-SiC-C浇注料中,以改善材料的力学性能和抗氧化性能.对高温处理后试样强度、显气孔率测试以及对氧化层的SEM分析,结果表明,添加适量的Si3N4-Fe,材料的显气孔率降低,强度提高,抗氧化性增强.
关键词:
Si3N4-Fe
,
Al2O3-SiC-C
,
浇注料
,
抗氧化性
,
出铁沟
,
高炉
蔡苇
,
陈晓勇
,
符春林
,
高荣礼
,
邓小玲
,
陈刚
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶匀胶法制备锆钛酸铅铁电薄膜,研究了前驱体影响因素(如有机溶剂、前驱单体加入顺序、添加剂)、溶胶影响因素(如溶胶浓度、pH值)、匀胶速度和退火温度对成膜质量及薄膜微结构、铁电性的影响.结果表明:采用乙二醇甲醚为溶剂对pb2+、Zr4+和Ti4+金属盐进行溶解优于乙醇和乙二醇,但由于乙二醇甲醚对硝酸锆的溶解性差,对硝酸锆应先用乙醇溶解再加入乙二醇甲醚的方法来进行溶解;以硝酸锆为Zr源配制溶胶时,只有先将Pb前驱液滴加到Ti前驱液中,然后再滴入Zr前驱液的方式才能得到澄清前驱体.将锆钛酸铅溶胶浓度和pH值分别控制在0.2～0.3 mol/L和2～3较为适宜,与此溶胶相适应的匀胶参数:转速为4000 r/min,时间为60 s.随退火温度升高,薄膜的晶化程度增加,且逐渐表现出(100)晶面择优取向,晶格常数c和四方率c/a逐渐增加,而晶格常数a逐渐减小;随退火温度升高,晶粒尺寸逐渐增大,使得剩余极化强度逐渐增加,矫顽场强逐渐减小.当退火温度为850 ℃时制备的锆钛酸铅薄膜具有均匀的晶粒、较低的表面粗糙度和最为优异的铁电性.
关键词:
锆钛酸铅
,
溶胶-凝胶法
,
铁电
蔡苇
,
符春林
,
胡文广
,
邓小玲
,
陈刚
人工晶体学报
采用微波烧结法制备铁酸铋多铁陶瓷,研究了微波烧结时间对其显微结构、介电性和铁电性的影响.结果表明:在4 kW下烧结35～40 min制备出基本为纯相的铁酸铋陶瓷；随烧结时间增加,铁酸铋陶瓷结构越来越致密,晶粒尺寸有一定程度增大；在-10～90℃范围内,介质损耗随烧结时间增加而增大；随微波烧结时间增加,剩余极化强度增大,而矫顽场强先增加后减小,且铁电性具有明显的频率依赖性；铁酸铋陶瓷的漏电流随微波烧结时间增加而减小,这是结构致密化的结果.
关键词:
铁酸铋
,
微波烧结
,
介电
,
铁电
蔡苇
,
符春林
,
邓小玲
,
程文德
金属功能材料
传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅.本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点.最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题.
关键词:
金属栅
,
综述
,
多晶硅
,
性能
霍萌
,
符春林
,
郭倩
,
廖欢
,
邓小玲
,
张朝阳
功能材料
采用基于密度泛函理论(DFT)的赝势平面波法,对Zr掺杂BaTiO3(BTO)的电子结构进行了第一性原理研究.结果表明,纯四方相钛酸钡的禁带宽度为1.863eV;随着锆含量的增加,锆钛酸钡(BZT)的总态密度向高能量方向移动且禁带宽度逐渐增大,导电性能降低,介质损耗减小.
关键词:
锆钛酸钡
,
第一性原理
,
能带
万垂铭
,
孟建新
,
邓小玲
,
张凤金
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2009.06.005
首次用低温水热法制备了ScF_3晶体及其掺杂Ce~(3+)的粉体.通过X射线粉末衍射(XRD),扫描电镜(SEM),荧光光谱(FS)对样品进行了表征.结果表明,所用氟化物的种类和反应温度对ScF_3的制备至关重要.以NaF作为原料更容易得到纯的ScF_3.当水热温度为120℃时,产物为ScF_3晶体,而温度升高至180℃时则为NaScF4复合氟化物.所制备的ScF_3呈针尖棒状放射形.考察了ScF_3:Ce~(3+)粉体荧光光谱性质,讨论了其与同类型的稀土氟化物的荧光光谱的比较.
关键词:
水热法
,
ScF_3
,
稀土
,
荧光光谱
邓小玲
,
蔡苇
,
符春林
,
陈刚
,
郭冬娇
功能材料
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Sn掺杂Ba(Zr0.2 Ti0.8)O3 (BZT)薄膜.结果表明,掺锡的BZT薄膜为钙钛矿结构,当Sn掺量超过4％时,出现了第二相BaO；SEM观察发现掺锡BZT薄膜表面光滑平整,孔洞和裂纹较少；当Sn掺量达到8％时,BZT薄膜的介电常数达到最大值,而介电损耗最小；BZT薄膜的剩余极化强度为2.29μC/cm2,矫顽场强为10.36kV/cm.
关键词:
BZT薄膜
,
Sn掺杂
,
性能
蔡雯馨
,
高荣礼
,
符春林
,
蔡苇
,
邓小玲
,
陈刚
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.02.012
铁酸铋(BFO)多铁性材料因具有丰富的物理性能,以及其在存储器、传感器、电容器、光伏器件等方面的广阔应用前景,在过去几十年一直受到广泛的关注.然而,由于Bi元素在高温下容易挥发,所以很难合成纯相的BFO薄膜.此外,因存在氧空位或由于Fe离子变价导致的非化学计量比等缺陷,使其漏电流密度较大,严重影响BFO薄膜的铁电性能及实际应用.退火工艺是影响材料微结构及宏观性能的重要因素,因此通过退火工艺来调控BFO薄膜的结构及性能是一种十分有效的手段.然而,退火工艺包括退火时间、退火气氛、退火温度以及退火方式等多种形式,究竟每一种退火形式如何影响BFO薄膜的结构及性能是值得探讨的问题.为此,综述了退火工艺(括退火时间、退火气氛、退火温度以及退火方式)对BFO薄膜的结构(晶粒尺寸、形状,电畴尺寸、类型,表面形貌)和性能(磁性、铁电性、介电性、漏电性、导电机制)的影响的研究进展,并提出了一些亟待解决的问题.
关键词:
多铁性材料
,
铁酸铋薄膜
,
缺陷
,
退火工艺
,
性能
