辛存良
,
何世安
,
满长才
,
朱艳慧
,
吴维薇
材料开发与应用
聚合物基耐磨材料具有摩擦磨损量低、摩擦系数小、加工性能好等优点,已经在航空、航天、船舶、机械、电子等领域获得了广泛的应用.本文按选用聚合物基体材料的类型不同,综述了不同类型耐磨材料的研究进展.
关键词:
摩擦磨损
,
聚四氟乙烯
,
聚醚醚酮
,
聚苯酯
,
聚酰亚胺
辛存良
,
何世安
,
胡来平
,
杜彬
涂料工业
通过喷涂的方法将聚四氟乙烯基耐磨涂料喷涂在摩擦试验样件基体表面,将该摩擦试验样件及其配对的摩擦副进行摩擦磨损试验、表面形貌分析和改变喷枪压力及表面粗糙度的工艺参数以分析涂层性能.结果表明:聚四氟乙烯基耐磨涂层经摩擦系数、磨损量测试后,摩擦系数先增大再稳定不变,最后稳定在0.15;磨损量先增大再减小最后稳定,即磨损量最后为恒定值.从表面形貌分析得出摩擦副的磨损主要是磨料磨损造成的.当喷枪压力为0.3 MPa时,耐磨涂层的膜层均匀性最佳;表面粗糙度为6.3 μm时,耐磨涂层与基体的附着效果较好.其结论得出该涂层摩擦系数和磨损量较低,耐磨性能较好,同时,当喷枪压力和表面粗糙度工艺参数合适时,耐磨涂层的性能效果最佳.
关键词:
聚四氟乙烯
,
摩擦系数
,
磨损量
,
粗糙度
,
附着力
郝亚茹
,
邓招奇
,
邓春健
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163105.0470
针对LED显示控制系统中移存频率受限于SDRAM的有效读取频率的问题,提出一种加速移存频率的方法.以LED显示控制系统的硬件逻辑为基础,建立扫描频率、移存频率、SDRAM有效读取频率等关键参数的相关数学模型,分析影响扫描频率的各种因素,提出图像数据拆分重组算法用于提高SDRAM的有效读取频率和移存频率.利用硬件逻辑实现该算法后,移存频率由原来的8.25 MHz提升到66 MHz,这就可以最大限度的发挥LED灯驱动芯片的移存能力,LED显示屏扫描频率也随之大幅提高.
关键词:
移存频率
,
SDRAM
,
扫描频率
,
拆分重组
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
王玉山
,
王燕
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2002.07.004
针对寿王坟铜矿的空区存窿矿石进行了室内摇瓶浸出试验和柱浸试验.试验表明寿王坟铜矿的矿石仅采用化学浸出,铜的浸出率较低,为46%左右,采用细菌浸出可将铜的浸出率提高26%,达72%.铜的浸出率与矿石的粒度成反比,即矿石的粒度越大,铜的浸出率越小.在生产中,先用酸浸出,然后再用细菌浸出的方案,既可加快铜的浸出,又可以降低浸矿时的酸耗,降低生产成本.
关键词:
溶浸
,
采矿
,
资源利用
田树旬
低温物理学报
找到了一个能够用矩阵法计算的新序参量,此参量既能给出有限数量格点时一维伊辛模型中存在相变,又能给出无限数量格点时相变消失的结果.利用此序参量求出了一个计算相变点的简洁近似公式.
关键词:
一维伊辛模型
,
相变
,
矩阵法
盛光敏
,
张功庭
,
阎春
稀有金属材料与工程
采用拉、压循环试验测试了Az31镁合金的包辛格效应(BE),并研究了BE的机制.测试结果表明:压缩预变形后反向拉伸出现明显的BE.而拉伸预变形后反向压缩出现反包辛格效应(RBE);且包辛格效应比反包辛格效应明显.循环拉、压加载过程中的显微组织和晶体取向演化研究结果表明,出现包辛格效应是由于预压缩时改变晶粒取向与反向拉伸时去孪生效应共同作用的结果:预拉伸变形虽然不改变晶粒取向,但使轴比c/a值降低,使反向压缩时发生孪生更加困难,从而导致反包辛格效应.
关键词:
AZ31镁合金
,
包辛格效应
,
反包辛格效应
,
晶粒取向
涂运冲
,
谢军龙
,
王嘉冰
,
张师帅
,
吴克启
工程热物理学报
在哈密尔顿体系下,提出气体声波传播的一种新的谐振子模型,并引入群论确定气体声波传播过程中的分子振动模式、能级简并.新模型将气动声学声传播问题与分子振动关联起来.由于发展高效的薛定谔方程的数值计算方法,有利于联系分子的性质来解释声的传播.本文从此出发,用二阶有限差分格式和生成函数法构造的二阶辛格式分别计算一维定态谐振子势场和含时谐振子势场的薛定谔方程,分析了数值解的误差以及传播能量误差.结果表明辛算法具有明显的优势.
关键词:
哈密顿原理
,
薛定谔方程
,
辛几何算法
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
