丛芳玲
,
赵青南
,
刘旭
,
罗乐平
,
顾宝宝
,
董玉红
,
赵杰
硅酸盐通报
采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga2O3含量为3wt.％的掺镓氧化锌透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪、UV-Vis-NIR3600型紫外-可见分光光度计研究了溅射时间对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,溅射时间为40 min时制备的GZO薄膜的光电综合性能最好,可见光区透过率峰值86％,方阻为16.4Ω/□,电阻率为1.18 ×10-3Ω·cm,性能指数ΦTc为4.73 ×10-3 Ω-1;随着溅射时间增加,薄膜光学带系从3.69 eV减少到3.56 eV.在溅射时间60 min时结晶度最高,方块电阻为9.0Ω/□,电阻率最低为9.7×10-4 Ω·cm,可见光透过率峰值为81％.
关键词:
GZO薄膜
,
溅射时间
,
光电性能
,
射频磁控溅射
罗乐平
,
赵青南
,
刘旭
,
丛芳玲
,
顾宝宝
,
董玉红
,
赵杰
硅酸盐通报
通过选取室温、100℃、200 ℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响.实验结果表明:当基片温度由室温提高至100℃后,氧化钨薄膜的循环寿命有较大的改善,循环次数由806次提高至3000次.当基片温度由100℃提高至200℃时,循环寿命反而有所衰退,循环次数由3000次减少至1000次.
关键词:
直流反应溅射
,
氧化钨薄膜
,
基片温度
,
循环寿命
,
光学调制幅度
刘旭
,
赵青南
,
罗乐平
,
丛芳玲
,
顾宝宝
,
董玉红
,
赵杰
人工晶体学报
经过膜系设计,以TiO2和SiO2为介质膜,采用磁控溅射镀膜工艺,制备了不同颜色的镀膜玻璃,计算了不同颜色玻璃的色坐标.用XPS表征了TiO2薄膜中Ti元素价态以及化学计量比;用紫外-可见光谱仪测试了复合膜选择性反射的特性;通过将镀膜玻璃浸泡于酸、碱中测试了其环境稳定性.测试结果表明,复合膜具有较强的抗碱能力,但其抗酸腐蚀能力较弱,随着腐蚀时间的延长,反射谱线向短波方向漂移且峰值降低;同时,也分析了腐蚀机理和谱线漂移的原因.
关键词:
彩色镀膜玻璃
,
磁控溅射
,
TiO2和SiO2薄膜
,
环境稳定性
王鹏
,
赵青南
,
周祥
,
赵修建
稀有金属材料与工程
室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜.用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率.并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化.结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率.
关键词:
同质缓冲层
,
ZnO:Al薄膜
,
射频磁控溅射法
,
方块电阻
,
玻璃基片
刘保顺
,
何鑫
,
赵修建
,
赵青南
稀有金属材料与工程
用直流反应磁控溅射法制备了TiO2薄膜,并对热处理前后试样的紫外可见光谱(UV-Vis spectrum)和荧光发射光谱(PL Spectrunm)做了研究.发现热处理后试样的紫外可见光谱在496 nm处出现了一个较为明显的吸收峰,荧光发射光谱496.5 nm处出现一个荧光发射带肩.X射线光电子能谱(XPS)的分析结果表明,热处理可使薄膜中晶格氧扩散出去,生成Ti3+离子和氧空位.结合XPS的分析结果和理论计算,可推断热处理后出现的位于496 nm处的吸收峰和496.5 nm处的荧光带肩可被指认为薄膜中Ti3+离子的d电子跃迁产生.
关键词:
热处理
,
二氧化钛
,
紫外可见光谱
,
荧光光谱
孙伟
,
刘保顺
,
赵修建
,
赵青南
材料导报
简要分析了二氧化钛光催化中价电子转移过程,即价电子跃迁和电子空穴复合过程,指出价电子转移过程的变化必然引起TiO2光催化效率的变化,重点说明了改变电子受体的种类、半导体表面改性、重金属表面改性、阴离子掺杂和金属离子掺杂等方法的具体原理,进一步探讨了价电子转移过程同光催化效率之间的关系.
关键词:
价电子
,
光催化
,
二氧化钛
韩宾
,
赵青南
,
杨晓东
,
赵修建
稀有金属材料与工程
采用射频反应磁控溅射法在镀有SiO2膜的钠钙硅玻璃基片上沉积了二氧化钒(VO2)薄膜.研究了在300℃沉积温度下,不同溅射时间(5～35min)对VO2薄膜结构和性能的影响.用X射线衍射、扫描电镜、自制电阻测量装置、紫外-可见光谱仪、双光束红外分光光度计对薄膜结构、形貌、电学及光学性能进行了表征.结果表明:薄膜在低温半导体相主要以四方相畸变金红石结构存在,在(011)方向出现明显择优取向生长,随着溅射时间的延长,晶粒生长趋于完整,晶粒尺寸增大;对溅射时间为35 min的薄膜热处理,发现从室温到90℃范围内,薄膜方块电阻的变化接近3个数量级;由于本征吸收,薄膜在可见光范围透过率较低,且随膜厚的增加而逐渐降低;在1500～4000 cm-1波数范围内,原位测量薄膜样品加热前后(20和80℃)的红外反射率,发现反射率的变化幅度随着膜厚增加而提高,最高可达59%.
关键词:
二氧化钒薄膜
,
磁控溅射
,
溅射时间
,
晶粒尺寸
,
膜厚
赵青南
,
倪佳苗
,
张乃芝
,
赵修建
,
姜宏
,
王桂荣
稀有金属材料与工程
制备了摩尔比为l:1的TiO2和CeO2陶瓷靶材.采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5:95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜.溅射过程中,工作气压保持在1.8 Pa不变,玻璃基片温度从室温(RT)～220℃之间变化.用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌和镀膜试样的紫外-可见光透过率.结果表明,薄膜表面结构平滑、致密,呈微小晶粒结构,薄膜中Ti和Ce仅以Ti4+和Ce4+的形式存在;随着基片温度升高,薄膜中的细小晶粒略有长大;TiO2-CeO2镀膜玻璃可以有效地截止紫外线.
关键词:
射频溅射
,
玻璃基TiOx-CeO2薄膜
,
紫外光截止镀膜玻璃
,
基片温度
余家国
,
赵修建
,
韩建军
,
赵青南
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.12.006
通过sol-gel法在普通钠钙玻璃表面制备了均匀透明的锐钛矿型TiO2纳米薄膜.用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和紫外可见吸收光谱(UV-VIS)等对薄膜的晶粒大小和透光率进行了表征.结果表明:随着镀膜次数和热处理时间的增加,薄膜中的平均晶粒大小接近线性增加.仅增加TiO2薄膜的热处理时间,薄膜中晶粒长大不明显,其吸收阀值未发生明显的红移.因此, 薄膜中晶粒长大的机理可能是: 上一次镀的TiO2晶粒成了下一次镀TiO2溶胶的晶核, 并在此基础上逐渐长大.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
TiO2纳米薄膜
,
晶粒长大
,
机理
